铁氧体瓷器组合物以及线圈部件制造技术

本发明专利技术提供一种具有高抗弯强度和导磁率的铁氧体瓷器组合物。该铁氧体瓷器组合物包含Fe、Ni、Zn、Cu、Si作为主成分，将Fe换算为Fe2O3，形成为27.0mol％以上且41.0mol％以下，将Ni换算为NiO，形成为16.0mol％以上且24.0mol％以下，将Zn换算为ZnO，形成为23.0mol％以上且37.0mol％以下，将Cu换算为CuO，形成为5.0mol％以上且9.0mol％以下，将Si换算为SiO2，形成为4.0mol％以上且14.0mol％以下，该铁氧体瓷器组合物包含Bi、Co、Mn、Cr作为副成分，相对于所述主成分100质量份，将Bi换算为Bi2O3，形成为0.3质量份以上且1.2质量份以下，将Co换算为Co3O4，形成为0.3质量份以上且1.2质量份以下，将Mn换算为Mn2O3，形成为0.01质量份以上且0.25质量份以下，将Cr换算为Cr2O3，形成为0.003质量份以上且0.030质量份以下。成为0.003质量份以上且0.030质量份以下。成为0.003质量份以上且0.030质量份以下。

【技术实现步骤摘要】
铁氧体瓷器组合物以及线圈部件


[0001]本公开涉及铁氧体瓷器组合物以及线圈部件。

技术介绍

[0002]据报告可知，在线圈部件中，通过使用包含铁氧体组合物和硅酸锌的复合磁性材料，从而能够提供本体的电阻率较高的电子部件(专利文献1)
[0003]专利文献1：日本特开2019－210204号公报
[0004]在专利文献1中，虽公开了本体的电阻率较高的电子部件，但在专利文献1所记载的复合磁性材料中，有无法充分获得抗弯强度和导磁率的担忧。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于提供一种具有高抗弯强度和导磁率的铁氧体瓷器组合物。
[0006]本公开包括以下方式。
[0007][1]一种铁氧体瓷器组合物，其中，
[0008]上述铁氧体瓷器组合物包含Fe、Ni、Zn、Cu、Si作为主成分，
[0009]将Fe换算为Fe2O3，形成为27.0mol％以上且41.0mol％以下，
[0010]将Ni换算为NiO，形成为16.0mol％以上且24.0mol％以下，
[0011]将Zn换算为ZnO，形成为23.0mol％以上且37.0mol％以下，
[0012]将Cu换算为CuO，形成为5.0mol％以上且9.0mol％以下，
[0013]将Si换算为SiO2，形成为4.0mol％以上且14.0mol％以下，
[0014]上述铁氧体瓷器组合物包含Bi、Co、Mn、Cr作为副成分，相对于上述主成分100质量份，
[0015]将Bi换算为Bi2O3，形成为0.3质量份以上且1.2质量份以下，
[0016]将Co换算为Co3O4，形成为0.3质量份以上且1.2质量份以下，
[0017]将Mn换算为Mn2O3，形成为0.01质量份以上且0.25质量份以下，
[0018]将Cr换算为Cr2O3，形成为0.003质量份以上且0.030质量份以下。
[0019][2]根据上述[1]所述的铁氧体瓷器组合物，其中，上述铁氧体瓷器组合物中的晶体颗粒的平均晶体粒径为0.2μm以上且0.8μm以下。
[0020][3]根据上述[1]或[2]所述的铁氧体瓷器组合物，其中，上述铁氧体瓷器组合物中的晶体颗粒的平均晶体粒径为0.2μm以上且0.5μm以下。
[0021][4]根据上述[1]～[3]中的任一项所述的铁氧体瓷器组合物，其中，上述铁氧体瓷器组合物包含磁性体相和非磁性体相，上述磁性体相至少包含Fe、Ni、Zn以及Cu，上述非磁性体相至少包含Si和Zn。
[0022][5]一种线圈部件，其包括：
[0023]绝缘体部；
[0024]线圈，其埋设于上述绝缘体部，并与多个线圈导体层电连接；以及
[0025]外部电极，其设置于上述绝缘体部的表面，并与上述线圈电连接，
[0026]其中，
[0027]上述绝缘体部由上述[1]～[4]中的任一项所述的铁氧体瓷器组合物构成。
[0028][6]根据上述[5]所述的线圈部件，其中，上述绝缘体部的在长度方向上的尺寸为0.95mm以上且1.05mm以下，上述绝缘体部的在宽度方向上的尺寸为0.45mm以上且0.55mm以下。
[0029]根据本公开，能够提供抗弯强度和导磁率较高的铁氧体瓷器组合物。
附图说明
[0030]图1是示意表示本公开的线圈部件1的立体图。
[0031]图2是表示沿着图1所示的线圈部件1的x－x的剖切面的剖视图。
[0032]图3是表示交替配置有导通孔导体10的引出部7的剖视图。
[0033]图4是表示配置为导通孔导体10的中心对齐的引出部7的剖视图。
[0034]附图标记说明
[0035]1…
线圈部件；2
…
绝缘体部；3
…
线圈；4、5
…
外部电极；6
…
线圈导体层；7、8
…
引出部；9
…
焊盘导体层；10
…
导通孔导体。
具体实施方式
[0036]本公开的铁氧体瓷器组合物构成为包含主成分和副成分。
[0037]上述主成分包含Fe、Ni、Zn、Cu以及Si。
[0038]上述Fe的含量换算为Fe2O3，为27.0mol％以上且41.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，优选为30.0mol％以上且38.0mol％以下。
[0039]上述Ni的含量换算为NiO，为16.0mol％以上且24.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，优选为17.0mol％以上且20.0mol％以下。
[0040]上述Zn的含量换算为ZnO，为23.0mol％以上且37.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，优选为25.0mol％以上且35.0mol％以下。
[0041]上述Cu的含量换算为CuO，为5.0mol％以上且9.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，优选为6.0mol％以上且8.0mol％以下。
[0042]上述Si的含量换算为SiO2，为4.0mol％以上且14.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，优选为6.0mol％以上且12.0mol％以下。
[0043]通过将Fe、Ni、Zn、Cu以及Si的含量形成为上述范围，能够获得优异的抗弯强度和导磁率。
[0044]上述副成分包含Bi、Co、Mn以及Cr。
[0045]相对于上述主成分100质量份，上述Bi的含量换算为Bi2O3，为0.3质量份以上且1.2质量份以下，优选为0.4质量份以上且0.8质量份以下。
[0046]相对于上述主成分100质量份，上述Co的含量换算为Co3O4，为0.3质量份以上且1.2质量份以下，优选为0.4质量份以上且0.8质量份以下。
[0047]相对于上述主成分100质量份，上述Mn的含量换算为Mn2O3，为0.01质量份以上且0.25质量份以下，优选为0.05质量份以上且0.20质量份以下。
[0048]相对于上述主成分100质量份，上述Cr的含量换算为Cr2O3，为0.003质量份以上且0.030质量份以下，优选为0.005质量份以上且0.020质量份以下。
[0049]通过将Bi、Co、Mn以及Cr的含量形成为上述范围，能够获得优异的抗弯强度和导磁率。
[0050]铁氧体瓷器组合物中的晶体颗粒的平均晶体粒径优选为0.2μm以上且0.8μm以下，更优选为0.2μm以上且0.5μm以下。通过将该平均晶体粒径形成为上述范围，从而铁氧体瓷器组合物的耐电压性提高。
[0051]能够如以下那样测定上述平均晶体粒径。
[0052]将铁氧体瓷器组合物成型为板状而作为样品，使规定的面暴露地利用树脂加从四周固样品，并利用磨床进行研磨直至样品的大致中央部暴露为止。在研磨后，利用聚焦离子束(FIB)加工截面，由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁氧体瓷器组合物，其中，所述铁氧体瓷器组合物包含Fe、Ni、Zn、Cu、Si作为主成分，将Fe换算为Fe2O3，形成为27.0mol％以上且41.0mol％以下，将Ni换算为NiO，形成为16.0mol％以上且24.0mol％以下，将Zn换算为ZnO，形成为23.0mol％以上且37.0mol％以下，将Cu换算为CuO，形成为5.0mol％以上且9.0mol％以下，将Si换算为SiO2，形成为4.0mol％以上且14.0mol％以下，所述铁氧体瓷器组合物包含Bi、Co、Mn、Cr作为副成分，相对于所述主成分100质量份，将Bi换算为Bi2O3，形成为0.3质量份以上且1.2质量份以下，将Co换算为Co3O4，形成为0.3质量份以上且1.2质量份以下，将Mn换算为Mn2O3，形成为0.01质量份以上且0.25质量份以下，将Cr换算为Cr2O3，形成为0.003质量份以上且0.030质量份以下。2.根据权利要求1所述的铁氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉井一星，酒井崇史，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：