组合物、制剂、有机电致发光器件及显示或照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种组合物、制剂、有机电致发光器件及显示或照明装置。本发明专利技术中基于咔唑

【技术实现步骤摘要】
组合物、制剂、有机电致发光器件及显示或照明装置


[0001]本专利技术属于有机电致发光领域，具体涉及一种组合物、制剂、有机电致发光器件及显示或照明装置，其中客体为一种基于咔唑
‑
联苯
‑
喹啉及其衍生物配位的金属铂(II)或钯(II)配合物磷光材料。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)是新一代的全彩显示和照明技术。相比于液晶显示响应速度慢、可视角小、需要背光源、能耗高等缺点，OLED作为一种自主发光器件无需背光源，节能；且其驱动电压低、响应速度快、分辨率和对比度高、视角广、低温性能出众；OLED的器件可以做的更薄，并且可以做成柔性结构。此外，还具有生产成本低、生产工艺简单、可进行大面积生产等优点。因此，OLED在高端电子产品、航空航天方面有着广泛而巨大的应用前景；随着投资的逐步加大、研发的进一步深入、及生产设备的升级改造，OLEDs在未来有着非常广泛的应用场景和发展前景。
[0003]OLED发展的核心是发光材料的设计和开发。早期OLED器件中其发光材料主要为有机小分子荧光材料。然而自旋统计量子学表明，在电致发光的情况下，产生的单线态激子和三线态激子(exciton)分别为25％和75％，由于传统荧光材料只能利用处于单线态的激子，因此其最大理论内部量子效率仅为25％，其余75％的三重态激子通过非辐射跃迁损失。美国普林斯顿大学的Forrest教授和南加州大学的Thompson教授于1998年发现了室温下重金属有机配合物分子的磷光电致发光现象。由于重金属原子的强自旋轨道耦合作用，可以使激子更容易由单线态向三线态发生系间蹿越(ISC)，从而使得OLED器件可以充分利用电激发所产生所有单线态和三线态激子，使发光材料的理论内部量子效率可达到100％(Nature,1998,395,151)。
[0004]目前应用的OLED器件中发光层几乎全部使用主客体发光体系机制，即在主题材料中掺杂客体发光材料，主题材料的能系一般大于客体发光材料，将能量由主体材料传递给客体材料，使客体材料被激发而发光。常用的有机磷光客体材料一般为重金属原子如铱(III)、铂(II)，Pd(II)等。目前应用的重金属磷光有机配合物分子环金属铱(III)配合物分子，且数量有限。地壳中金属铂元素的含量和世界范围内的年产均为金属铱元素的约十倍，用于制备铱(III)配合物磷光材料的IrCl
3.
H2O(1100人民币/克)价格也要远高于制备铂(II)配合物磷光材料的PtCl2(210人民币/克)；此外，制备铱(III)配合物磷光材料时涉及含铱(III)二聚体、铱(III)中间体配体交换、mer
‑
铱(III)配合物的合成和mer
‑
到fac
‑
铱(III)配合物异构体转换四步反应，使总收率大为降低，大大降低了原料IrCl
3.
H2O的利用率，提高了铱(III)配合物磷光材料的制备成本。相比之下，铂(II)配合物磷光材料的制备只有最后一步配体的金属化设计铂盐的反应，铂元素利用率高，可进一步降低铂(II)配合物磷光材料的制备成本。综上所述，铂(II)配合物磷光材料的制备成本要远低于铱(III)配合物磷光材料。然而目前铂、钯配合物材料和器件的开发仍存在一些技术难点，如何提高器件效率及寿命是比较重要的研究问题。因此亟需开发新型磷光金属铂(II)配合物。
[0005]目前有机OLED组件中的发光层几乎全部使用主客体发光体系机构，即在主体材料中掺杂客体发光材料，一般来说，有机主体材料的能系要比客体材料大，即能量由主体传递给客体，使客体材料被激发而发光。常用的磷光有机材料CBP(4，4
′‑
bis(9
‑
carbazolyl)
‑
biphenyl)具有高效和高三线态能级，当其作为有机材料时，三线态能量能够有效地从发光有机材料转移到客体磷光发光材料。但是由于CBP的空穴易传输而电子难流动的特性，使得发光层的电荷不平衡，结果降低了器件的效率。
[0006]本专利技术发现特定主体材料和客体磷光材料的组合可提高有机电致发光器件的外量子效率、降低元器件的操作电压。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是提供一种或多种应用于有机电致发光器件发光层的客体磷光材料和主体材料及其组合以及包含该组合的有机电致发光器件。
[0008]本专利技术提供了一种基于咔唑
‑
联苯
‑
喹啉及其衍生物配位的金属铂(II)或钯(II)配合物磷光材料，其结构如式(I)所示：
[0009][0010]在式(I)中，M为Pt或Pd；Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y
10
、Y
11
、Y
12
、Y
13
、Y
14
、Y
15
、Y
16
、Y
17
、Y
18
和Y
19
各自独立地为N或CH；R1、R2、R3、R4、R5和R6的取代方式各自独立地表示为单取代、双取代、三取代或者无取代；R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示为氢、氘、烷基、卤代烷基、环烷基、烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基、卤素、环烯基、取代或未取代的杂环基、烯基、炔基、羟基、巯基、硝基、氰基、取代或未取代的氨基、单或二烷基氨基、单或二芳基氨基、酯基、腈基、异腈基、烷氧基羰基、酰氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰基氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷硫基、亚磺酰基、脲基、磷酰胺基、亚胺基、磺基、羧基、肼基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、烷基硅基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的杂芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种，且两个或者多个邻近的R1、R2、R3、R4、R5和R6可以选择性链接形成稠环。
[0011]本专利技术提供了一种或多种由结构式(I)表示的基于咔唑
‑
联苯
‑
喹啉及其衍生物配位的金属铂(II)或钯(II)配合物客体磷光材料和由结构式(II)或式(III)表示的一种或多种主体材料的组合，结构式(I)和结构式(II)或式(III)如下所示：
[0012][0013][0014]其中：
[0015]在式(I)中，M为Pt或Pd；Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y
10
、Y
11
、Y
12
、Y
13
、Y
14
、Y
15
、Y
16
、Y
17
、Y
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于咔唑
‑
联苯
‑
喹啉及其衍生物配位的金属铂(II)或钯(II)配合物磷光材料，其结构如式(I)所示：在式(I)中，M为Pt或Pd；Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y
10
、Y
11
、Y
12
、Y
13
、Y
14
、Y
15
、Y
16
、Y
17
、Y
18
和Y
19
各自独立地为N或CH；R1、R2、R3、R4、R5和R6的取代方式各自独立地表示为单取代、双取代、三取代或者无取代；R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示为氢、氘、烷基、卤代烷基、环烷基、烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基、卤素、环烯基、取代或未取代的杂环基、烯基、炔基、羟基、巯基、硝基、氰基、取代或未取代的氨基、单或二烷基氨基、单或二芳基氨基、酯基、腈基、异腈基、烷氧基羰基、酰氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰基氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷硫基、亚磺酰基、脲基、磷酰胺基、亚胺基、磺基、羧基、肼基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、烷基硅基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的杂芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种，且两个或者多个邻近的R1、R2、R3、R4、R5和R6可以选择性链接形成稠环。2.一种组合物，其特征在于，包含一种基于咔唑
‑
联苯
‑
喹啉及其衍生物配位的金属铂(II)或钯(II)配合物磷光材料和有机主体材料，其中金属铂(II)或钯(II)配合物磷光材料的结构式如式(I)所示；有机主体材料的结构式(II)或式(III)所示：
其中：在式(I)中，M为Pt或Pd；Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y
10
、Y
11
、Y
12
、Y
13
、Y
14
、Y
15
、Y
16
、Y
17
、Y
18
和Y
19
各自独立地为N或CH；R1、R2、R3、R4、R5和R6的取代方式各自独立地表示为单取代、双取代、三取代或者无取代；R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示为氢、氘、烷基、卤代烷基、环烷基、烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基、卤素、环烯基、取代或未取代的杂环基、烯基、炔基、羟基、巯基、硝基、氰基、取代或未取代的氨基、单或二烷基氨基、单或二芳基氨基、酯基、腈基、异腈基、烷氧基羰基、酰氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰基氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷硫基、亚磺酰基、脲基、磷酰胺基、亚胺基、磺基、羧基、肼基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、烷基硅基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的杂芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种，且两个或者多个邻近的R1、R2、R3、R4、R5和R6可以选择性链接形成稠环；在式(II)和(III)中，X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X
10
、X
11
、X
12
、X
13
、X
14
、X
15
、X
16
、X
17
、X
18
、X
19
和X
20
各自独立地为N或CH；Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7、Z8、Z9、Z
10
、Z
11
、Z
12
和Z
13
各自独立地为N或CH，且至少有2个为N；L1、L2和L3不存在或选自单键、O、S、CR
15
R
16
、SiR
17
R
18
、NR
19
；A、B、C和D各自独立地选自C6
‑
C30芳基、C2
‑
C30杂芳基；R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
、R
14
、R
15
、R
16
、R
17
、R
18
和R
19
各自独立地表示为单取代、双取代、三取代、四取代或者无取代；且R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
、R
14
、R
15
、R
16
、R
17
、R
18
和R
19
各自独立地表示为氢、氘、烷基、卤代烷基、环烷基、烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基、卤素、环烯基、取代或未取代的杂环基、烯基、炔基、羟基、巯基、硝基、氰基、取代或未取代的氨基、单或二烷基氨基、单或二芳基氨基、酯基、腈基、异腈基、烷氧基羰基、酰氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、磺酰基氨基、氨磺酰基、氨基甲酰基、烷硫基、亚磺酰基、脲基、磷酰胺基、亚胺基、磺基、羧基、肼基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、烷基硅基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的杂芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基、取代或未取代的氧膦基的任意一种，且两个或者多个邻近的R7、R8、R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
、R
14
、R
15
、R
16
、R
17
、R
18
和R
19
可以选择性链接形成稠环。3.根据权利要求
‑
2所述的组合物，其特征在于，所述金属铂(II)或钯(II)配合物磷光材料具有如下之一的结构，但是不限于此：
4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，式(II)选自(II)
‑
1至(II)
‑
24所述的化合物：
其中，X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9和X
10
，L1、L2和L3，A和B，R7、R8、R9和R
10
与权利要求1相同。5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于,式中A、B、C...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贵杰，黄笛升，佘远斌，湛丰，赵晓宇，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：