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本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一载板，具有位于第一表面上的第一导电柱；第二载板，具有与第一表面相对的第二表面，第二表面上具有第二导电柱；其中，第一导电柱的部分侧壁与第二导电柱的部分侧壁相对，并且通过化镀层与第二导...
该专利属于日月光半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过日月光半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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