显示装置的制备方法、显示装置及电子设备制造方法及图纸

技术编号:35455881 阅读:15 留言:0更新日期:2022-11-03 12:13
本发明专利技术公开了一种显示装置的制备方法、显示装置及电子设备,该制备方法包括:提供衬底,衬底上设有阵列排布的多个发光二极管;对衬底上的发光二极管进行检测,若检测出异常,将异常的发光二极管标记为异常二极管;选择多个发光二极管中的部分发光二极管,部分发光二极管中,各发光二极管所在的位置为第一位置;若选择的位于第一位置的多个发光二极管中包括异常二极管,则将位于异常二极管任一侧的正常的发光二极管标记为替代二极管,替代二极管的所在位置为第二位置;转移位于第一位置的正常的发光二极管以及替代二极管至驱动背板,并与驱动背板上的驱动电路连接。该制备方法能够避免将异常二极管转移至驱动背板上,从而减少后期修补过程的耗时。修补过程的耗时。修补过程的耗时。

【技术实现步骤摘要】
显示装置的制备方法、显示装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及发光显示
,尤其涉及一种显示装置的制备方法、显示装置及电子设备。

技术介绍

[0002]在制造显示装置的过程中,需要将发光二极管通过巨量转移技术转移至驱动背板,并与驱动背板上的驱动电路相键合连接。然而,由于发光二极管自身的本体异常或发光二极管与驱动电路之间的键合连接异常,会导致制造得到的显示装置中,存在无法正常发光的发光二极管。为了提升显示装置的显示效果,在制造得到显示装置后,往往还需要对发光二极管进行检测,并单颗修补、替换异常的发光二极管。该修补过程耗时长,修补效率低下且修补成本高。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例公开了一种显示装置的制备方法、显示装置及电子设备,能够减少后期修补过程的耗时,提高生产效率和降低修补成本。
[0004]为了实现上述目的,本专利技术公开了一种显示装置的制备方法,包括:
[0005]提供衬底,所述衬底上设有阵列排布的多个发光二极管;
[0006]对所述衬底上的所述发光二极管进行检测,若检测出异常,将异常的所述发光二极管标记为异常二极管;
[0007]选择多个所述发光二极管中的部分所述发光二极管,部分所述发光二极管中,各所述发光二极管所在的位置为第一位置;
[0008]若选择的位于所述第一位置的多个所述发光二极管中包括所述异常二极管,则将位于所述异常二极管任一侧的正常的所述发光二极管标记为替代二极管,所述替代二极管的所在位置为第二位置;
[0009]转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管以及所述替代二极管至驱动背板,并与所述驱动背板上的驱动电路连接。
[0010]作为一种可选的实施方式,在本专利技术的实施例中,位于所述第一位置的多个所述发光二极管阵列设置,位于所述第二位置的所述替代二极管与位于所述第一位置的所述异常二极管位于同一列或同一行。
[0011]作为一种可选的实施方式,在本专利技术的实施例中,所述第二位置与所述第一位置相邻设置。
[0012]作为一种可选的实施方式,在本专利技术的实施例中,所述驱动电路具有多个主区域和与所述主区域对应的多个备用区域;
[0013]所述转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管以及所述替代二极管至所述驱动背板,并与所述驱动背板上的所述驱动电路连接,包括:
[0014]转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管至所述主区域并键合于对应的
所述主区域,以及,转移所述替代二极管至所述备用区域或与所述异常二极管对应的所述主区域,并键合于所述备用区域或与所述异常二极管对应的所述主区域。
[0015]作为一种可选的实施方式,在本专利技术的实施例中,所述主区域与所述第一位置对应设置,所述备用区域与所述第二位置对应设置;
[0016]所述转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管至所述主区域并键合于对应的所述主区域,以及,转移所述替代二极管至所述备用区域或所述异常二极管对应的所述主区域,并键合于所述备用区域或所述异常二极管对应的所述主区域,包括:
[0017]转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管至所述主区域并键合于所述主区域,以及,转移位于所述第二位置的所述替代二极管至所述备用区域并键合于所述备用区域,以使对应于所述第一位置的所述异常二极管的所述主区域空出。
[0018]作为一种可选的实施方式,在本专利技术的实施例中,所述衬底上的多个所述发光二极管等距阵列排布,所述替代二极管与被替代的所述异常二极管相邻设置,且所述替代二极管与被替代的所述异常二极管之间的距离为a1,位于所述第一位置的发光二极管至与其相邻的所述第一位置的所述发光二极管之间的距离为a2,a2≥2a1;和/或,
[0019]所述主区域、所述备用区域阵列排布,相邻的两个所述主区域之间的距离为a3,a1≤a3≤a2。
[0020]作为一种可选的实施方式,在本专利技术的实施例中,所述驱动电路包括多对正电极以及负电极,所述正电极与所述负电极均为长条状;
[0021]一对所述正电极与所述负电极相平行且间隔设置,沿所述正电极以及所述负电极的长度延伸方向上形成有多个电连接区域,其中一个所述电连接区域为所述主区域,剩余的所述电连接区域为所述备用区域。
[0022]作为一种可选的实施方式,在本专利技术的实施例中,在所述若选择的位于所述第一位置的多个所述发光二极管中包括所述异常二极管,则将位于所述异常二极管任一侧的正常的所述发光二极管标记为所述替代二极管,所述替代二极管的所在位置为所述第二位置之后,以及,所述转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管以及所述替代二极管至所述驱动背板,并与所述驱动背板上的所述驱动电路连接之前,所述方法还包括:
[0023]通过激光解离方式将位于所述第一位置的所述正常的发光二极管以及所述替代二极管自所述衬底剥离。
[0024]本专利技术还公开了一种显示装置,所述显示装置采用如上文所述的显示装置的制备方法制备得到。
[0025]本专利技术还公开了一种电子设备,包括如上文所述的显示装置。
[0026]与现有技术相比,本专利技术的有益效果在于:
[0027]本专利技术实施例提供的显示装置的制备方法、显示装置及电子设备,通过在转移发光二极管之前,先对发光二极管进行检查,以检测出具有本体异常的发光二极管,并在转移时,选择位于第一位置上的异常二极管的一侧的正常的发光二极管为替代二极管,以代替该异常二极管转移至驱动背板,从而避免了将具有本体异常的异常二极管转移至驱动背板上,能够实现减少驱动背板上存在异常二极管的数量的效果。从而,能够减少后期修补过程的耗时,以提升显示装置的总生产效率,降低显示装置的总生产成本。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是本申请实施例公开的电子设备的结构示意图;
[0030]图2是本申请实施例公开的显示装置的制备方法的一种流程图;
[0031]图3是本申请实施例公开的衬底以及形成于衬底上的发光二极管的结构示意图;
[0032]图4是本申请实施例公开的衬底以及形成于衬底上的发光二极管(示出第一位置以及第二位置)的结构示意图;
[0033]图5是本申请实施例公开的显示装置的制备方法的另一种流程图;
[0034]图6是本申请实施例公开的驱动背板上键合连接有发光二极管的结构示意图;
[0035]图7是本申请实施例公开的驱动背板的正电极以及负电极的结构示意图;
[0036]图8是本申请实施例公开的显示装置的结构示意图。
[0037]主要附图标记说明
[0038]显示装置1;衬底10;发光二极管11;异常二极管110;替代二极管111;红光二极管11a;绿本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供衬底,所述衬底上设有阵列排布的多个发光二极管;对所述衬底上的所述发光二极管进行检测,若检测出异常,将异常的所述发光二极管标记为异常二极管;选择多个所述发光二极管中的部分所述发光二极管,部分所述发光二极管中,各所述发光二极管所在的位置为第一位置;若选择的位于所述第一位置的多个所述发光二极管中包括所述异常二极管,则将位于所述异常二极管任一侧的正常的所述发光二极管标记为替代二极管,所述替代二极管的所在位置为第二位置;转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管以及所述替代二极管至驱动背板,并与所述驱动背板上的驱动电路连接。2.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法,其特征在于,位于所述第一位置的多个所述发光二极管阵列设置,位于所述第二位置的所述替代二极管与位于所述第一位置的所述异常二极管位于同一列或同一行。3.根据权利要求2所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述第二位置与所述第一位置相邻设置。4.根据权利要求1

3任一项所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述驱动电路具有多个主区域和与所述主区域对应的多个备用区域;所述转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管以及所述替代二极管至所述驱动背板,并与所述驱动背板上的所述驱动电路连接,包括:转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管至所述主区域并键合于对应的所述主区域,以及,转移所述替代二极管至所述备用区域或与所述异常二极管对应的所述主区域,并键合于所述备用区域或与所述异常二极管对应的所述主区域。5.根据权利要求4所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述主区域与所述第一位置对应设置,所述备用区域与所述第二位置对应设置;所述转移位于所述第一位置的正常的所述发光二极管至所述主区域并键合于对应的所述主区域,以及,转移所述替代二极管至所述备用区域或所述异常二极管对应的所述主区域,并键合于所述备用区域或所述异常二极管对应的...

【专利技术属性】
技术研发人员:柳铭岗李佳育刘时珍
申请(专利权)人:闻泰通讯股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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