一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统技术方案

本发明专利技术属于晶圆清洗技术领域，尤其是一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统，包括废液再生沉淀储存机构，所述废液再生沉淀储存机构的一侧设置有废液分离过滤机构。该半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统，通过设置废液再生沉淀储存机构、废液分离过滤机构和再生液浓度调节控制机构，在使用时，晶圆清洗后的废液流入沉淀室内经过沉淀后，进入分离筒内，进行分离过滤，然后进入搅拌桶内进行浓度检测，并在浓度不达标时，自动进行搅拌配比，具有在线连续对废液进行再生处理的特点，从而解决了现有的晶圆清洗液都是将废液回收集中后，再重新过滤，配比再使用,存在废液再利用效率较低，且废液再生过程复杂，大大增加企业生产成本的问题。本的问题。本的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统


[0001]本专利技术涉及晶圆清洗
，尤其涉及一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统。

技术介绍

[0002]晶圆清洗现有技术中显示多数是采用化学品的浸泡或者喷洒去除脏污的工艺，其主要目的是清除晶圆表面的污染物，例如微尘颗粒、有机物、无机物以及金属离子等杂质，其中以微尘颗粒的固体杂质最明显，这些固体杂质以沉淀或悬浮又或漂浮的状态存在与废液中，而直接回收再利用，显然这些废液中的固体杂质在晶圆高速转动所产生的离心力以及超声波的作用下，将直接对晶圆的表面造成不可逆转的损伤。
[0003]现有的晶圆清洗液很多都是将废液回收集中后，再重新过滤，配比再使用，期间，需要经过废液的集中收集、转运、过滤、配比、封存等步骤后，最后再重新送入车间使用，这样不仅存在废液再利用效率较低的问题，尤其其内部带有挥发性化学试剂，时间一长，极易造成更多的挥发，这给重新配置新的清洗液带来不必要的浪费，而且随着时间延长以及回收步骤增加而成反比，给回收再利用率造成极大的阻碍，大大增加企业生产成本，所以需要一种半导体基材清洗工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统，其特征在于：包括废液再生沉淀储存机构（1），所述废液再生沉淀储存机构（1）的一侧设置有废液分离过滤机构（2），所述废液分离过滤机构（2）的一侧设置有再生液浓度调节控制机构（3）；其中，废液再生沉淀储存机构（1）用于对废液进行沉淀和再生液进行存储；其中，废液分离过滤机构（2）用于对沉淀后的废液进行分离过滤；其中，再生液浓度调节控制机构（3）用于对再生液进行浓度调节控制。2.根据权利要求1所述的一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统，其特征在于：所述废液再生沉淀储存机构（1）包括废液再生箱（101），所述废液再生箱（101）的内壁通过分隔板分别设置有沉淀室（102）和再生液存储室（103）。3.根据权利要求2所述的一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统，其特征在于：所述沉淀室（102）的内壁固定连通有废液回流管（104），所述废液回流管（104）的一端贯穿并延伸至沉淀室（102）的表面，所述再生液存储室（103）的内底壁固定安装有清洗泵（105），所述清洗泵（105）的输出端固定连通有清洗管（106），所述清洗管（106）的一端贯穿并延伸至废液再生箱（101）的表面。4.根据权利要求3所述的一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统，其特征在于：所述沉淀室（102）的内壁分别设置有第一沉淀槽（107）、第二沉淀槽（108）和废液处理槽（109），所述第一沉淀槽（107）高于第二沉淀槽（108），所述第二沉淀槽（108）高于废液处理槽（109）；所述废液处理槽（109）内固定安装有废液分离处理泵（110），所述废液分离处理泵（110）的表面套接有过滤网罩（111），所述废液分离处理泵（110）的输出端固定连通有分离输入管（112）。5.根据权利要求4所述的一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统，其特征在于：所述废液分离过滤机构（2）包括分离处理桶（201），所述分离处理桶（201）的内壁插接有密封挡罩（202），所述密封挡罩（202）的表面呈圆锥形状，所述分离输入管（112）的一端贯穿密封挡罩（202）并延伸至分离处理桶（201）的内壁；所述分离处理桶（201）的内壁固定连接有固定支架（203），所述固定支架（203）的表面通过轴承转动连接有转动轴（204），所述转动轴（204）的一端固定连接有分离筒（205），所述分离筒（205）的内壁呈圆锥形状。6.根据权利要求5所述的一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系统，其特征在于：所述分离处理桶（201）的内壁固定连接有密封环（206），所述密封环（206）的内壁与分离筒（205）的表面滑动连接，所述分离筒（205）的表面、密封环（206）的表面和分离处理桶（201）的内壁设置有颗粒物收集腔（207），所述颗粒物收集腔（207）的内壁固定连通有溅液收集管（208），所述溅液收集管（208）的一端贯穿并延伸至分离处理桶（201）的表面；所述溅液收集管（208）的一端固定连通有溅液收集箱（209），所述溅液收集箱（209）的内部分别设置有溅液沉淀一槽（210）、溅液沉淀二槽（211）和溅液沉淀三槽（212），所述溅液沉淀一槽（210）高于溅液沉淀二槽（211），所述溅液沉淀二槽（211）高于溅液沉淀三槽（212），所述溅液沉淀三槽（212）高于溅液回流槽（213）；所述溅液回流槽（213）的内壁固定安装有溅液回流泵（214），所述溅液回流泵（214）的输出端固定连通有溅液回流管（215），所述溅液回流管（215）的一端贯穿并延伸至分离输入
管（112）内。7.根据权利要求6所述的一种半导体基材清洗工艺药液循环再利用系...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵天翔，万帮勇，
申请(专利权)人：智程半导体设备科技昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：