一种负逻辑控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种负逻辑控制电路，包括使能端ON/OFF、直流输入端VDD、比较器U1、第一三极管Q1、第一MOS管Q2，直流输入端VDD通过串联的第一电阻R1、第二电阻R2与第一三极管Q1的基极相连，使能端ON/OFF通过第一二极管D1、第二电阻R2与第一三极管Q1的基极相连，第一三极管Q1的基极连接在第二电阻R2、第三电阻R3之间，第一三极管Q1的集电极与比较器U1的反相输入端相连，比较器U1的同相输入端连接在第四电阻R4、第五电阻R5之间，比较器U1的反相输入端连接在第六电阻R6、第七电阻R7之间，比较器U1的输出引脚通过第二二极管D2与第一MOS管Q2栅极连接，第一MOS管Q2的漏极与反馈输出端COMP连接，第一MOS管Q2的源极接地。本负逻辑控制电路安全性高，电路设计简单。电路设计简单。电路设计简单。

【技术实现步骤摘要】
一种负逻辑控制电路


[0001]本技术涉及电源电路技术，尤其涉及一种负逻辑控制电路。

技术介绍

[0002]用户需要定制的产品要求具有负逻辑控制电路工作方式及遥控功能。现有技术中实现负逻辑控制电路的方案通常有两种：一种是产品本身为正逻辑关系控制，在产品外围用户使用时通过一个光耦或MOS管来实现负逻辑的控制，但是这样的方案需要用户自搭电路，从而降低用户体验及提高制造成本；另一种是产品内部集成光耦或MOS管实现负逻辑控制，通过输入电平的高低来完成负逻辑控制遥控的开关，但是这类方案仅是根据电平的高低来控制负逻辑电路，当输入电压过高过低容易导致电路的损坏，从而影响电路的安全性。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种负逻辑控制电路，通过比较器和三极管、MOS管连接，比较器作为负逻辑控制电路的控制主体，三极管作为比较器的控制切换器件，MOS管作为比较器的输出控制器件，提高负逻辑控制电路的安全性。
[0004]本实施例提供了一种负逻辑控制电路，使能端ON/OFF、直流输入端VDD、比较器U1、第一三极管Q1、第一MOS管Q2，直流输入端VDD通过串联的第一电阻R1、第二电阻R2与第一三极管Q1的基极相连，使能端ON/OFF通过第一二极管D1、第二电阻R2与第一三极管Q1的基极相连，第一三极管Q1的基极连接在第二电阻R2、第三电阻R3之间，第一三极管Q1的集电极与比较器U1的反相输入端相连，比较器U1的同相输入端连接在第四电阻R4、第五电阻R5之间，比较器U1的反相输入端连接在第六电阻R6、第七电阻R7之间，比较器U1的输出引脚通过第二二极管D2与第一MOS管Q2栅极连接，第一MOS管Q2的漏极与反馈输出端COMP连接，第一MOS管Q2的源极接地。
[0005]进一步的，所述第一三极管Q1为NPN型三极管。
[0006]进一步的，所述第一MOS管Q2为N沟道结型场效应管。
[0007]进一步的，所述第五电阻R5的阻值和所述第六电阻R6的阻值相同，所述第七电阻R7的阻值大于所述第四电阻R4的阻值。
[0008]进一步的，所述负逻辑控制电路还包括：第八电阻R8，所述第八电阻R8连接在比较器U1的同相输入端和输出引脚之间，以使比较器U1构成迟滞比较器。
[0009]进一步的，所述第一二极管D1、所述第二二极管D2为肖特基二极管。
[0010]进一步的，所述负逻辑控制电路还包括：第一滤波电容C1、第二滤波电容C2、第三滤波电容C3，第一滤波电容与第二电阻R2、第三电阻R3并联，第二滤波电容C2并联在比较器U1的同相输入端和负侧电源引脚之间，第三滤波电容C3并联在比较器U1的反相输入端和负侧电源引脚之间。
[0011]实施本技术实施例，将具有如下有益效果：
[0012]当使能端的电平信号为低电平时，三极管截止，比较器反向输入端的电压比同相
输入端的电压大，比较器输出低电平，MOS管关断，产品遥控开启；当使能端的电平信号为高电平时，三极管导通，比较器反向输入端的电压比同相输入端的电压小，比较器输出高电平，MOS管导通，产品遥控关闭；通过比较器和三极管、MOS管连接，比较器作为负逻辑控制电路的控制主体，三极管作为比较器的控制切换器件，MOS管作为比较器的输出控制器件，提高负逻辑控制电路的安全性。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为本技术一实施例提供的一种负逻辑控制电路的原理图。
具体实施方式
[0015]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以容许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0016]需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0017]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0018]如图1所示，本实施例提供一种负逻辑控制电路，包括：使能端ON/OFF、直流输入端VDD、比较器U1、第一三极管Q1、第一MOS管Q2，直流输入端VDD通过串联的第一电阻R1、第二电阻R2与第一三极管Q1的基极相连，使能端ON/OFF通过第一二极管D1、第二电阻R2与第一三极管Q1的基极相连，第一三极管Q1的基极连接在第二电阻R2、第三电阻R3之间，第一三极管Q1的集电极与比较器U1的反相输入端相连，比较器U1的同相输入端连接在第四电阻R4、第五电阻R5之间，比较器U1的反相输入端连接在第六电阻R6、第七电阻R7之间，比较器U1的输出引脚通过第二二极管D2与第一MOS管Q2栅极连接，第一MOS管Q2的漏极与反馈输出端COMP连接，第一MOS管Q2的源极接地。
[0019]具体地，第一电阻R1用于限制第一二极管D1及第一三极管Q1的电流。第二电阻R2、第三电阻R3用于对使能端ON/OFF的电压进行分压。第四电阻R4、第五电阻R5用于直流输入端VDD分压后作同相输入端，第六电阻R6、第七电阻R7用于直流输入端VDD分压后作反相输入端。通过第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7分压电阻设计使得比较器U1的初始状态时同向输入电压比反向输入电压低，从而实现在初始工作，使能端不加以控制为悬空状态下，反馈输出端COMP处于被拉地状态。二极管是用半导体材料制成的一种电子器件，具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极
和阴极加上反向电压时，二极管截止，因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。第一二极管D1的导通与截止影响第一三极管Q1的输入电压。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。第一三极管Q1的导通与截止影响着比较器U1的反向输入端电压。
[0020]直流输入端VDD给比较器U1供电，同时作为比较器U1同相输入端、比较器U1反向输入端的分压源及使能端ON/OFF端的供电源，直流输入端VDD的电压作为比较器U1的参考电压。使能端ON/OFF的电压的高低电平影响第一三极管Q1的导通截止，第一三极管Q1的导通截止影响比较器U1的输出，从而影响与比较器U1输出相连的反馈输出端COMP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负逻辑控制电路，其特征在于，包括使能端ON/OFF、直流输入端VDD、比较器U1、第一三极管Q1、第一MOS管Q2，直流输入端VDD通过串联的第一电阻R1、第二电阻R2与第一三极管Q1的基极相连，使能端ON/OFF通过第一二极管D1、第二电阻R2与第一三极管Q1的基极相连，第一三极管Q1的基极连接在第二电阻R2、第三电阻R3之间，第一三极管Q1的集电极与比较器U1的反相输入端相连，比较器U1的同相输入端连接在第四电阻R4、第五电阻R5之间，比较器U1的反相输入端连接在第六电阻R6、第七电阻R7之间，比较器U1的输出引脚通过第二二极管D2与第一MOS管Q2栅极连接，第一MOS管Q2的漏极与反馈输出端COMP连接，第一MOS管Q2的源极接地。2.根据权利要求1所述的一种负逻辑控制电路，其特征在于，所述第一三极管Q1为NPN型三极管。3.根据权利要求1所述的一种负逻辑控制电路，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪加强，陈杰，唐洪，沈成培，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：