半导体封装结构及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装结构及封装方法，该封装结构包括：半导体芯片，具有钝化层，该钝化层至少部分覆盖半导体芯片的第一表面并露出焊盘；绝缘层，形成于钝化层之上，且绝缘层上设置有开口；金属块，位于开口内，且金属块部分覆盖开口的底部；凸块，形成于开口位置，该凸块通过开口及金属块与焊盘电连接。本发明专利技术通过在金属柱下方的聚亚酰胺层开口内额外设置金属块，从而弥补了该开口位置的高度差，能够改善器件的性能和使用寿命。够改善器件的性能和使用寿命。够改善器件的性能和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种半导体封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片的高度集成化、高性能化和高速化，对半导体封装技术的要求越来越高，小型化大规模生产已经成为半导体封装的发展趋势。传统的以打线接合方式将半导体芯片与其他元件相接合的电子封装技术已经无法满足目前的需求，以凸块作为芯片与其他元件接合的覆晶接合技术应运而生。
[0003]然而，如图1所示，目前倒装产品(如半导体封装1)为降低封装应力，会在凸块16(包括铜柱161及位于铜柱161上方的锡帽162)下方增加一层聚亚酰胺(PI)层14，经凸块制程后，由于PI层14的开口位置的高度差的原因，该凸块16的顶部Cu、Sn界面会存在凹陷，在后期封装过程中倒装后进行热制程时，会在该Cu、Sn界面共金产生void(如气泡)，并聚集在该凹陷位置无法溢出，进而影响产品导电性能及可靠性。
[0004]因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。

技术实现思路

[0005]为了解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其中，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有钝化层，所述钝化层覆盖于所述半导体芯片的第一表面并暴露出焊盘；绝缘层，形成于所述钝化层之上，且所述绝缘层设置有开口；金属块，位于所述开口内，且金属块部分覆盖所述开口的底部；凸块，形成于所述开口位置，所述凸块通过所述开口及所述金属块与所述焊盘电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述凸块的底部覆盖所述开口的底部、所述开口内的金属块的顶部以及部分绝缘层。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述金属块位于所述开口底部的中央区域。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述凸块包括第一金属柱以及位于所述第一金属柱顶部的金属帽。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述金属块的厚度与所述绝缘层的厚度之差小于一预设值。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述开口位于所述焊盘位置上方。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，还包括：位于所述焊盘和所述绝缘层之间的重布线层，所述开口位于所述重布线层上方，所述凸块通过所述开口、所述金属块及所述重布线层与所述焊盘电连接。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述绝缘层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层。9.一种半导体封装方法，其中，包括：提供半导体芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：许飞，
申请(专利权)人：杰华特微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：