【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于有机电子器件的化合物，例如有机发光器件。更特别地，涉及一种金属络合物以及包含金属络合物的电致发光器件和化合物配方。
技术介绍
1、有机电子器件包括但是不限于下列种类：有机发光二极管(oleds)，有机场效应晶体管(o-fets)，有机发光晶体管(olets)，有机光伏器件(opvs)，染料-敏化太阳能电池(dsscs)，有机光学检测器，有机光感受器，有机场效应器件(ofqds)，发光电化学电池(lecs)，有机激光二极管和有机电浆发光器件。
2、1987年，伊斯曼柯达的tang和van slyke报道了一种双层有机电致发光器件，其包括芳基胺空穴传输层和三-8-羟基喹啉-铝层作为电子传输层和发光层(applied physicsletters，1987,51(12):913-915)。一旦加偏压于器件，绿光从器件中发射出来。这个专利技术为现代有机发光二极管(oleds)的发展奠定了基础。最先进的oleds可以包括多层，例如电荷注入和传输层，电荷和激子阻挡层，以及阴极和阳极之间的一个或多个发光层。由于oleds...
【技术保护点】
1.一种电致发光器件，包括：
2.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述金属为Fe。
3.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述有机层为空穴注入层，空穴传输层，第一空穴传输层或第二空穴传输层。
4.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述R,Ra1,Ra2或Ra3中，至少一个具有哈米特(Hammett)取代基常数大于0.3的取代基。
5.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述R,Ra1,Ra2和Ra3各自独立地选自包含以下任一组成的取代基所构成的群组：CtF2t+1,SitF2t+1,F，OCtF2t+1,SCtF...
【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，包括：
2.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述金属为fe。
3.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述有机层为空穴注入层，空穴传输层，第一空穴传输层或第二空穴传输层。
4.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述r,ra1,ra2或ra3中，至少一个具有哈米特(hammett)取代基常数大于0.3的取代基。
5.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述r,ra1,ra2和ra3各自独立地选自包含以下任一组成的取代基所构成的群组：ctf2t+1,sitf2t+1,f，octf2t+1,sctf2t+1,soctf2t+1，so2ctf2t+1，sectf2t+1，seoctf2t+1,seo2ctf2t+1,cn,nc,so2cn,ncs,ocn,scn,secn,n＝ncn,n(o)＝ncn,no2,no,ono2,cclf2,ccl3,occl3,so2me；
6.如权利要求1所述的电致发光器件，其中所述金属络合物具有fe(la)m[(lb)e]n[(lc)f]q的通式，其中lb和lc分别是与m配位的第二配体和第三配体，lb和lc可以是相同或不同的；la,lb和lc可任选连接形成多齿配体；
7.如权利要求6所述的电致发光器件，其中所述金属络合物具有式fe(la)3。
8.如权利要求6或7所述的电致发光器件，其中所述配体la各自独立地选...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晗，崔至皓，丁华龙，邝志远，夏传军，
申请(专利权)人：北京夏禾科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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