一种玻璃芯片电容器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电容器技术领域，尤其涉及一种玻璃芯片电容器及其制备方法。本发明专利技术提供了一种玻璃芯片电容器，包括第一电极、第二电极、阳模、阴模和玻璃介质层；所述阳模和阴模的一侧表面均为纳米阵列结构；所述阳模的纳米阵列结构和阴模的纳米阵列结构之间通过玻璃介质层隔开形成类叉指结构；所述阳模的另一侧与第一电极层叠设置；所述阴模的另一侧与第二电极层叠设置。所述玻璃芯片电容器具有较高的容量密度、耐电压和可靠性。耐电压和可靠性。耐电压和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃芯片电容器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电容器
，尤其涉及一种玻璃芯片电容器及其制备方法。

技术介绍

[0002]电容器作为三大无源元件之一，在电子电路中占有重要地位。随着无线技术的迅猛发展，工作频率的不断升高，对元器件的小型化要求越来越高。目前，微波单层芯片电容器(SLC)在电子通信设备中广泛生产使用。SLC通常采用的是平行板电容器结构，由上下电极及电极间的绝缘介质组成。适合微组装工艺、Au/Sn、Au/Si、Au/Ge共晶焊，以及Sn/Pb、导电胶粘接等优点，因其射频功率特性优良倍受移动通信、广播电视及卫星通信等发射基站的青睐，但由于尺寸小、厚度薄，存在耐电压低、可靠性低等劣势。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种玻璃芯片电容器及其制备方法，所述玻璃芯片电容器具有较高的容量密度、耐电压和可靠性。
[0004]为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0005]本专利技术提供了一种玻璃芯片电容器，包括第一电极101、第二电极105、阳模102、阴模104和玻璃介质层103；
[0006]所述阳模102和阴模104的一侧表面均为纳米阵列结构；
[0007]所述阳模102的纳米阵列结构和阴模104的纳米阵列结构之间通过玻璃介质层103隔开形成类叉指结构；
[0008]所述阳模102的另一侧与第一电极101层叠设置；
[0009]所述阴模104的另一侧与第二电极105层叠设置。
[0010]优选的，所述阳模102与玻璃介质层103之间、所述阴模104与玻璃介质层103之间均设置有金属膜层201。
[0011]优选的，所述第一金属膜层201
‑
1和第二金属膜层201
‑
2的厚度独立的为80～200nm。
[0012]优选的，所述第一金属膜层201
‑
1和第二金属膜层201
‑
2的材料独立的为钛、铋、镍、铜、铂、银和金中的一种或几种。
[0013]优选的，所述纳米阵列结构包括纳米槽线阵列结构、纳米同心圆阵列结构或纳米柱状阵列结构。
[0014]优选的，所述第一电极101和第二电极105的材料独立地为金、铂、银、银钯、镍、钛和铜中的一种或几种。
[0015]优选的，所述第一电极101和第二电极105均为图形化电极；
[0016]所述第一电极101和第二电极105的图形化结构独立地为方形或圆角矩形。
[0017]本专利技术还提供了上述技术方案所述玻璃芯片电容器的制备方法，包括以下步骤：
[0018]提供阳模102和阴模104；所述阳模102和阴模104的一侧表面均为纳米阵列结构；
[0019]分别在所述阳模102和阴模104的纳米阵列结构侧的表面分别制备第二金属膜层201
‑
2和第一金属膜层201
‑
1；
[0020]在所述第一金属膜层201
‑
1和第二金属膜层201
‑
2的表面分别进行第一真空阳极键合制备第一玻璃板202
‑
1和第二玻璃板202
‑
2后，进行热处理至所述第一玻璃板(202
‑
1)和第二玻璃板(202
‑
2)熔融回填，分别得到预处理后的阳模和预处理后的阴模；
[0021]按照类叉指结构，将所述预处理后的阳模和预处理后的阴模对准，进行第二真空阳极键合，得到配合体；
[0022]将所述配合体进行压合热处理，得到压合体；
[0023]在所述压合体的阳模一侧制备第一电极101，在所述压合体的阴模一侧制备第二电极105，得到所述玻璃芯片电容器。
[0024]优选的，所述第一电极101和第二电极105制备完成后，还包括对所述第一电极101和第二电极105分别进行光刻图形化。
[0025]本专利技术提供了一种玻璃芯片电容器，包括第一电极101、第二电极105、阳模102、阴模104和玻璃介质层103；所述阳模102和阴模104的一侧表面均为纳米阵列结构；所述阳模102的纳米阵列结构和阴模104的纳米阵列结构之间通过玻璃介质层103隔开形成类叉指结构；所述阳模102的另一侧与第一电极101层叠设置；所述阴模104的另一侧与第二电极105层叠设置。本专利技术将电容器的电极进行三维结构化设计，使阳模和阴模的一侧表面均设置为纳米阵列结构，并将所述阳模的纳米阵列结构和阴模的纳米阵列结构之间通过玻璃介质层隔开形成类叉指结构，从而增加电容器有效面积，进而提高电容器的容量密度；另一方面，使用玻璃材料作为电容器介质层，有利于提高电容器的耐电压、增加器件强度，提高器件的可靠性。同时，本专利技术采用上
‑
下平面电极的结构，适合引线键合，满足微组装及嵌入组装的要求，也可以在多层印刷电路板中作为嵌入式电容器使用，从而能够进一步提高电路集成度。根据实施例的记载，本专利技术所述的玻璃芯片电容器的电容量为1.2nF
±
20％@1kHz，损耗＜0.1％@1kHz，耐电压为600～800V，温度系数为60ppm/K。
附图说明
[0026]图1为本专利技术所述玻璃芯片电容器的截面结构示意图；
[0027]图2为本专利技术所述玻璃芯片电容器的立体结构示意图；
[0028]图3为本专利技术所述阳模和阴模的截面结构示意图；
[0029]图4为本专利技术在所述阳模102和阴模104的纳米阵列结构侧的表面分别制备第一金属膜层201
‑
1和第二金属膜层201
‑
2后的结构示意图；
[0030]图5为本专利技术在所述第一金属膜层201
‑
1和第二金属膜层201
‑
2的表面进行第一真空阳极键合玻璃板后的结构示意图；
[0031]图6为本专利技术所述第一玻璃板(202
‑
1)和第二玻璃板(202
‑
2)熔融回填后的结构示意图；
[0032]图7为本专利技术所述配合体的结构示意图；
[0033]图8为本专利技术所述压合体的结构示意图；
[0034]其中，101第一电极，102阳模，103玻璃介质层，104阴模，105第二电极，201
‑
1第一金属膜层，201
‑
2第二金属膜层，202
‑
1第一玻璃板，202
‑
2第二玻璃板。
具体实施方式
[0035]如图1或2所示，本专利技术提供了一种玻璃芯片电容器，包括第一电极101、第二电极105、阳模102、阴模104和玻璃介质层103；
[0036]所述阳模102和阴模104的一侧表面均为纳米阵列结构；
[0037]所述阳模102的纳米阵列结构和阴模104的纳米阵列结构之间通过玻璃介质层103隔开形成类叉指结构；
[0038]所述阳模102的另一侧与第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃芯片电容器，其特征在于，包括第一电极(101)、第二电极(105)、阳模(102)、阴模(104)和玻璃介质层(103)；所述阳模(102)和阴模(104)的一侧表面均为纳米阵列结构；所述阳模(102)的纳米阵列结构和阴模(104)的纳米阵列结构之间通过玻璃介质层(103)隔开形成类叉指结构；所述阳模(102)的另一侧与第一电极(101)层叠设置；所述阴模(104)的另一侧与第二电极(105)层叠设置。2.如权利要求1所述的玻璃芯片电容器，其特征在于，所述阳模(102)与玻璃介质层(103)之间设置有第二金属膜层(201
‑
2)；所述阴模(104)与玻璃介质层(103)之间设置有第一金属膜层(201
‑
1)。3.如权利要求2所述的玻璃芯片电容器，其特征在于，所述第一金属膜层(201
‑
1)和第二金属膜层(201
‑
2)的厚度独立的为80～200nm。4.如权利要求2或3所述的玻璃芯片电容器，其特征在于，所述第一金属膜层(201
‑
1)和第二金属膜层(201
‑
2)的材料独立的为钛、铋、镍、铜、铂、银和金中的一种或几种。5.如权利要求1所述的玻璃芯片电容器，其特征在于，所述纳米阵列结构包括纳米槽线阵列结构、纳米同心圆阵列结构或纳米柱状阵列结构。6.如权利要求1所述的玻璃芯片电容器，其特征在于，所述第一电极(101)和第二电极(105)的材料独立地为金、铂、银、银钯、镍、钛和铜中的一种或几种。7.如权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘福扩，何家欢，罗育红，张美影，
申请(专利权)人：广州天极电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：