一种低电感碳化硅模块制造技术

本实用新型专利技术公开的属于感碳化硅模块技术领域，具体为一种低电感碳化硅模块，包括电流输入端子、第一陶瓷覆铜板、陶瓷片、第二陶瓷覆铜板、散热底板、电流输出端子、芯片和金属连接块，所述电流输入端子和电流输出端子与第一陶瓷覆铜板平行设置且通过金属连接块支撑，本实用新型专利技术的有益效果是：通过在第二陶瓷覆铜板上开设第五通孔、第六通孔，有效地增大了第二陶瓷覆铜板的表面积，从而增高了第二陶瓷覆铜板的散热效率；并且由于在散热底板上开设；由于第三通孔、第五通孔和第四通孔对通，第一通孔、第六通孔和第二通孔相对通，散热效果更好，避免了温度过高而影响工作性能。免了温度过高而影响工作性能。免了温度过高而影响工作性能。

【技术实现步骤摘要】
一种低电感碳化硅模块


[0001]本技术涉及感碳化硅模块
，具体为一种低电感碳化硅模块。

技术介绍

[0002]功率半导体模块就是按一定功能、模式的组合体，功率半导体模块是大功率电子电力器件按一定的功能组合再灌封成一体。功率半导体模块可根据封装的元器件的不同实现不同功能，功率半导体模块配用风冷散热可作风冷模块，配用水冷散热可作水冷模块等。碳化硅半导体由于其具有跟高的工作温度、更高的击穿电压强度、更高的热导率以及更高的开关频率，从而得到广泛应用。
[0003]公开号为CN213583744U的技术专利，公开了一种低电感碳化硅模块，包括电流输入端子、第一陶瓷覆铜板、陶瓷片、第二陶瓷覆铜板、散热底板、电流输出端子、芯片和金属连接块，所述电流输入端子和电流输出端子与第一陶瓷覆铜板平行设置且通过金属连接块支撑，所述芯片焊接于第一陶瓷覆铜板与金属连接块之间并通过金属连接块与电流输入端子以及电流输出端子键合，所述陶瓷片焊接于第一陶瓷覆铜板背面并与第二陶瓷覆铜板相连，所述第二陶瓷覆铜板与散热底板相连。
[0004]上述专利中存在的问题有：仅仅通过部件之间的连接来导热，从而进行散热，这种方式的散热效果欠佳，使用时温度升高导致性能下降。

技术实现思路

[0005]鉴于现有一种低电感碳化硅模块中存在的问题，提出了本技术。
[0006]因此，本技术的目的是提供一种低电感碳化硅模块，解决了仅仅通过部件之间的连接来导热，从而进行散热，这种方式的散热效果欠佳，使用时温度升高导致性能下降的问题。
[0007]为解决上述技术问题，根据本技术的一个方面，本技术提供了如下技术方案：
[0008]一种低电感碳化硅模块，包括电流输入端子、第一陶瓷覆铜板、陶瓷片、第二陶瓷覆铜板、散热底板、电流输出端子、芯片和金属连接块，所述电流输入端子和电流输出端子与第一陶瓷覆铜板平行设置且通过金属连接块支撑，所述芯片焊接于第一陶瓷覆铜板与金属连接块之间并通过金属连接块与电流输入端子以及电流输出端子键合，所述陶瓷片焊接于第一陶瓷覆铜板背面并与第二陶瓷覆铜板相连，所述第二陶瓷覆铜板与散热底板相连；
[0009]所述散热底板上端均匀开设有第一通孔，所述散热底板下端均匀开设有第二通孔，所述散热底板左端均匀开设有第三通孔，所述散热底板右端均匀开设有第四通孔。
[0010]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述电流输入端子、电流输出端子与第二陶瓷覆铜板的间距不超过2mm。
[0011]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述散热底板上开设有插接凹槽，所述第二陶瓷覆铜板底部插入所述插接凹槽内。
[0012]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述第一陶瓷覆铜板由第一陶瓷覆铜板A和第一陶瓷覆铜板B组成，所述电流输入端子通过金属连接块安装于第一陶瓷覆铜板A上，所述电流输出端子通过金属连接块安装于第一陶瓷覆铜板B上。
[0013]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述电流输入端子与电流输出端子呈水平对角直线设置，且覆盖第二陶瓷覆铜板30％以上的平面面积。
[0014]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述第一陶瓷覆铜板A和第一陶瓷覆铜板B上分隔设置有多块相互独立的铜层，每组所述芯片分布于同一块铜层上。
[0015]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述第二陶瓷覆铜板上均匀开设有第五通孔，所述第五通孔与所述第二陶瓷覆铜板的长度方向相平行。
[0016]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述第二陶瓷覆铜板上均匀开设有第六通孔，所述第六通孔与所述第二陶瓷覆铜板的长度方向相平行。
[0017]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述第二陶瓷覆铜板上均匀开设有第五通孔，所述第五通孔与所述第二陶瓷覆铜板的长度方向相平行；所述第二陶瓷覆铜板上均匀开设有第六通孔，所述第六通孔与所述第二陶瓷覆铜板的长度方向相平行。
[0018]作为本技术所述的一种低电感碳化硅模块的一种优选方案，其中：所述散热底板底部一体成型设有第一散热棒，所述第一散热棒外壁上一体成型设有第一散热波浪片，所述第一散热棒外壁上一体成型设有第二散热棒，所述第二散热棒外壁上一体成型设有第二散热波浪片，所述散热底板外壁上一体成型设有第三散热波浪片。
[0019]与现有技术相比：
[0020]1、通过在第二陶瓷覆铜板上开设第五通孔、第六通孔，有效地增大了第二陶瓷覆铜板的表面积，从而增高了第二陶瓷覆铜板的散热效率；并且由于在散热底板上开设；
[0021]2、通过设置第一通孔、第二通孔、第四通孔和第三通孔，有效地提高了散热底板的散热效率；并且由于设置了第三散热波浪片、第一散热棒、第一散热波浪片、第二散热棒、第二散热波浪片，也提高了散热效率；
[0022]3、由于第三通孔、第五通孔和第四通孔对通，第一通孔、第六通孔和第二通孔相对通，散热效果更好，避免了温度过高而影响工作性能。
附图说明
[0023]图1为本技术实施例1提供的结构示意图；
[0024]图2为本技术实施例1提供的图1的剖视图；
[0025]图3为本技术实施例2提供的图1的剖视提供的图；
[0026]图4为本技术实施例3提供的图1的剖视提供的图。
[0027]图中：电流输入端子1、第一陶瓷覆铜板A21、第一陶瓷覆铜板B22、陶瓷片3、第二陶
瓷覆铜板4、第五通孔41、第六通孔42、散热底板5、插接凹槽51、第一通孔52、第二通孔53、第四通孔54、第三通孔55、第三散热波浪片56、第一散热棒57、第一散热波浪片571、第二散热棒58、第二散热波浪片581、电流输出端子6、芯片7、金属连接块8。
具体实施方式
[0028]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的实施方式做进一步的详细描述。
[0029]实施例1：
[0030]本技术提供一种低电感碳化硅模块，请参阅图1
‑
2，包括电流输入端子1、第一陶瓷覆铜板、陶瓷片3、第二陶瓷覆铜板4、散热底板5、电流输出端子6、芯片7和金属连接块8，电流输入端子1和电流输出端子6与第一陶瓷覆铜板平行设置且通过金属连接块8支撑，芯片7焊接于第一陶瓷覆铜板与金属连接块8之间并通过金属连接块8与电流输入端子1以及电流输出端子6键合，陶瓷片3焊接于第一陶瓷覆铜板背面并与第二陶瓷覆铜板4相连，第二陶瓷覆铜板4与散热底板5相连，其特征在于：
[0031]散热底板5上端均匀开设有第一通孔52，散热底板5下端均匀开设有第二通孔53，散热底板5左端均匀开设有第三通孔55，散热底板5右端均匀开设有第四通孔54。
[0032]电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电感碳化硅模块，包括电流输入端子(1)、第一陶瓷覆铜板、陶瓷片(3)、第二陶瓷覆铜板(4)、散热底板(5)、电流输出端子(6)、芯片(7)和金属连接块(8)，所述电流输入端子(1)和电流输出端子(6)与第一陶瓷覆铜板平行设置且通过金属连接块(8)支撑，所述芯片(7)焊接于第一陶瓷覆铜板与金属连接块(8)之间并通过金属连接块(8)与电流输入端子(1)以及电流输出端子(6)键合，所述陶瓷片(3)焊接于第一陶瓷覆铜板背面并与第二陶瓷覆铜板(4)相连，所述第二陶瓷覆铜板(4)与散热底板(5)相连，其特征在于：所述散热底板(5)上端均匀开设有第一通孔(52)，所述散热底板(5)下端均匀开设有第二通孔(53)，所述散热底板(5)左端均匀开设有第三通孔(55)，所述散热底板(5)右端均匀开设有第四通孔(54)。2.根据权利要求1所述的一种低电感碳化硅模块，其特征在于，所述电流输入端子(1)、电流输出端子(6)与第二陶瓷覆铜板(4)的间距不超过2mm。3.根据权利要求1所述的一种低电感碳化硅模块，其特征在于，所述散热底板(5)上开设有插接凹槽(51)，所述第二陶瓷覆铜板(4)底部插入所述插接凹槽(51)内。4.根据权利要求1所述的一种低电感碳化硅模块，其特征在于，所述第一陶瓷覆铜板由第一陶瓷覆铜板A(21)和第一陶瓷覆铜板B(22)组成，所述电流输入端子(1)通过金属连接块(8)安装于第一陶瓷覆铜板A(21)上，所述电流输出端子(6)通过金属连接块(8)安装于第一陶瓷覆铜板B(22)上。5.根据权利要求1所述的一种低电感碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵小俊，陈春波，马欢，
申请(专利权)人：深圳长联半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：