一种芯片的封装方法及封装芯片技术

本申请公开了一种芯片的封装方法及封装芯片，其中，芯片的分子方法包括：提供载板和芯片；其中，所述芯片的一侧表面设有芯片焊盘；将所述芯片远离所述芯片焊盘的一侧表面贴合于所述载板的至少一侧表面上；利用塑封料对所述芯片进行一次封装，并露出所述芯片焊盘；在所述芯片焊盘表面制作第一铜层；利用塑封料对所述芯片进行二次封装，并露出所述第一铜层；在所述第一铜层表面制作扇出焊盘，以完成对所述芯片的封装。通过上述方法，减小对芯片焊盘的损伤。损伤。损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的封装方法及封装芯片


[0001]本申请涉及线路板
，特别是一种芯片的封装方法及封装芯片。

技术介绍

[0002]随着电子装置设备的集成度越来越高，半导体封装领域提出了系统级封装(System
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in
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Package，SIP)，SIP封装是一种将芯片、基底都封装在一起的技术。
[0003]随着电子产品向小型化、集成化、普及化发展，对于电子产品内部所使用到的芯片也随之小型化。FOPLP(扇出型封装)技术作为先进封装的一种，在芯片封装中得到大规模的应用。
[0004]但是目前的FOPLP封装技术还是对芯片进行整板封装，然后再芯片焊盘位置处进行开槽，以露出芯片焊盘，再在芯片焊盘表面制作引脚，以将芯片焊盘引出，通过这种方式对芯片进行封装容易导致芯片表面的焊盘被损伤，且不利于小芯片小焊盘的焊接，焊接过程中对芯片焊盘的对位要求较高。

技术实现思路

[0005]本申请提出了一种芯片的封装方法及封装芯片，以减小对芯片焊盘的损伤。
[0006]为解决上述技术问题，本申请提供了一种芯片的封装方法，所述封装方法包括：
[0007]提供载板和芯片；其中，所述芯片的一侧表面设有芯片焊盘；将所述芯片远离所述芯片焊盘的一侧表面贴合于所述载板的至少一侧表面上；利用塑封料对所述芯片进行一次封装，并露出所述芯片焊盘；在所述芯片焊盘表面制作第一铜层；利用塑封料对所述芯片进行二次封装，并露出所述第一铜层；在所述第一铜层表面制作扇出焊盘，以完成对所述芯片的封装。
[0008]优选的，所述在所述芯片焊盘表面制作第一铜层的步骤，包括：利用全板电镀工艺在所述塑封料和所述芯片焊盘表面电镀所述第一铜层；利用图形蚀刻工艺对所述第一铜层进行蚀刻，保留所述芯片焊盘表面的所述第一铜层。
[0009]优选的，所述在所述第一铜层表面制作扇出焊盘的步骤，包括：利用全板电镀工艺在所述塑封料和所述第一铜层表面电镀第二铜层；利用图形蚀刻工艺对所述第二铜层进行蚀刻，保留所述第一铜层表面及周围的所述第二铜层，以形成所述扇出焊盘。
[0010]优选的，所述第一铜层的厚度为20微米，所述第二铜层的厚度为35微米。
[0011]优选的，所述利用塑封料对所述芯片进行一次封装，并露出所述芯片焊盘的步骤，包括：利用塑封料填充所述芯片的表面，形成与芯片焊盘等高的第一塑封层，以使所述芯片焊盘露出。
[0012]优选的，所述利用塑封料对所述芯片进行二次封装，并露出所述第一铜层的步骤，包括：利用所述塑封料对所述芯片进行二次填充，并形成与所述第一铜层等高的第二塑封层，以使所述第一铜层露出。
[0013]优选的，所述将所述芯片远离所述芯片焊盘的一侧表面贴合于所述载板的至少一
侧表面上的步骤之前，包括：在所述载板表面压合一层铜箔层；其中，所述铜箔层厚度为1盎司；所述将所述芯片远离所述芯片焊盘的一侧表面贴合于所述载板的至少一侧表面上的步骤，包括：利用银胶将所述芯片焊接到所述载板表面的所述铜箔层上。
[0014]优选的，所述将所述芯片远离所述芯片焊盘的一侧表面贴合于所述载板的至少一侧表面上的步骤，包括：在所述载板的相对两侧表面分别贴合所述芯片；所述在所述芯片焊盘表面制作扇出焊盘，以完成所述芯片的封装的步骤之后，包括：利用分板工艺将所述载板从中间分离，以形成两个封装芯片。
[0015]为解决上述技术问题，本申请提供了一种封装芯片，所述封装芯片包括：载板；芯片，所述芯片的一侧表面设有芯片焊盘，所述芯片远离所述芯片焊盘的一侧表面焊接于所述载板的至少一侧表面；第一塑封层，覆盖于所述芯片表面，并露出所述芯片焊盘；第二塑封层，覆盖于所述第一塑封层表面；扇出焊盘，包括第一铜层和第二铜层，所述第一铜层覆盖于所述芯片焊盘表面，所述第二铜层覆盖于所述第一铜层表面。
[0016]优选的，所述第二铜层覆盖于所述第一铜层表面及部分所述第二塑封层表面。
[0017]本申请的有益效果是：通过将芯片远离芯片焊盘的一侧表面贴合于载板的表面上，利用塑封料对芯片进行一次封装，露出芯片焊盘，并在芯片焊盘表面制作第一铜层，利用塑封料对芯片进行二次封装，并露出第一铜层，在第一铜层表面制作扇出焊盘，以完成对芯片的封装，并将芯片表面的芯片焊盘通过扇出焊盘转移到封装组件的表面，从而引出芯片焊盘，避免了通过开窗/开槽工艺在芯片焊盘表面进行开槽造成对芯片焊盘的损伤，利于小芯片小焊盘的制作。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本申请芯片的封装方法一实施例的流程示意图；
[0020]图2为本申请芯片封装方法的另一实施例的流程示意图；
[0021]图3a为本申请载板一实施方式的结构示意图；
[0022]图3b为图2中S22一实施方式的结构示意图；
[0023]图3c为图2中S23一实施方式的结构示意图；
[0024]图3d为图2中S24一实施方式的结构示意图；
[0025]图3e为图2中S25一实施方式的结构示意图；
[0026]图3f为图2中S26一实施方式的结构示意图；
[0027]图3g为图2中S27一实施方式的结构示意图；
[0028]图3h为图2中S28一实施方式的结构示意图；
[0029]图4为本申请封装芯片一实施例的结构示意图；
[0030]图5为本申请封装芯片另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种，但是不排除包含至少一种的情况。
[0033]应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0034]应当理解，本文中使用的术语“包括”、“包含”或者其他任何变化意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供载板和芯片；其中，所述芯片的一侧表面设有芯片焊盘；将所述芯片远离所述芯片焊盘的一侧表面贴合于所述载板的至少一侧表面上；利用塑封料对所述芯片进行一次封装，并露出所述芯片焊盘；在所述芯片焊盘表面制作第一铜层；利用塑封料对所述芯片进行二次封装，并露出所述第一铜层；在所述第一铜层表面制作扇出焊盘，以完成对所述芯片的封装。2.根据权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述在所述芯片焊盘表面制作第一铜层的步骤，包括：利用全板电镀工艺在所述塑封料和所述芯片焊盘表面电镀所述第一铜层；利用图形蚀刻工艺对所述第一铜层进行蚀刻，保留所述芯片焊盘表面的所述第一铜层。3.根据权利要求2所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述在所述第一铜层表面制作扇出焊盘的步骤，包括：利用全板电镀工艺在所述塑封料和所述第一铜层表面电镀第二铜层；利用图形蚀刻工艺对所述第二铜层进行蚀刻，保留所述第一铜层表面及周围的所述第二铜层，以形成所述扇出焊盘。4.根据权利要求3所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述第一铜层的厚度为20微米，所述第二铜层的厚度为35微米。5.根据权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述利用塑封料对所述芯片进行一次封装，并露出所述芯片焊盘的步骤，包括：利用塑封料填充所述芯片的表面，形成与芯片焊盘等高的第一塑封层，以使所述芯片焊盘露出。6.根据权利要求1所述的芯片的封装方法，其特征在于，所述利用塑封料对所述芯片进...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷云，钟仕杰，宋关强，李俞虹，刘德波，
申请(专利权)人：天芯互联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：