一种OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置及方法，其中装置中转盘上设置开口，转盘的开口率W为该开口的面积与整个转盘面积的比例，转盘的中央与转轴的一端连接，转轴转动便带动转盘转动；初始位置传感器设置在转轴的另一端，感应转盘的位置是否处于初始位置；装载盘上设置间隔均匀、呈圆周分布的若干个石英晶振片，装载盘由外部机构控制可旋转；初始位置为转盘上的一开口对准装载盘上的一石英晶振片，装载盘每旋转石英晶振片的间隔距离后，石英晶振片均对准转盘的开口。本发明专利技术把量产过程中晶振片无法及时有效监控材料蒸镀速率，提前到生产前、统一大速率去预先镀膜，从而避免生产过程中宕机情况，并缩短预镀时间，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置及方法


[0001]本专利技术属于蒸镀监测
，特别涉及OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置及方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管OLED在生产过程中因镁材料在石英晶振片表面沉积难以成膜而无法监控到镁材料实际蒸镀速率，从而无法精确控制镁材料蒸镀的膜厚问题。因为镁材料较难在石英晶振片上沉积，在石英晶振片切换后，较长时间内无法监控到镁实际蒸发速率，导致生产中断，一个生产周期最大需要切换11 次晶振片，生产预计需要停机11h左右，严重影响有机发光二极管产品产能。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种技术方案，能够给石英晶振片进行预镀一定膜厚处理，通过生产前大速率、短时间内自动完成石英晶振片表面成膜沉积，在实际生产中切换石英晶振片保证蒸镀速率正常监控，确保蒸镀膜厚精确控制，大大缩短停机时长，显著提高生产产能。
[0004]为达到上述目的，本专利技术提供了OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置，包括蒸镀源、蒸镀基板、膜厚监测探头、探头内衬和探头波纹管，所述膜厚监测探头中设置转盘、转轴、初始位置传感器、装载盘和石英晶振片，其中，
[0005]所述转盘上设置开口，转盘的开口率W为所设开口的面积与整个转盘面积的比例，转盘的中央与转轴的一端连接，转轴转动便带动转盘转动；
[0006]所述初始位置传感器设置在转轴的另一端，感应转盘的位置是否处于初始位置；
[0007]所述装载盘上设置间隔均匀、呈圆周分布的若干个石英晶振片，装载盘由外部机构控制可旋转；
[0008]所述初始位置为转盘上的一开口对准装载盘上的一石英晶振片，装载盘每旋转石英晶振片的间隔距离后，石英晶振片均对准转盘的开口。
[0009]优选地，所述开口设置一个。
[0010]优选地，所述开口设置对称的两个。
[0011]优选地，所述转盘与转轴通过螺丝连接。
[0012]优选地，所述石英晶振片设置12个。
[0013]基于上述目的，本专利技术还提供了一种OLED生产过程中石英晶振片沉积监测方法，采用上述的监测装置，包括以下步骤：
[0014]S10，对所有石英晶振片进行预镀，至目标膜厚X；
[0015]S20，进行蒸镀速率监测。
[0016]优选地，所述S10具体包括以下步骤：
[0017]S11，设置目标膜厚X和目标预镀速率Y，转盘停在初始位置，转盘上的一个开口对
准第一个石英晶振片；
[0018]S12，开启蒸镀源，进行对上述开口漏出的石英晶振片的预镀；
[0019]S13，监测石英晶振片的膜厚达到目标膜厚X，转动装载盘，使相邻的下一个石英晶振片对准转盘的上述开口，同样进行S12中的预镀，直至所有石英晶振片均预镀至目标膜厚X。
[0020]优选地，所述S20具体包括以下步骤：
[0021]S21，装载盘上第一个石英晶振片对准转盘上的一个开口，转盘以100rpm 的转速转动，目标蒸镀速率为Z，存在关系Z/W＝Y，其中，W为转盘的开口率；
[0022]S22，通过对石英晶振片上蒸镀材料的物理信号转化为电信号，监测实时蒸镀速率。
[0023]优选地，所述目标膜厚X为目标预镀速率Y为
[0024]优选地，所述转盘的开口率W为1/10，目标蒸镀速率Z为
[0025]本专利技术的有益效果至少包括：
[0026]1、装置上增设带开口的转盘和初始位置传感器，使预镀时石英晶振片对准转盘的开口，并在石英晶振片上快速预镀上目标预镀膜厚，大大缩短预镀时间；
[0027]2、方法上对预镀时的每个石英晶振片进行膜厚监测，并转动装载盘依次对石英晶振片进行预镀；
[0028]3、转盘上开口优化，可设置转盘开口对称，石英晶振片寿命满足生产周期144h需求的前提下，转盘开口率设置为10％，转盘上的单开口大小可完全暴露晶振片，转盘的开口对准石英晶振片，此时达到石英晶振片上的材料量为转盘转动时的10倍，缩短每片石英晶振片预镀时间为原来的1/10(转盘不停转的时候，速率只有而转盘停转时，速率达到等转盘恢复转速时，速率又恢复到不需要更改蒸发源的温度控制参数，即可实现大速率下镁蒸发源对应的石英晶振片预镀处理，此功能下单片石英晶振片预镀时间约是而在转盘始终旋转时，单片石英晶振片预镀时间约是故本专利技术可大大缩短预镀时间；
[0029]4、增加预镀功能，输入预镀参数即可进行镁晶振片的预镀功能。通过增上述的装置和方法的设置，把量产过程中镁晶振片无法及时有效监控材料蒸镀速率，提前到生产前、统一大速率去预先镀膜，从而避免生产过程中宕机，并缩短预镀时间，提高生产效率。
附图说明
[0030]为了使本专利技术的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本专利技术提供如下附图进行说明：
[0031]图1为本专利技术实施例的OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置的整体结构示意图；
[0032]图2为本专利技术实施例的OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置的膜厚检测探头内部结构图；
[0033]图3为本专利技术实施例的OLED生产过程中石英晶振片沉积监测方法的预镀速率波形
图。
具体实施方式
[0034]下面将结合附图，对本专利技术的优选实施例进行详细的描述。
[0035]参见图1、图2，OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置，包括蒸镀源 101、蒸镀基板102、膜厚监测探头105、探头内衬103和探头波纹管106，膜厚监测探头105中设置转盘104、转轴107、初始位置传感器113、装载盘108 和石英晶振片110，其中，转盘104上设置开口109，转盘104的开口率W为该开口109的面积与整个转盘104面积的比例，转盘104的中央与转轴107的一端连接，转轴107转动便带动转盘104转动；初始位置传感器113设置在转轴107的另一端，感应转盘104的位置是否处于初始位置；装载盘108上设置间隔均匀、呈圆周分布的若干个石英晶振片110，装载盘108由外部机构控制可旋转；初始位置为转盘104上的一开口109对准装载盘108上的一石英晶振片110，装载盘108每旋转石英晶振片110的间隔距离后，石英晶振片110均对准转盘104的开口109。开口109设置一个或对称的两个。
[0036]具体实施例中，转盘104与转轴107通过螺丝117连接，转轴107的相应位置设置螺孔111。石英晶振片110设置12个。真空室内设置蒸镀源101、蒸镀基板102、膜厚监测探头105中的转盘104机构和石英晶振片110结构，以及位于真空室外的振荡器和控制装置；蒸镀源101用于提供蒸镀材料，M代表材料蒸发路径；蒸镀基板102内含作为镀膜载体的晶振片，用于供镀膜材料吸附，在其表面形成薄膜；真空室是有机发光二极管需要的基本镀膜环境，确保材料不受水氧破坏、蒸镀材料运动过程中确保沿直线运动到达基板上成膜；转盘104运动机构包含转盘104、转轴107、固定转盘104和转轴1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置，包括蒸镀源、蒸镀基板、膜厚监测探头、探头内衬和探头波纹管，其特征在于，所述膜厚监测探头中设置转盘、转轴、初始位置传感器、装载盘和石英晶振片，其中，所述转盘上设置开口，转盘的开口率W为所设开口的面积与整个转盘面积的比例，转盘的中央与转轴的一端连接，转轴转动便带动转盘转动；所述初始位置传感器设置在转轴的另一端，感应转盘的位置是否处于初始位置；所述装载盘上设置间隔均匀、呈圆周分布的若干个石英晶振片，装载盘由外部机构控制可旋转；所述初始位置为转盘上的一开口对准装载盘上的一石英晶振片，装载盘每旋转石英晶振片的间隔距离后，石英晶振片均对准转盘的开口。2.根据权利要求1所述的OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置，其特征在于，所述开口设置一个。3.根据权利要求1所述的OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置，其特征在于，所述开口设置对称的两个。4.根据权利要求1所述的OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置，其特征在于，所述转盘与转轴通过螺丝连接。5.根据权利要求1所述的OLED生产过程中石英晶振片沉积监测装置，其特征在于，所述石英晶振片设置12个。6.一种OLED生产过程中石英晶振片沉积监测方法，其特征在于，采用权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，赵亮，孙浩，刘鹏举，李牧词，
申请(专利权)人：广西自贸区睿显科技有限公司，
类型：发明
国别省市：