【技术实现步骤摘要】
一种电致发光器件
[0001]本专利技术涉及电子器件,例如电致发光器件。更特别地,涉及一种在有机层中包含具有式1a结构的第一化合物和具有式2配体结构的第二化合物的新型材料组合的电致发光器件和包含该电致发光器件的显示组件,以及具有式1a结构的第一化合物和具有式2配体结构的第二化合物的化合物组合。
技术介绍
[0002]有机电子器件包括但是不限于下列种类:有机发光二极管(OLEDs),有机场效应晶体管(O
‑
FETs),有机发光晶体管(OLETs),有机光伏器件(OPVs),染料
‑
敏化太阳能电池(DSSCs),有机光学检测器,有机光感受器,有机场效应器件(OFQDs),发光电化学电池(LECs),有机激光二极管和有机电浆发光器件。
[0003]1987年,伊斯曼柯达的Tang和Van Slyke报道了一种双层有机电致发光器件,其包括芳基胺空穴传输层和三
‑8‑
羟基喹啉
‑
铝层作为电子传输层和发光层(Applied Physics Letters,1987,51(12):913
‑
915)。一旦加偏压于器件,绿光从器件中发射出来。这个专利技术为现代有机发光二极管(OLEDs)的发展奠定了基础。最先进的OLEDs可以包括多层,例如电荷注入和传输层,电荷和激子阻挡层,以及阴极和阳极之间的一个或多个发光层。由于OLEDs是一种自发光固态器件,它为显示和照明应用提供了巨大的潜力。此外,有机材料的固有特性,例如它们的柔韧性,可以使它们 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件,其包括:阳极,阴极,以及设置在阳极与阴极之间的有机层,其中所述有机层至少包含第一化合物和第二化合物;所述第一化合物具有由式1a表示的结构:在式1a中,A1‑
A
10
各自独立地选自C,CR
A
或N;且A1‑
A
10
中的3个是C;其中2个C是相邻的,且与由式1b表示的结构连接;另一个C与由式1c表示的结构连接:*分别表示式1b与式1a连接的位置,以及式1c与式1a连接的位置;Ar选自取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,或其组合;L选自单键,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的亚芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的亚杂芳基,或其组合;V选自NR2、O或S;R
A
,R1,R2每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子数的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R
A
,R1和R2能任选地连接形成环;所述第二化合物为金属配合物,其包含配体L
a
,L
a
具有由式2表示的结构:
在式2中,环A和环B各自独立地选自五元不饱和碳环,具有6
‑
30个碳原子的芳环或具有3
‑
30个碳原子的杂芳环;R
d
、R
e
每次出现时相同或不同地表示单取代,多取代,或无取代;Y选自SiR
y
R
y
,GeR
y
R
y
,NR
y
,PR
y
,O,S或Se;当同时存在两个R
y
时,两个R
y
可以相同或不同;X1‑
X2每次出现时相同或不同地选自CR
x
或N;R、R
d
、R
e
、R
x
和R
y
每次出现时相同或不同地选自以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R
d
、R
x
、R
y
、R和R
e
能任选地连接形成环;所述金属选自相对原子质量大于40的金属。2.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述第一化合物具有式1a
‑
1至式1a
‑
6之一表示的结构:在式1a
‑
1至式1a
‑
6中,A1‑
A
10
每次出现时相同或不同地选自C,CR
A
或N;且A1‑
A
10
中的1个是C,且与由式1c表示的结构连接,式1c同权利要求1中所述;V选自NR2、O或S;R
A
,R1,R2每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的
具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子数的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R
A
,R1和R2能任选地连接形成环。3.如权利要求2所述的电致发光器件,所述式1a
‑
1至式1a
‑
6中的V选自O或S;优选地,所述式1a
‑
1至式1a
‑
6中的V为O。4.如权利要求1
‑
3中任一项所述的电致发光器件,其中所述R
A
,R1和R2每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,氰基,羟基,巯基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,及其组合;优选地,其中所述R
A
,R1和R2每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,氟,氰基,羟基,巯基,甲基,三氘代甲基,乙烯基,苯基,联苯基,萘基,4
‑
氰基苯基,二苯并呋喃基,二苯并噻吩基,三亚苯基,咔唑基,9
‑
苯基咔唑基,9,9
‑
二甲基芴基,吡啶基,苯基吡啶基,及其组合。5.如权利要求1
‑
4中任一项所述的电致发光器件,其中所述式1c中的Ar具有式1c
‑
1至式1c
‑
3之一表示的结构:其中,在式1c
‑
1中,B1‑
B6每次出现时相同或不同地选自C、CR
B
或N;在式1c
‑
2中,B1‑
B8每次出现时相同或不同地选自C、CR
B
或N;在式1c
‑
3中,B1‑
B8每次出现时相同或不同地选自C、CR
B
或N;G选自CR
g
R
g
,SiR
g
R
g
,NR
g
,BR
g
,PR
g
,O,S或Se;当同时存在两个R
g
时,两个R
g
可以相同或不同;R
B
,R
g
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,及其组合;“︴”表示所述Ar结构与式1c中所述L连接的位置;
相邻的取代基R
B
和R
g
能任选地连接形成环。6.如权利要求5所述的电致发光器件,其中所述式1c中的Ar具有式1c
‑
11至式1c
‑
20之一表示的结构:在式1c
‑
11至式1c
‑
20中,B1‑
B
n
每次出现时相同或不同地选自CR
B
或N;所述B
n
对应所述B1‑
B
12
在式1c
‑
11至式1c
‑
20任一个中所存在的序号最大者,G每次出现时相同或不同地选自CR
g
R
g
,SiR
g
R
g
,NR
g
,BR
g
,PR
g
,O,S或Se;当同时存在两个R
g
时,两个R
g
可以相同或不同;R
B
,R
g
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,及其组合;“︴”表示所述Ar结构与式1c中所述L连接的位置;相邻的取代基R
B
和R
g
能任选地连接形成环;优选地,在式1c
‑
11中,B1、B3、B5中至少有一个是N,其余各自独立地选自CR
B
或N;式1c
‑
12至1c
‑
20中B1‑
B
n
中至少有一个是N,所述B
n
对应所述B1‑
B
12
在式1c
‑
12至式1c
‑
20任一个中所存在的序号最大者,其余各自独立地选自CR
B
或N;更优选地,在式1c
‑
11中,B1、B3、B5中有两个或三个是N,其余各自独立地选自CR
B
;式1c
‑
12至1c
‑
20中B1‑
B
n
中至少有两个是N,所述B
n
对应所述B1‑
B
12
在式1c
‑
12至式1c
‑
20任一个中所存在的序号最大者,其余各自独立地选自CR
B
。7.如权利要求6所述的电致发光器件,其中所述R
B
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,氰基,羟基,巯基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,及其组合;优选地,其中所述R
B
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,甲基,三氘代甲基,乙烯基,苯基,联苯基,萘基,4
‑
氰基苯基,二苯并呋喃基,二苯并噻吩基,三亚苯基,咔唑基,9
‑
苯基咔唑基,9,9
‑
二甲基芴基,吡啶基,苯基吡啶基,及其组合。
8.如权利要求6或7所述的电致发光器件,其中所述式1c
‑
11至式1c
‑
20中的B1‑
B
n
至少有一个是CR
B
,所述B
n
对应所述B1‑
B
12
在式1c
‑
11至式1c
‑
20任一个中所存在的序号最大者,且R
B
选自由以下组成的组:氘,卤素,氰基,羟基,巯基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,及其组合;优选地,其中所述式1c
‑
11至式1c
‑
20中的B1‑
B
n
至少有一个是CR
B
,所述B
n
对应所述B1‑
B
12
在式1c
‑
11至式1c
‑
20任一个中所存在的序号最大者,且R
B
选自由以下组成的组:氘,甲基,三氘代甲基,乙烯基,苯基,联苯基,萘基,4
‑
氰基苯基,二苯并呋喃基,二苯并噻吩基,三亚苯基,咔唑基,9
‑
苯基咔唑基,9,9
‑
二甲基芴基,吡啶基,苯基吡啶基,及其组合。9.如权利要求1
‑
8中任一项所述的电致发光器件,其中所述式1c中的Ar选自由以下结构组成的组:
其中,任选地,所述Ar
‑
1至Ar
‑
78的结构中的氢能部分或完全地被氘取代;“︴”表示所述Ar结构与式1c中所述L连接的位置。10.如权利要求1
‑
9中任一项所述的电致发光器件,其中所述L选自由以下组成的组:单键,取代或未取代的6
‑
18个碳原子的亚芳基、取代或未取代的3
‑
18个碳原子的亚杂芳基,及其组合;优选地,其中所述L选自由以下组成的组:单键,亚苯基,亚萘基,亚联苯基,亚三联苯基,亚三亚苯基,亚吡啶基,亚噻吩基,亚二苯并呋喃基,亚二苯并噻吩基,及其组合。11.如权利要求1
‑
10中任一项所述的电致发光器件,其中所述第一化合物选自由以下结构组成的组:
其中,任选地,所述化合物E
‑
1至E
‑
91结构中的氢能部分或完全地被氘取代。12.如权利要求1
‑
11中任一项所述的电致发光器件,其中,所述第二化合物中,环A和/或环B各自独立地选自五元不饱和碳环、具有6
‑
18个碳原子的芳环或具有3
‑
18个碳原子的杂芳环;优选地,环A和/或环B各自独立地选自五元不饱和碳环、具有6
‑
10个碳原子的芳环或具有3
‑
10个碳原子的杂芳环。13.如权利要求1
‑
12中任一项所述的电致发光器件,其中所述L
a
选自由式2
‑
1至式2
‑
19中的任一种表示的结构:
其中,在式2
‑
1至式2
‑
19中,X1‑
X2每次出现时相同或不同地选自CR
x
或N;X3‑
X7每次出现时相同或不同地选自CR
d
或N;A
e1
‑
A
e6
每次出现时相同或不同地选自CR
e
或N;Z每次出现时相同或不同地选自CR
f
R
f
,SiR
f
R
f
,PR
f
,O,S或NR
f
;当同时存在两个R
f
时,两个R
f
相同或不同;Y选自SiR
y
R
y
,NR
y
,PR
y
,O,S或Se;当同时存在两个R
y
时,两个R
y
相同或不同;R,R
x
,R
y
,R
d
,R
e
和R
f
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的羟基,氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异
氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R,R
x
,R
y
,R
d
,R
e
和R
f
能任选地连接形成环;优选地,L
a
选自由式2
‑
1、式2
‑
5、式2
‑
8、式2
‑
10、式2
‑
11或式2
‑
12表示的结构;更优选地,L
a
选自由式2
‑
1表示的结构。14.如权利要求13所述的电致发光器件,其中,在式2
‑
1至式2
‑
19中,X1‑
X
n
和/或A
e1
‑
A
em
中至少有一个选自N,所述X
n
对应所述X1‑
X7在式2
‑
1至式2
‑
19任一个中所存在的序号最大者,所述A
em
对应所述A
e1
‑
A
e6
在式2
‑
1至式2
‑
19任一个中所存在的序号最大者;优选地,在式2
‑
1至式2
‑
19中,X1‑
X
n
中至少有一个选自N,所述X
n
对应所述X1‑
X7在式2
‑
1至式2
‑
19中任一个中所存在的序号最大者;更优选地,X2是N。15.如权利要求13所述的电致发光器件,其中,在式2
‑
1至式2
‑
19中,X1‑
X2各自独立地选自CR
x
;X3‑
X7各自独立地选自CR
d
;A
e1
‑
A
e6
各自独立地地选自CR
e
;相邻的取代基R
x
、R
d
、R
e
能任选地连接形成环;优选地,所述R
x
、R
d
、R
e
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,氰基,及其组合;更优选地,所述R
x
、R
d
、R
e
中至少有两个或三个每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,氰基,及其组合。16.如权利要求1
‑
11中任一项所述的电致发光器件,其中,所述配体L
a
具有由式2
‑
20或式2
‑
21表示的结构:其中,在式2
‑
20和式2
‑
21中,Y选自O或S;R
x1
、R
x2
、R
d1
、R
d2
、R
d3
、R
e1
、R
e2
、R
e3
、R
e4
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原
子的芳基硅烷基,及其组合;R每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的胺基,及其组合;优选地,R
x1
、R
x2
、R
d1
、R
d2
、R
d3
中和/或R
e1
、R
e2
、R
e3
、R
e4
中的至少一个或两个每次出现时相同或不同地选自氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,或其组合;R选自卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,或其组合;更优选地,R
x1
、R
x2
、R
d1
、R
d2
、R
d3
中和/或R
e1
、R
e2
、R
e3
、R
e4
中的至少一个或两个每次出现时相同或不同地选自取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代...
【专利技术属性】
技术研发人员:邝志远,张晗,张翠芳,王乐,王强,张奇,谢梦兰,代志洪,路楠楠,
申请(专利权)人:北京夏禾科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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