一种化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式I所示的结构，本发明专利技术利用取代的苯胺键合邻位有取代的苯结构单元同二苯并芴或二苯并杂环衍生物组合，能够最大限度获得结构稳定、分子薄膜堆积形态更好的电子阻挡材料，利用该电子材料到有机发光器件中，能够进一步提高器件的发光效率，相较于现有技术化合物在改善电压、提高发光效率均效果明显，特别适合作为电子阻挡层材料，尤其适合作为绿光电子阻挡层材料。层材料。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种化合物及其应用。

技术介绍

[0002]近年来，基于有机材料的光电子器件已经变得越来越受欢迎。有机材料固有的柔性令其十分适合用于在柔性基板上制造，可根据需求设计、生产出美观而炫酷的光电子产品，获得相对于无机材料无以比拟的优势。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。OLED可以提供高饱和度的红、绿、蓝三颜色，用其制成的全色显示装置无需额外的背光源，具有色彩炫丽，轻薄柔软等优点。
[0003]OLED器件核心为含有多种有机功能材料的薄膜结构。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。通电时，电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并在此复合，从而产生激子并发光。
[0004]人们已经开发出多种有机材料，结合各种奇特的器件结构，可以提升载流子迁移率、调控载流子平衡、突破电致发光效率、延缓器件衰减。出于量子力学的原因，常见的荧光发光体主要利用电子和空穴结合时产生的单线态激子发光，现在仍然广泛地应用于各种OLED产品中。有些金属络合物如铱络合物，可以同时利用三线态激子和单线态激子进行发光，被称为磷光发光体，其能量转换效率可以比传统的荧光发光体提升高达四倍。热激发延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子朝单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热激发敏化荧光(TASF)技术则采用具TADF性质的材料，通过能量转移的方式来敏化发光体，同样可以实现较高的发光效率。
[0005]随着OLED产品逐步进入市场，人们对这类产品的性能有越来越高的要求。当前使用的OLED材料和器件结构无法完全解决OLED产品效率、寿命、成本等各方面的问题。
[0006]因此，本领域亟待开发一种能够提高器件发光效率、降低驱动电压、延长使用寿命的有机电致发光材料。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，特别在于提供一种用于有机电致发光器件的化合物，尤其在于提供一种有机电致发光器件中的电子阻挡层材料，所述化合物应用于有机电致发光器件，能够提高器件发光效率，降低驱动电压，可作为红光电子阻挡层材料。
[0008]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有式I所示的结构；
[0010][0011]式I中，所述Ar1选自取代或未取代的C6
‑
C60芳基、取代或未取代的C3
‑
C60杂芳基中的任意一种；
[0012]式I中，所述L1选自单键、取代或未取代的C6
‑
C60亚芳基、取代或未取代的C3
‑
C60亚杂芳基中的任意一种；
[0013]式I中，所述Ar2和Ar3独立地选自C6
‑
C60芳基；Ar2和Ar3所述芳基的连接键个数取决于p和q的取值，示例性地，当p或q为0时，所述芳基仅通过一个连接键连接在式I的苯环上，当p或q为1时，所述芳基除了通过一个连接键与式I的苯环连接，还通过一个连接键与R4或R3连接；
[0014]式I中，所述R3和R4独立地选自氢、取代或未取代的C1
‑
C3链状烷基、取代或未取代的C5
‑
C20链状烷基、取代或未取代的C3
‑
C20环烷基、取代或未取代的C6～C60芳基氨基、取代或未取代的C3～C60杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种，所述R3和R4独立地与相连接的芳环连接成环或不连接成环；
[0015]式I中，R1、R2和R5独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、取代或未取代的C1～C20链状烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C1～C20硅烷基、取代或未取代的C6～C60芳基氨基、取代或未取代的C3～C60杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种，所述R1、R2和R5独立地与相连接的芳环连接成环或不连接成环；
[0016]式I中，所述n为0至最大可允许取代个数，例如1、2、3、4，所述m为0至最大可允许取代个数，例如1、2、3，所述p为0至最大可允许取代个数，例如1、2、3、4、5，所述q为0至最大可允许取代个数，例如1、2、3、4、5，所述r为0至最大可允许取代个数，例如1、2、3、4、5、6、7；
[0017]式I中，所述G选自O、S、CR6R7或SiR8R9；
[0018]所述R6、R7、R8和R9独立地选自取代或未取代的C1～C20链状烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C1～C20硅烷基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种，所述R6、R7、R8和R9独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环，R6和R7或R8和R9相互之间连接成环或不连接成环；
[0019]Ar1、L1、R1‑
R9中，所述取代的基团各自独立地选自C1～C20链状烷基、C3～C20环烷
基、C2～C10烯基、C1～C20烷氧基、C1～C10硫代烷氧基、C1～C20硅烷基、C6～C60芳基氨基、C3～C60杂芳基氨基、C6～C60芳基、C3～C60杂芳基中的任意一种或至少两种组合。
[0020]本专利技术提供了一种新型的有机电致发光材料，利用取代的苯胺键合邻位有取代的苯结构单元同二苯并芴或二苯并杂环衍生物组合，能够最大限度获得结构稳定、分子薄膜堆积形态更好的电子阻挡材料，利用该电子材料到有机发光器件中，能够进一步提高器件的发光效率，相较于现有技术化合物在改善电压、提高发光效率均效果明显，特别适合作为电子阻挡层材料，尤其适合作为红光电子阻挡层材料。
[0021]另外，本专利技术化合物的制备工艺简单易行，原料易得，适合于量产放大。
[0022]本专利技术中，所述的“取代或未取代”的基团，可以取代有一个取代基，也可以取代有多个取代基，当取代基为多个时，可以选自不同的取代基，本专利技术中涉及到相同的表达方式时，均具有同样的意义，且取代基的选择范围均如上所示不再一一赘述。
[0023]在本说明书中，Ca～Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a～b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。
[0024]在本说明书中，“—”划过的环结构的表达方式，表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置。
[0025]在本说明书中，“各自独立地”表示其主语具有多个时，彼此之间可以相同也可以不同。
[0026]本专利技术中，对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构；式I中，所述Ar1选自取代或未取代的C6
‑
C60芳基、取代或未取代的C3
‑
C60杂芳基中的任意一种；式I中，所述L1选自单键、取代或未取代的C6
‑
C60亚芳基、取代或未取代的C3
‑
C60亚杂芳基中的任意一种；式I中，所述Ar2和Ar3独立地选自C6
‑
C60芳基；式I中，所述R3和R4独立地选自氢、取代或未取代的C1
‑
C3链状烷基、取代或未取代的C5
‑
C20链状烷基、取代或未取代的C3
‑
C20环烷基、取代或未取代的C6～C60芳基氨基、取代或未取代的C3～C60杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种，所述R3和R4独立地与相连接的芳环连接成环或不连接成环；式I中，R1、R2和R5独立地选自氢、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、取代或未取代的C1～C20链状烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C1～C20硅烷基、取代或未取代的C6～C60芳基氨基、取代或未取代的C3～C60杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种，所述R1、R2和R5独立地与相连接的芳环连接成环或不连接成环；式I中，所述n为0至最大可允许取代个数，所述m为0至最大可允许取代个数，所述p为0至最大可允许取代个数，所述q为0至最大可允许取代个数，所述r为0至最大可允许取代个数；式I中，所述G选自O、S、CR6R7或SiR8R9；所述R6、R7、R8和R9独立地选自取代或未取代的C1～C20链状烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20烷氧基、取代或未取代的C1～C20硅烷基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种，所述R6、R7、R8和R9独立地与相连接的芳环或杂芳环连接成环或不连接成环，R6和R7或R8和R9相互之间连接成环或不连接成环；Ar1、L1、R1‑
R9中，所述取代的基团各自独立地选自C1～C20链状烷基、C3～C20环烷基、C2～C10烯基、C1～C20烷氧基、C1～C10硫代烷氧基、C1～C20硅烷基、C6～C60芳基氨基、C3～C60杂芳基氨基、C6～C60芳基、C3～C60杂芳基中的任意一种或至少两种组合。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar2和Ar3独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、蒽基或二苯并芴基中的任意一种，优选苯基。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(2
‑
1)所示的结构；式(2
‑
1)中，Ar1、L1、R1、R2、R3、R4、R5、G、n、m、p、q和r均具有与式I中相同的限定范围。4.根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(2
‑1‑
1)所示的结构；式(2
‑1‑
1)中，所述R3'、R
3”、R
3”'、R4'、R
4”和R
4”'独立地选自氢、取代或未取代的C6～C60芳基氨基、取代或未取代的C3～C60杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种，所述R3'、R
3”、R
3”'、R4'、R
4”和R
4”'独立地与相连接的芳环连接成环或不连接成环；式(2
‑1‑
1)中，Ar1、L1、R1、R2、R5、G、n、m和r均具有与式I中相同的限定范围。5.根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(2
‑1‑1‑
1)所示的结构；
式(2
‑1‑1‑
1)中，Ar1、L1、R1、R2、R5、G、n、m和r均具有与式I中相同的限定范围。6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar2和Ar3独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、蒽基或二苯并芴基中的任意一种，且Ar2和Ar3中至少有一项选自萘基、菲基或蒽基中的任意一种。7.根据权利要求6所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(2

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金华，曾礼昌，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：