晶圆清洗装置制造方法及图纸

一种晶圆清洗装置，包括：清洗部件，清洗部件包括：平行排布且相对旋转的第一清洗刷和第二清洗刷，第一清洗刷和第二清洗刷之间具有间隙；待清洗晶圆，待清洗晶圆位于间隙；以及偏心驱动部件，偏心驱动部件用于驱动待清洗晶圆转动、以及在清洗晶圆转动的过程中带动待清洗晶圆产生偏心位移。通过偏心驱动部件使得待清洗晶圆在转动的过程中不断发生偏心位移，进而使得待清洗晶圆上与第一清洗刷和第二清洗刷保持相对速度为0的区域也在不断发生改变，避免待清洗晶圆中某一区域持续与第一清洗刷和第二清洗刷的相对速度为0，使得对待清洗晶圆的均匀性提升，进而提升对待清洗晶圆的清洗能力，减少待清洗晶圆中产生的残留物，提升产品的良率和电学性能。的良率和电学性能。的良率和电学性能。

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆清洗装置。

技术介绍

[0002]目前在半导体器件的的制造工艺中，经常会在具有叠层结构的半导体器件表面上形成凸凹不平的结构，通常使用化学机械研磨(CMP)工艺平整凸凹不平的表面。
[0003]化学机械研磨亦称为化学机械抛光，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。化学机械研磨工艺中，一般是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力，使用含有抛光颗粒(例如SiO2颗粒)的研磨液(slurry)，在化学腐蚀与磨削移除的交互作用下进行平坦化。
[0004]在化学机械研磨工艺之后，研磨液中的颗粒成为缺陷微粒存在于晶圆表面，因此必须从晶圆表面完全除去才能保持半导体器件的可靠性和生产线的清洁度。
[0005]然而，现有技术的晶圆清洗仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0006]本技术解决的问题是提供一种晶圆清洗装置，以提升对待清洗晶圆的清洗能力，减少待清洗晶圆表面的残留物。
[0007]为解决上述问题，本技术提供一种晶圆清洗装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：清洗部件，所述清洗部件包括：平行排布的第一清洗刷和第二清洗刷，所述第一清洗刷和所述第二清洗刷之间具有间隙，且所述第一清洗刷和所述第二清洗刷相对旋转；待清洗晶圆，所述待清洗晶圆位于所述间隙，所述待清洗晶圆具有待清洗面，所述待清洗晶圆的待清洗面分别与所述第一清洗刷的延伸方向和所述第二清洗刷的延伸方向平行；以及偏心驱动部件，所述偏心驱动部件用于驱动所述待清洗晶圆转动、以及在所述待清洗晶圆转动的过程中带动所述待清洗晶圆产生偏心位移。2.如权利要求1所述晶圆清洗装置，其特征在于，所述偏心驱动部件包括：若干分布于所述待清洗晶圆外围、且分别所述待清洗晶圆边缘接触的偏心凸轮。3.如权利要求2所述晶圆清洗装置，其特征在于，相邻所述偏心凸轮与所述待清洗晶圆中间的夹角相等。4.如权利要求2所述晶圆清洗装置，其特征在于，所述偏心凸轮的侧壁内开设有凹槽，所述待清洗晶圆的边缘位于所述凹槽内。5.如权利要求4所述晶圆清洗装置，其特征在于，所述偏心凸轮上具...

【专利技术属性】
技术研发人员：康文策，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：