半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一载板，具有位于第一表面上的第一导电柱；第二载板，具有与第一表面相对的第二表面，第二表面上具有第二导电柱；其中，第一导电柱的部分侧壁与第二导电柱的部分侧壁相对，并且通过化镀层与第二导电柱的部分侧壁接合，第一导电柱具有远离第一载板的第一端面，第一端面上的化镀层与第二载板的第二表面之间具有第一间隔。表面之间具有第一间隔。表面之间具有第一间隔。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体来说，涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]对于铜
‑
铜接合(cuto cubonding)，习知制程会先在铜的接合界面产生凹坑(dish)，再利用加热方式进行对接，但当加热的温度/时间控制不佳，或者实际铜的凹坑深度远大于规定值(例如，5nm)时，则会在接合后产生空洞(void)问题，导致电性连接效果较差。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体结构及其形成方法。
[0004]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0005]根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一载板，具有位于第一表面上的第一导电柱；第二载板，具有与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面上具有第二导电柱；其中，所述第一导电柱的部分侧壁与所述第二导电柱的部分侧壁相对，并且通过化镀层与所述第二导电柱的部分侧壁接合，所述第一导电柱具有远离所述第一载板的第一端面，所述第一端面上的所述化镀层与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一载板，具有位于第一表面上的第一导电柱；第二载板，具有与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面上具有第二导电柱；其中，所述第一导电柱的部分侧壁与所述第二导电柱的部分侧壁相对，并且通过化镀层与所述第二导电柱的部分侧壁接合，所述第一导电柱具有远离所述第一载板的第一端面，所述第一端面上的所述化镀层与所述第二载板的所述第二表面之间具有第一间隔。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电柱具有远离所述第二载板的第二端面，所述第二端面上的所述化镀层与所述第一载板的所述第一表面之间具有第二间隔。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隔与所述第二间隔的高度不同。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述化镀层填充在所述第二导电柱与所述第一载板之...

【专利技术属性】
技术研发人员：林咏胜，洪筠净，凃顺财，高金利，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：