一种通用IO接口电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种通用IO接口电路，包括发送电平转换电路和接收电平转换电路，发送电平转换电路和接收电平转换电路相连接，发送电平转换电路包括第一分压电路和MOS管组，第一分压电路和MOS管组相连接，接收电平转换电路包括第二分压电路和反相器，第二分压电路和反相器相连接，有益效果在于用1.8V的器件实现5V耐压的功能，不需要借助基准电压源提供恒定的电压，降低芯片开发面积和芯片封装成本，内部芯片使用的是1.8V的器件，当外部接5V电压时，通过分压技术使3个NMOS管所承受的电压均分5V，平均一个NMOS管承受1.7V左右的电压，实现电压安全。现电压安全。现电压安全。

【技术实现步骤摘要】
一种通用IO接口电路


[0001]本技术属于IO接口
，更具体地说，本专利技术涉及一种通用IO接口电路。

技术介绍

[0002]通用IO接口是模拟以及数字信号传输常用的IO模块，具有接收或者发送的功能。可将芯片内部控制信号或者数据传输给其它芯片，也能接收外部芯片发送的数据，实现数据传输或控制功能。目前现有的通用IO接口具有以下缺陷：
[0003]第一，内部芯片模拟电压为3.3V，IO接口外部电压为3.3V，需要使用单独的LDO提供1.8V/2.5V/3.3V基准电压，这样的电路使得设计复杂，面积开销大。第二，模拟电压为3.3V，PAD端电压为3.3V，PAD不能上拉到5V。若要提供5V控制电压，需要芯片外增加一个MOSFET管，增加了使用成本。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种通用IO接口电路，以解决上述现有技术中存在的IO接口电路设计复杂且面积开销大的技术问题。
[0005]为实现上述技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0006]一种通用IO接口电路，包括发送电平转换电路和接收电平转换电路，所述发送电平转换电路和所述接收电平转换电路相连接，所述发送电平转换电路包括第一分压电路和MOS管组，所述第一分压电路和所述MOS管组相连接，所述接收电平转换电路包括第二分压电路和反相器，所述第二分压电路和所述反相器相连接。
[0007]优选地，所述第一分压电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻，所述第一电阻分别和所述第二电阻以及所述第三电阻相连接，所述第四电阻和所述MOS管组相连接，所述第五电阻和所述MOS管组相连接。
[0008]优选地，所述MOS管组包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极相连接，所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的源极相连接，所述第三NMOS管的漏极和所述第一分压电路相连接。
[0009]优选地，所述MOS管组包括第四NMOS管，所述第四NMOS管和所述第一分压电路相连接。
[0010]优选地，所述发送电平转换电路包括电容，所述电容的一端和所述MOS管组相连接，所述电容的另一端接地。
[0011]优选地，所述第二分压电路包括第六电阻、第七电阻和第八电阻，所述第七电阻分别和所述第六电阻以及所述第八电阻相连接，所述反相器分别和所述第七电阻以及所述第八电阻相连接。
[0012]优选地，所述反相器包括第五NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二PMOS管分别和所述第五NMOS管以及所述第一PMOS管相连接。
[0013]优选地，所述发送电平转换电路还包括内部输入端，所述内部输入端和所述MOS管
组相连接。
[0014]优选地，所述接收电平转换电路还包括触发器，所述触发器的输入端和所述反相器相连接。
[0015]优选地，所述发送电平转换电路和所述接收电平转换电路均包括PAD端，所述PAD端分别和所述第一分压电路以及所述第二分压电路相连接，通过所述PAD端将所述发送电平转换电路和所述接收电平转换电路相连接。
[0016]本技术提供的有益效果在于：
[0017]1、本技术包括发送电平转换电路和接收电平转换电路，发送电平转换电路和所述接收电平转换电路相连接。用1.8V的器件实现5V耐压的功能，不需要借助基准电压源提供恒定的电压，降低芯片开发面积和芯片封装成本。
[0018]2、本技术的发送电平转换电路包括第一分压电路和MOS管组，第一分压电路和MOS管组相连接，接收电平转换电路包括第二分压电路和反相器，第二分压电路和反相器相连接。内部芯片使用的是1.8V的器件，当外部接5V电压时，通过分压技术使3个NMOS管所承受的电压均分5V，平均一个NMOS管承受1.7V左右的电压，实现电压安全。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是发送电平转换电路的结构示意图；
[0021]图2是接收电平转换电路的结构示意图。
具体实施方式
[0022]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0023]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]实施例1：
[0025]本实施例适用于发送信号时，包括一种通用IO接口电路，包括发送电平转换电路和接收电平转换电路，发送电平转换电路和接收电平转换电路相连接，发送电平转换电路包括第一分压电路和MOS管组，第一分压电路和MOS管组相连接，接收电平转换电路包括第二分压电路和反相器，第二分压电路和反相器相连接。
[0026]如图1所示，发送电平转换电路和接收电平转换电路均包括PAD端，PAD端分别和第一分压电路以及第二分压电路相连接，通过PAD端将发送电平转换电路和接收电平转换电
路相连接。发送电平转换电路还包括内部输入端，内部输入端和MOS管组相连接。发送电平转换电路包括电容C1，电容C1的一端和MOS管组相连接，电容C1的另一端接地。
[0027]第一分压电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5，第一电阻R1分别和第二电阻R2以及第三电阻R3相连接，第四电阻R4和MOS管组相连接，第五电阻R5和MOS管组相连接。
[0028]MOS管组包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2和第三NMOS管N3，第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的源极相连接，第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的源极相连接，第三NMOS管的漏极和第一分压电路相连接。MOS管组包括第四NMOS管N4，第四NMOS管N4和第一分压电路相连接。
[0029]内部输入端分别和第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的bulk端以及电容相连接。第一NMOS管的源极和第一NMOS管的bulk端相连接，第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的源极相连接。第二NMOS管的栅极分别和第四电阻R4以及第三NMOS管的bulk端相连接，第二NMOS管的漏极和第三NMOS管的源极相连接。第三NMOS管的栅极分别和第四NMOS管的源极以及第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通用IO接口电路，其特征在于，包括发送电平转换电路和接收电平转换电路，所述发送电平转换电路和所述接收电平转换电路相连接，所述发送电平转换电路包括第一分压电路和MOS管组，所述第一分压电路和所述MOS管组相连接，所述接收电平转换电路包括第二分压电路和反相器，所述第二分压电路和所述反相器相连接。2.如权利要求1所述的一种通用IO接口电路，其特征在于，所述第一分压电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻，所述第一电阻分别和所述第二电阻以及所述第三电阻相连接，所述第四电阻和所述MOS管组相连接，所述第五电阻和所述MOS管组相连接。3.如权利要求1所述的一种通用IO接口电路，其特征在于，所述MOS管组包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极相连接，所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的源极相连接，所述第三NMOS管的漏极和所述第一分压电路相连接。4.如权利要求1
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3任一项所述的一种通用IO接口电路，其特征在于，所述MOS管组包括第四NMOS管，所述第四NMOS管和所述第一分压电路相连接。5.如权利要求1
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3任一项所述的一种通用IO接口...

【专利技术属性】
技术研发人员：何春霖，肖文勇，何利蓉，
申请(专利权)人：杭州雄迈集成电路技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：