一种多层纳米晶电感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种多层纳米晶电感器及其制备方法，通过将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板，从而能够通过调节纳米晶磁性碎片的大小，对纳米晶磁性材料的相对磁导率进行调节，并将具备高磁导率的纳米晶软磁材料制备成多层电感器，相对于传统的电感器可以减少线圈的匝数，从而降低电感器的直流电阻，以及降低电流负载下电感器的温升；同时，由于纳米晶材料具备较高屏蔽效应，还能够降低材料的散磁通并减少电路噪声，达到提高电感器性能的效果。感器性能的效果。感器性能的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种多层纳米晶电感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电感线圈
，特别是涉及一种多层纳米晶电感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]电感器是用于把电能转化为磁能而存储起来的元件。其中，功率型电感器的发展趋势为小型化、薄型化、高频、低DCR(Directive Current Resistance，直流电阻)、大电流以及低EMI(Electromagnetic Interference，电磁干扰)。传统制造电感器都是采用绕线封装的方式进行，采用Fe
‑
Si合金或纯铁粉等材料，将绕制完成的线圈封装在磁性材料中，并压制成电感器。但传统的Fe
‑
Si合金以及纯铁粉由于受材料本身磁导率等诸多限制，在封装较小尺寸的电感时，为达到感值的要求，往往存在高DCR、低饱和电流等缺点，导致DC
‑
DC(直流
‑
直流)转化效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是：一种多层纳米晶电感器及其制备方法，使电感器具有低直流电阻以及低温升特性，提高电感器性能。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：
[0005]一种多层纳米晶电感器的制备方法，包括步骤：
[0006]将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板；
[0007]在所述磁性复合基板上涂敷磁性流延浆料，形成线圈图案区域；
[0008]对所述线圈图案区域进行电镀，形成线圈图案；
[0009]在所述线圈图案的预设打孔位置进行打孔，并贯穿所述磁性复合基板形成导电通孔，得到单层线圈线路板；
[0010]将多组所述单层线圈线路板以预设顺序压合形成多层电感器。
[0011]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的另一技术方案为：
[0012]一种多层纳米晶电感器，由包括上述的一种多层纳米晶电感器的制备方法制备而成。
[0013]本专利技术的有益效果在于：通过将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板，从而能够通过调节纳米晶磁性碎片的大小，对纳米晶磁性材料的相对磁导率进行调节，并将具备高磁导率的纳米晶软磁材料制备成多层电感器，相对于传统的电感器可以减少线圈的匝数，从而降低电感器的直流电阻，以及降低电流负载下电感器的温升；同时，由于纳米晶材料具备较高屏蔽效应，还能够降低材料的散磁通并减少电路噪声，达到提高电感器性能的效果。
附图说明
[0014]图1为本专利技术实施例中的一种多层纳米晶电感器的制备方法的步骤流程图；
[0015]图2本专利技术实施例中的一种多层纳米晶电感器的制备方法中磁性复合基板的结构示意图；
[0016]图3本专利技术实施例中的一种多层纳米晶电感器的制备方法中磁性复合基板的侧视图；
[0017]图4本专利技术实施例中的一种多层纳米晶电感器的制备方法中与步骤S2对应的结构示意图；
[0018]图5本专利技术实施例中的一种多层纳米晶电感器的制备方法中与步骤S3对应的结构示意图；
[0019]图6本专利技术实施例中的一种多层纳米晶电感器的制备方法中与步骤S4对应的结构示意图；
[0020]图7本专利技术实施例中的一种多层纳米晶电感器的结构示意图；
[0021]标号说明：
[0022]100、磁性复合基板；101、纳米晶磁性材料；102、衬底胶材料；103、纳米晶磁性材料空隙；200、磁性流延浆料；300、线圈图案；400、导电通孔。
具体实施方式
[0023]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0024]请参照图1，一种多层纳米晶电感器的制备方法，包括步骤：
[0025]将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板；
[0026]在所述磁性复合基板上涂敷磁性流延浆料，形成线圈图案区域；
[0027]对所述线圈图案区域进行电镀，形成线圈图案；
[0028]在所述线圈图案的预设打孔位置进行打孔，并贯穿所述磁性复合基板形成导电通孔，得到单层线圈线路板；
[0029]将多组所述单层线圈线路板以预设顺序压合形成多层电感器。
[0030]由上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：通过将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板，从而能够通过调节纳米晶磁性碎片的大小，对纳米晶磁性材料的相对磁导率进行调节，并将具备高磁导率的纳米晶软磁材料制备成多层电感器，相对于传统的电感器可以减少线圈的匝数，从而降低电感器的直流电阻，以及降低电流负载下电感器的温升；同时，由于纳米晶材料具备较高屏蔽效应，还能够降低材料的散磁通并减少电路噪声，达到提高电感器性能的效果。
[0031]进一步地，所述将纳米晶磁性材料与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板包括：
[0032]以500
‑
700℃的温度条件对所述纳米晶磁性材料进行退火处理；
[0033]将经过退火处理后的所述纳米晶磁性材料进行破碎；
[0034]以120
‑
200℃的温度条件对所述衬底胶材料进行软化处理；
[0035]将经过软化处理后的所述衬底胶材料通过挤压的方式填充至破碎后的所述纳米晶磁性材料的空隙中，形成所述磁性复合基板。
[0036]由上述描述可知，通过以500
‑
700℃的温度条件对纳米晶磁性材料进行退火处理起到稳定尺寸、消除缺陷的效果，而后再对纳米晶磁性材料进行破碎处理，从而提高纳米晶
磁性材料的破碎效果，利于调节纳米晶磁性材料的相对磁导率；并将衬底胶材料进行软化处理后再填充至破碎后的纳米晶磁性材料的空隙中，使得纳米晶磁性材料与衬底胶材料充分结合，使结构更加稳定。
[0037]进一步地，所述衬底胶材料包括聚氨酯类、聚酰胺类、乙烯类、醋酸乙烯类、聚乳酸类和聚酯酰胺类中的一种或多种。
[0038]由上述描述可知，采用聚氨酯类、聚酰胺类、乙烯类、醋酸乙烯类、聚乳酸类和聚酯酰胺类中的一种或多种材料作为衬底胶材料，提高衬底胶材料选材的多样性，并且也使得衬底胶材料更容易制备。
[0039]进一步地，所述将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板包括：
[0040]根据待生成的所述磁性复合基板位于所述电感器的层级次序，调整所述纳米晶磁性材料的磁导率。
[0041]由上述描述可知，根据待生成的磁性复合基板所属的层级，调整所述纳米晶磁性材料的磁导率，能够降低纳米晶磁性材料与磁性流延浆料之间的耦合问题，提高电感器的性能。
[0042]进一步地，所述在所述磁性复合基板上涂敷磁性流延浆料，形成线圈图案区域包括：
[0043]将磁性材料与胶粘剂混合形成所述磁性流延浆料；
[0044]将所述磁性流延浆料通过丝网印刷或喷涂的方式在所述磁性复合基板上形成所述线圈图案区域。
[0045]由上述描述可知，通过将磁性材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层纳米晶电感器的制备方法，其特征在于，包括步骤：将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板；在所述磁性复合基板上涂敷磁性流延浆料，形成线圈图案区域；对所述线圈图案区域进行电镀，形成线圈图案；在所述线圈图案的预设打孔位置进行打孔，并贯穿所述磁性复合基板形成导电通孔，得到单层线圈线路板；将多组所述单层线圈线路板以预设顺序压合形成多层电感器。2.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法，其特征在于，所述将纳米晶磁性材料与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板包括：以500
‑
700℃的温度条件对所述纳米晶磁性材料进行退火处理；将经过退火处理后的所述纳米晶磁性材料进行破碎；以120
‑
200℃的温度条件对所述衬底胶材料进行软化处理；将经过软化处理后的所述衬底胶材料通过挤压的方式填充至破碎后的所述纳米晶磁性材料的空隙中，形成所述磁性复合基板。3.根据权利要求2所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法，其特征在于，所述衬底胶材料包括聚氨酯类、聚酰胺类、乙烯类、醋酸乙烯类、聚乳酸类和聚酯酰胺类中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法，其特征在于，所述将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合，形成磁性复合基板包括：根据待生成的所述磁性复合基板位于所述电感器的层级次序，调整所述纳米晶磁性材料的磁导率。5.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法，其特征在于，所述在所述磁性...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘开煌，高鹏，杨雪薇，虞成城，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：