本实用新型专利技术涉及磁加热技术领域,尤其涉及一种碳化硅电磁加热电路,包括D1和Q1,D1加致电容C1的两端,Q1的电流经L1和Q1形成回路流向D1负端,Q1与C1之间连接L1,L1连接C2,C1的上端连接A点,Q1的上端连接B点,C2的电流经C1和D2由A点流向B点,D2连接在Q1两端,D1和L1之间连接R1上端,R1另一端连接控制电路,L1和Q1之间连接R2上端,R2另一端连接控制电路,A点和B点的电压经R1和R2同步电路发给控制电路,上述一种碳化硅电磁加热电路具有碳化硅管导通压降小、损耗小的优点,从而使碳化硅管上产生的热量更小,进而使散热片面积和配合散热的风扇规格可以降低,节约成本。节约成本。节约成本。
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅电磁加热电路
[0001]本技术涉及一种电磁加热电路,尤其是一种碳化硅电磁加热电路。
技术介绍
[0002]现有的磁加热技术中IGBT的导过压降大,自身损耗大,由于损耗大,发热量大,需要散热装置,而散热置通常为风扇和散热片配合完成,风扇产生噪音,散热片影响整机的造型,且由于IGBT的频率限制,无法加热铝质或是含铁量少的金属锅,为此,我们提出一种碳化硅电磁加热电路。
技术实现思路
[0003]鉴于上述状况,有必要提供一种解决上述至少一种问题的碳化硅电磁加热电路。
[0004]因此,本技术的目的是提供一种碳化硅电磁加热电路,通过Q1导通时, CE之间的压降会产生损耗,而D1、Q1和D2中的任意一个或几个采用碳化硅,且电路中开关管采用碳化硅,电路中续流二极管采用碳化硅,续流二极管和开关管包封在一起或各自独立,能够解决上述提出现有的问题。
[0005]为解决上述技术问题,根据本技术的一个方面,本技术提供了如下技术方案:
[0006]一种碳化硅电磁加热电路,其包括:D1和Q1,所述D1加致电容C1的两端,所述Q1的电流经L1和Q1形成回路流向D1负端;
[0007]所述Q1与C1之间连接L1,所述L1连接C2,所述C1的上端连接A点,所述Q1的上端连接B点,所述C2的电流经C1和D2由A点流向B点,所述D2连接在Q1两端;
[0008]所述D1和L1之间连接R1上端,所述R1另一端连接控制电路,所述L1和 Q1之间连接R2上端,所述R2另一端连接控制电路,所述A点和B点的电压经 R1和R2同步电路发给控制电路,所述控制电路决定Q1的驱动电平;
[0009]所述电路中开关管采用碳化硅,所述电路中续流二极管采用碳化硅,所述续流二极管和开关管包封在一起或各自独立。
[0010]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述Q1驱动极由控制电路发出一个导通信号,所述Q1导通,则实现Q1的电流经L1和Q1形成回路流向D1负端。
[0011]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述Q1导通期间,L1电流持续上升。
[0012]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述Q1由导通变为截止,则L1向C2电容充电。
[0013]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述C2充满,则L1电流为零。
[0014]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述C2
电容呈现B点高A点的状态,则C2通过L1反向放电。
[0015]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述C2电容左右端平衡后,还会持续的放电。
[0016]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述C2的电流经过A点和B点,则A点电压高于B点电压状态,所述C2的电流经C1和D2由A点流向B点。
[0017]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述C2达到再次平衡前,Q1会再次导通。
[0018]作为本技术所述的一种碳化硅电磁加热电路的一种优选方案,其中:所述Q1的电流经L1和Q1形成回路流向D1负端的过程。
[0019]与现有技术相比:由于D1、Q1和D2中的任意一个或几个采用碳化硅,且电路中开关管采用碳化硅,电路中续流二极管采用碳化硅,续流二极管和开关管包封在一起或各自独立,当在Q1导通时,CE之间的压降会产生损耗,而传统的IGBT损耗较大,在碳化硅IGBT的自身特性的作用下,使碳化硅管导通压降小,损耗小,从而使碳化硅管上产生的热量更小,进而使散热片面积和配合散热的风扇规格可以降低,节约成本;
[0020]由于碳化硅管的损耗小,则有效功率变大,电磁炉能够达到90%的效率,可以标称一级能效,而电磁炉市场数量巨大,意义非凡,且碳化硅管的开关损耗也小于IGBT,所以可以做更高的加热频率,加热铝锅,不锈钢或含铁质较少锅等,具有扩展适用性的效果。
附图说明
[0021]图1是本技术实施例的提供的电路连接图。
具体实施方式
[0022]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术一种碳化硅电磁加热电路进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0023]在本技术的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0025]请参见图1,本技术提供一种碳化硅电磁加热电路,具有碳化硅管导通压降小,损耗小,从而使碳化硅管上产生的热量更小,进而使散热片面积和配合散热的风扇规格
可以降低,节约成本的优点,请参阅图1,包括D1、C1、R1、 C2、R2、D2、Q1和控制电路;
[0026]D1加致电容C1的两端,通过D1能够将220V电源整流后加致电容C1两端,起到电流传输的效果,通过Q1驱动极由控制电路发出一个导通信号,Q1与C1 之间连接L1,当Q1导通,则实现Q1的电流经L1和Q1形成回路流向D1负端,从而完成电流导通,由于L1电感电流不能突变,在Q1导通期间,L1电流持续上升,则达到电磁加热的效果,由于电路中开关管采用碳化硅,电路中续流二极管采用碳化硅,续流二极管和开关管包封在一起或各自独立,当在Q1导通时, CE之间的压降会产生损耗,而传统的IGBT损耗较大,在碳化硅IGBT的自身特性的作用下,使碳化硅管导通压降小,损耗小,从而使碳化硅管上产生的热量更小,进而使散热片面积和配合散热的风扇规格可以降低,节约成本,由于碳化硅管的损耗小,则有效功率变大,电磁炉能够达到90%的效率,可以标称一级能效,而电磁炉市场数量巨大,意义非凡,且碳化硅管的开关损耗也小于IGBT,所以可以做更高的加热频率,加热铝锅,不锈钢或含铁质较少锅等,具有扩展适用性的效果,其本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅电磁加热电路,包括D1和Q1,其特征在于:所述D1加致电容C1的两端,所述Q1的电流经L1和Q1形成回路流向D1负端;所述Q1与C1之间连接L1,所述L1连接C2,所述C1的上端连接A点,所述Q1的上端连接B点,所述C2的电流经C1和D2由A点流向B点,所述D2连接在Q1两端;所述D1和L1之间连接R1上端,所述R1另一端连接控制电路,所述L1和Q1之间连接R2上端,所述R2另一端连接控制电路,所述A点和B点的电压经R1和R2同步电路发给控制电路,所述控制电路决定Q1的驱动电平;所述电路中开关管采用碳化硅,所述电路中续流二极管采用碳化硅,所述续流二极管和开关管包封在一起或各自独立。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅电磁加热电路,其特征在于,所述Q1驱动极由控制电路发出一个导通信号,所述Q1导通,则实现Q1的电流经L1和Q1形成回路流向D1负端。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅电磁加热电路,其特征在于,所述Q...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵小俊,陈春波,马欢,
申请(专利权)人:深圳长联半导体技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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