磁耦隔离器制造技术

本申请公开了一种磁耦隔离器，涉及信号传输技术领域。该磁耦隔离器包括CMOS芯片、第一绝缘层、多个导电连接体和多个金属线圈。第一绝缘层位于CMOS芯片与多个金属线圈之间。多个导电连接体均贯穿第一绝缘层。多个金属线圈通过多个导电连接体与CMOS芯片的多个连接端一一连接，且CMOS芯片的多个连接端相互短接。在磁耦隔离器工作时，多个金属线圈可以同时作为变压器的初级线圈或次级线圈工作，从而可以提高信号的传输速率。高信号的传输速率。高信号的传输速率。

【技术实现步骤摘要】
磁耦隔离器


[0001]本申请涉及信号传输
，特别涉及一种磁耦隔离器。

技术介绍

[0002]磁耦隔离器是一种数字信号隔离器件。磁耦隔离器是指利用电磁感应(也称磁电感应)原理把需要传输的变化信号加在变压器的初级线圈，从而使初级线圈产生变化的磁场。变压器的次级线圈在变化的磁场内发生磁电感应，并输出电信号。在此过程中，由于变压器的初级线圈与次级线圈之间没有电连接，因此可以达到信号隔离的目的。
[0003]相关技术中，磁耦隔离器通常包括CMOS芯片、线圈和绝缘层，绝缘层位于CMOS芯片与线圈之间。线圈通过绝缘层与CMOS芯片的连接端连接，以使线圈与CMOS芯片之间可以进行电信号的传输。这里的线圈可以作为初级线圈，也可以作为次级线圈。然而，相关技术中，磁耦隔离器传输信号的速率较慢。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种磁耦隔离器，可以解决相关技术中磁耦隔离器传输信号的速率较慢的问题。所述技术方案如下：
[0005]第一方面，提供了一种磁耦隔离器，包括互补金属氧化物半导体CMOS芯片、第一绝缘层、多个导电连接体和多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁耦隔离器，其特征在于，包括互补金属氧化物半导体CMOS芯片、第一绝缘层、多个导电连接体和多个金属线圈；所述CMOS芯片具有多个连接端，所述CMOS芯片的多个连接端相互短接；所述第一绝缘层覆盖所述CMOS芯片，且所述第一绝缘层具有多个第一开孔，所述多个第一开孔用于一一暴露所述CMOS芯片的多个连接端，所述第一绝缘层具有远离所述CMOS芯片的第一表面；所述多个导电连接体一一位于所述多个第一开孔内，且所述多个导电连接体的第一端与所述CMOS芯片的多个连接端一一连接；所述多个金属线圈均位于所述第一表面上，且所述多个金属线圈与所述多个导电连接体的第二端一一连接，所述多个金属线圈均用于电磁感应，所述CMOS芯片用于输出电信号至所述多个金属线圈，或接收所述多个金属线圈输出的电信号。2.如权利要求1所述的磁耦隔离器，其特征在于，所述第一绝缘层包括间隔层叠的聚酰亚胺膜层和二氧化硅膜层。3.如权利要求2所述的磁耦隔离器，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一膜层、第二膜层和第三膜层；所述第一膜层覆盖所述CMOS芯片，所述第二膜层位于所述第一膜层远离所述CMOS芯片的表面上，所述第三膜层位于所述第二膜层远离所述第一膜层的表面上，所述多个金属线圈均位于所述第三膜层远离第二膜层的表面上；所述第一膜层和所述第三膜层均为所述聚酰亚胺膜层，所述第二膜层为所述二氧化硅膜层。4.如权利要求1至3任...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐兴达，李星毅，陈富荣，张浩，徐世佼，鲁艳春，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：