半导体结构及其制造方法技术

本公开提供的半导体结构及其制造方法，在相邻交错设置的焊盘中，将其中的第一焊盘设计有第一连接部和第一延伸部，第二焊盘设计有第二连接部，第一连接部和第二连接部对齐，通过将焊料于第一延伸部与第二连接部交错配置，使得焊料喷射(solder jetting)后，不会有焊点桥接短路(solder bridge)问题。而后续表面贴合连接器以及回流焊(reflow)后，位于第一延伸部的焊料熔融往第一连接部铺展润湿并连接第一连接部与连接器的引脚，位于第二连接部的焊料熔融以包覆连接器的引脚。熔融以包覆连接器的引脚。熔融以包覆连接器的引脚。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]在一些模块化产品中，连接器可以作为连接到PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)的讯号端口。
[0003]混合天线封装模块(Hybrid AiP module)是一种将射频基板和天线基板结合的模块化的封装形式。在Hybrid AiP module结构中，连接器作为连接讯号的端口必须露出，所以必须以selective mold(选择性模封)的方式将其上件位置露出后打件。由于3D钢板技术无法克服锡厚与mold cap之间的落差(锡厚：50um，mold cap：300um)而实施3D印刷，故必须使用焊料喷射(solder jetting)制程在对应上件位置的pad上设置焊膏(solder paste)。然而，由于solder jetting制程能使用的最小针头尺寸有限，其点锡能力(锡量以及点锡偏移)受限无法对应现状连接器pad的pitch(例如0.17mm)，造成高风险的焊点桥接短路(solder bridge)。相反地，若锡量太少则连接器无法通过剪切力测试(shear force test)。

技术实现思路

[0004]本公开提供了半导体结构及其制造方法。
[0005]第一方面，本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：基板；第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘交错设置于基板上，第一焊盘包括第一连接部和第一延伸部，第二焊盘包括第二连接部，第一连接部和第二连接部对齐。
[0006]在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：焊接层，设于第一焊盘和第二焊盘上；连接器，设于焊接层上。
[0007]在一些可选的实施方式中，第一焊盘包括第一端面以及与第一端面相对的第二端面，第二焊盘包括第三端面以及与第三端面相对的第四端面，第一端面与第三端面共平面，第二端面和第四端面非共平面。
[0008]在一些可选的实施方式中，第一焊盘的长度大于第二焊盘的长度。
[0009]在一些可选的实施方式中，第一焊盘上的焊接层的体积大于第二焊盘上的焊接层的体积。
[0010]在一些可选的实施方式中，第二焊盘还包括第二延伸部，第一延伸部和第二延伸部分别设于第一连接部和第二连接部的相对侧。
[0011]第二方面，本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：天线基板；射频基板，设于天线基板上，射频基板具有第一区和第二区；射频芯片，设于第一区上；第一焊盘和第二焊盘，交错设于第二区上，第一焊盘包括第一连接部和第一延伸部，第二焊盘包括第二连接部，第一连接部和第二连接部对齐；焊接层，设于第一焊盘和第二焊盘上；连接器，设于焊接层上。
[0012]在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：焊接层，设于第一连接部和第二连接部上；连接器，设于焊接层上。
[0013]在一些可选的实施方式中，第一焊盘包括第一端面以及与第一端面相对的第二端面，第二焊盘包括第三端面以及与第三端面相对的第四端面，第一端面与第三端面共平面，第二端面和第四端面非共平面。
[0014]在一些可选的实施方式中，第一焊盘的长度大于第二焊盘的长度。
[0015]在一些可选的实施方式中，第一焊盘上的焊接层的体积大于第二焊盘上的焊接层的体积。
[0016]在一些可选的实施方式中，第二焊盘还包括第二延伸部，第一延伸部和第二延伸部分别设于第一连接部和第二连接部的相对侧。
[0017]在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：粘合层，设于天线基板和射频基板之间。
[0018]在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：无源组件，设于第一区上。
[0019]在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：保护罩，设于第二区上以罩住射频芯片和无源组件。
[0020]在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：电磁屏蔽层，覆盖保护罩、天线基板的侧壁以及射频基板的侧壁。
[0021]第三方面，本公开提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供基板；在基板上交错设置第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘包括第一连接部和第一延伸部，第二焊盘包括第二连接部，第一连接部和第二连接部对齐。
[0022]在一些可选的实施方式中，该方法还包括：在第一延伸部、第二连接部设置焊料；在第一连接部和第二连接部上设置连接器；回流焊处理，使位于第一延伸部的焊料熔融以包覆第一连接部和连接器的引脚，使位于第二连接部的焊料熔融以包覆连接器的引脚，形成焊接层。
[0023]第四方面，本公开提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：自下而上依次设置天线基板、粘合层以及射频基板，射频基板具有第一区和第二区，第二区上交错设有第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘包括第一连接部和第一延伸部，第二焊盘包括第二连接部，第一连接部和第二连接部对齐；在第一区上设置射频芯片和无源组件；在第一区上设置保护罩，以罩住射频芯片和无源组件；形成覆盖保护罩以及天线基板和射频基板的侧壁的电磁屏蔽层；在第一延伸部、第二连接部设置焊料；在第一连接部和第二连接部上设置连接器；回流焊处理，使位于第一延伸部的焊料熔融以包覆第一连接部和连接器的引脚，使位于第二连接部的焊料熔融以包覆连接器的引脚，形成焊接层。
[0024]为了解决基板上的pad在利用solder jetting制程所产生solder bridge问题，本公开提供的半导体结构及其制造方法，在相邻交错设置的焊盘(pads)中，将其中的第一焊盘设计有第一连接部和第一延伸部，第二焊盘设计有第二连接部，第一连接部和第二连接部对齐，通过将焊料(solder)于第一延伸部与第二连接部交错配置，使得焊料喷射(solder jetting)后，不会有焊点桥接短路(solder bridge)问题。而后续表面贴合连接器以及回流焊(reflow)后，位于第一延伸部的solder熔融往第一连接部铺展润湿(wetting)并连接第一连接部与连接器的引脚。
附图说明
[0025]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0026]图1是现有技术中的半导体结构的一个实施例的俯视结构图；
[0027]图2是根据本公开的半导体结构的一个实施例的俯视结构图；
[0028]图3是根据本公开的半导体结构的又一个实施例的俯视结构图；
[0029]图4是根据本公开的半导体结构的又一个实施例的俯视结构图；
[0030]图5是根据本公开的半导体结构的又一个实施例的俯视结构图；
[0031]图6是根据本公开的半导体结构的又一个实施例的俯视结构图；
[0032]图7是根据本公开的半导体结构的一个实施例的立体结构图；
[0033]图7A到图7D是根据本公开的半导体结构的第一制造过程中的结构示意图；
[0034]图8A到图8E是根据本公开的半导体结构的第二制造过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：基板；第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘交错设置于所述基板上，所述第一焊盘包括第一连接部和第一延伸部，所述第二焊盘包括第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部对齐。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：焊接层，设于所述第一焊盘和所述第二焊盘上；连接器，设于所述焊接层上。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中，所述第一焊盘包括第一端面以及与所述第一端面相对的第二端面，所述第二焊盘包括第三端面以及与所述第三端面相对的第四端面，所述第一端面与第三端面共平面，所述第二端面和所述第四端面非共平面。4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中，所述第一焊盘的长度大于所述第二焊盘的长度。5.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中，所述第一焊盘上的焊接层的体积大于所述第二焊盘上的焊接层的体积。6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中，所述第二焊盘还包括第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部分别设于所述第一连接部和所述第二连接部的相对侧。7.一种半导体结构，包括：天线基板；射频基板，设于所述天线基板上，所述射频基板具有第一区和第二区；射频芯片，设于所述第一区上；第一焊盘和第二焊盘，交错设于所述第二区上，所述第一焊盘包括第一连接部和第一延伸部，所述第二焊盘包括第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部对齐；焊接层，设于所述第一焊盘和所述第二焊盘上；连接器，设于所述焊接层上。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第一焊盘包括第一端面以及与所述第一端面相对的第二端面，所述第二焊盘包括第三端面以及与所述第三端面相对的第四端面，所述第一端面与第三端面共平面，所述第二端面和所述第四端面非共平面。9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第一焊盘的长度大于所述第二焊盘的长度。10.根据权利要求7所述的半导体结构，所述第一焊盘上的焊接层的体积大于所述第二焊盘上的焊接层的体积。11.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第二焊盘还包括第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部分别设于所述第一连接部和所述第二连接部...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈毅，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：