溅射装置制造方法及图纸

本公开涉及一种溅射装置，根据本公开的一实施例的溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子群的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子群的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子群摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子群摆动的第二角速度不同。和所述第二溅射粒子群摆动的第二角速度不同。和所述第二溅射粒子群摆动的第二角速度不同。

【技术实现步骤摘要】
溅射装置


[0001]本公开涉及一种溅射装置以及溅射方法。

技术介绍

[0002]作为用于制造半导体装置、显示装置等的电子装置的薄膜生成方法，有溅射方法。溅射方法是包含要蒸镀的材料的靶的粒子通过等离子体射出而蒸镀在基材上的方法。靶的种类根据形状包括平面靶和圆柱形靶，其中，圆柱形靶为了提高靶材料的效率而可以旋转。

技术实现思路

[0003]本公开用于使得通过使用圆柱形靶的溅射形成的薄膜的特性变得均匀。
[0004]根据本公开的一实施例的溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子群的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子群的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子群摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子群摆动的第二角速度不同。
[0005]可以是，所述多个圆柱形靶的每一个包括至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部。
[0006]可以是，所述第一圆柱形靶以及所述第二圆柱形靶交替配置。
[0007]可以是，所述第二角速度是所述第一角速度的AA倍，所述AA是2以上。
[0008]可以是，所述多个圆柱形靶包括产生两个以上的第三溅射粒子群的第三圆柱形靶以及产生两个以上的第四溅射粒子群的第四圆柱形靶，所述第三圆柱形靶的相邻的两个所述第三溅射粒子群之间的第一角与所述第四圆柱形靶的相邻的两个所述第四溅射粒子群之间的第二角不同。
[0009]可以是，所述第三圆柱形靶的尺寸和所述第四圆柱形靶的尺寸彼此不同。
[0010]可以是，所述第三圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸和所述第四圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸彼此相同。
[0011]可以是，所述第三圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸和所述第四圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸彼此不同。
[0012]可以是，所述多个圆柱形靶的每一个包括多个磁体，所述第三圆柱形靶所包括的所述多个磁体的配置与所述第四圆柱形靶所包括的所述多个磁体的配置不同。
[0013]可以是，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第三溅射粒子群的第三圆柱形靶以及产生一个以上的第四溅射粒子群的第四圆柱形靶，来自所述第三溅射粒子群的溅射粒子和来自所述第四溅射粒子群的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。
[0014]可以是，所述多个圆柱形靶以虚拟的中心为基准构成圆形或者椭圆形并排列。
[0015]根据一实施例的溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶的每一个包括一个以上的溅射粒子群、至少一个磁体以及能够摆动所述磁体
的驱动部，所述多个圆柱形靶包括所述圆柱形靶的尺寸、所述磁体的尺寸、所述磁体的配置以及所述溅射粒子群摆动的角速度中的至少一个彼此不同的第一圆柱形靶以及第二圆柱形靶。
[0016]可以是，所述第一圆柱形靶以及所述第二圆柱形靶交替配置。
[0017]可以是，所述多个圆柱形靶包括产生两个以上的第三溅射粒子群的第三圆柱形靶以及产生两个以上的第四溅射粒子群的第四圆柱形靶，所述第三圆柱形靶的相邻的两个所述第三溅射粒子群之间的第一角与所述第四圆柱形靶的相邻的两个所述第四溅射粒子群之间的第二角不同。
[0018]可以是，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第三溅射粒子群的第三圆柱形靶以及产生一个以上的第四溅射粒子群的第四圆柱形靶，来自所述第三溅射粒子群的溅射粒子和来自所述第四溅射粒子群的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。
[0019]可以是，所述多个圆柱形靶以虚拟的中心为基准构成圆形或者椭圆形并排列。
[0020]根据一实施例的溅射方法通过溅射装置执行，所述溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子群的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子群的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子群摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子群摆动的第二角速度不同。
[0021]可以是，所述多个圆柱形靶的每一个包括至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部。
[0022]可以是，所述第二角速度是所述第一角速度的AA倍，所述AA是2以上。
[0023]根据一实施例的溅射装置包括：腔体；以及圆柱形靶，位于所述腔体中，基板位于所述腔体中，所述圆柱形靶包括一个以上的溅射粒子群、至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部，所述基板以与所述圆柱形靶的中心相同或不同的基准点为中心构成圆形或者椭圆形的曲面。
[0024]根据一实施例的溅射方法通过溅射装置执行，所述溅射装置包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子群的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子群的第二圆柱形靶，来自所述第一溅射粒子群的溅射粒子和来自所述第二溅射粒子群的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述重叠区域构成为在所述基板上扫描并移动。
[0025]根据本公开的实施例，可以使得通过使用圆柱形靶的溅射形成的薄膜的特性变得均匀。
附图说明
[0026]图1示出根据一实施例的溅射装置，
[0027]图2概念性地示出根据一实施例的溅射方法，
[0028]图3概念性地示出根据一实施例的利用溅射装置的溅射方法，
[0029]图4示出根据一实施例的溅射装置的尺寸不同的圆柱形靶，
[0030]图5示出根据一实施例的溅射装置的彼此不同的圆柱形靶，
[0031]图6以及图7分别概念性地示出根据一实施例的溅射方法，
[0032]图8示出根据一实施例的包括多个圆柱形靶的溅射装置，
[0033]图9示出根据一实施例的包括一个圆柱形靶的溅射装置。
[0034](附图标记说明)
[0035]100：溅射腔体
[0036]110、110a、110b、110c、110d、110e、110f、110g、110h、110i：圆柱形靶
[0037]115：驱动部
[0038]120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h、120i：溅射粒子群
[0039]200：基板
[0040]210：薄膜
[0041]A1、A2、Ac、Ad、Ae、Af、Ag：角
[0042]CLA：重叠区域
[0043]Da、Db、Dc、Dd：隔开距离
[0044]M1、M2、M3：磁体
[0045]Oh：中心
[0046]SP：溅射粒子
[0047]w1、w2：摆动角速度
具体实施方式
[0048]以下，参照所附附图详细说明本公开的各实施例，以使本公开所属
中具有通常知识的人能够容易实施。本公开能够以多种不同方式来实现，但并不限于在此说明的实施例。
[0049]为了清楚地说明本公开，省略了与说明无关的部分，在说明书全文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅射装置，其中，包括：腔体；以及多个圆柱形靶，位于所述腔体中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第一溅射粒子群的第一圆柱形靶以及产生一个以上的第二溅射粒子群的第二圆柱形靶，所述第一溅射粒子群摆动的第一角速度和所述第二溅射粒子群摆动的第二角速度不同。2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶的每一个包括至少一个磁体以及能够摆动所述磁体的驱动部。3.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶包括产生两个以上的第三溅射粒子群的第三圆柱形靶以及产生两个以上的第四溅射粒子群的第四圆柱形靶，所述第三圆柱形靶的相邻的两个所述第三溅射粒子群之间的第一角与所述第四圆柱形靶的相邻的两个所述第四溅射粒子群之间的第二角不同。4.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，所述第三圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸和所述第四圆柱形靶所包括的所述磁体的尺寸彼此不同。5.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶的每一个包括多个磁体，所述第三圆柱形靶所包括的所述多个磁体的配置与所述第四圆柱形靶所包括的所述多个磁体的配置不同。6.根据权利要求2所述的溅射装置，其中，所述多个圆柱形靶包括产生一个以上的第三溅射粒子群的第三圆柱形靶以及产生一个以上的第四溅射粒子群的第四圆柱形靶，来自所述第三溅射粒子群的溅射粒子和来自所述第四溅射粒子群的溅射粒子在基板上的重叠区域中交叉，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：深沢孝之，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：