双能TDI探测器制造技术

本申请公开了一种双能TDI探测器，该探测器包括电路板、半导体探测芯片阵列、至少两排闪烁体阵列、至少两排滤波片；其中，所述至少两排闪烁体阵列为类型相同的闪烁体阵列；所述半导体探测芯片阵列耦合在所述电路板上；所述至少两排闪烁体阵列位于所述半导体探测芯片阵列上方；所述至少两排滤波片位于所述至少两排闪烁体阵列的上方；所述至少两排滤波片，设置为遮挡全部闪烁体阵列的一部分。该探测器能够仅使用一种闪烁体探测阵列和一张电路板即可达到双能TDI效果。达到双能TDI效果。达到双能TDI效果。

【技术实现步骤摘要】
双能TDI探测器


[0001]本申请涉及X射线(伽马射线)探测领域，尤指一种双能TDI探测器。

技术介绍

[0002]现有的双能TDI(Time Delay Integration:时间延迟积分)探测器，有两种探测电路板，一种低能探测板，一种高能探测板。两种探测电路板有低能闪烁体和高能闪烁体，分别吸收低能能量和高能能量。两种探测板之间有滤波片，射线进入低能探测板后，低能探测板吸收低能能量，之后射线通过滤波片，滤波片将低能射线能量过滤阻挡，只有高能通过，进入高能探测板，高能探测板吸收高能能量。在硬件结构上，可以做成叠层(如图1所示，半导体探测芯片阵列未示出)，即高能探测板和低能探测板上下叠放，中间是滤波片。也可以如图2所示(图2中半导体探测芯片阵列未示出)做成一张电路板，低能探测板在一面，高能探测板在另一面，滤波片在电路板中间。目前的结构具有以下缺点：两种探测器都需要组装，对工艺和机械装配要求较高；采用两种闪烁体和电路板才能实现双能探测功能，增加了成本和功耗。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种双能TDI探测器，该探测器能够仅使用一种闪烁体阵列和一张电路板即可达到双能TDI效果。
[0004]本申请提供了一种双能TDI探测器，包括电路板、半导体探测芯片阵列、至少两排闪烁体阵列、至少两排滤波片；其中，所述至少两排闪烁体阵列为类型相同的闪烁体阵列；
[0005]所述半导体探测芯片阵列耦合在所述电路板上；所述至少两排闪烁体阵列位于所述半导体探测芯片阵列上方；
[0006]所述至少两排滤波片位于所述至少两排闪烁体阵列的上方；
[0007]所述至少两排滤波片，设置为遮挡全部闪烁体阵列的一部分。
[0008]一种示例性的实施例中，所述至少两排滤波片中的每一排滤波片上间隔设置有镂空区域。
[0009]一种示例性的实施例中，相邻排的滤波片上的镂空区域不相邻。
[0010]一种示例性的实施例中，相邻排的滤波片上的镂空区域相邻。
[0011]一种示例性的实施例中，所述至少两排滤波片中的每一排滤波片上未设置镂空区域。
[0012]一种示例性的实施例中，全部滤波片呈连续排列。
[0013]一种示例性的实施例中，滤波片各排呈隔排排列。
[0014]一种示例性的实施例中，所述半导体探测芯片阵列为光电二极管半导体探测芯片阵列，或为CMOS探测阵列。
[0015]一种示例性的实施例中，所述至少两排闪烁体阵列为Ceramic GOS闪烁体阵列。
[0016]一种示例性的实施例中，所述至少两排滤波片中的每一排滤波片为铜材质的滤波
片。
[0017]本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
[0018]附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
[0019]图1为现有技术的一种双能TDI探测器的示意图；
[0020]图2为现有技术的又一种双能TDI探测器的示意图；
[0021]图3为本申请实施例的双能TDI探测器的示意图；
[0022]图4为本申请实施例的一种双能TDI探测器的俯视图；
[0023]图5为图4的双能TDI探测器的侧视图；
[0024]图6为本申请实施例的又一种双能TDI探测器的俯视图；
[0025]图7为本申请实施例的又一种双能TDI探测器的俯视图；
[0026]图8为本申请实施例的又一种双能TDI探测器的俯视图；
[0027]图9为本申请实施例的又一种双能TDI探测器的俯视图；
[0028]图10为本申请实施例的又一种双能TDI探测器的俯视图。
具体实施方式
[0029]图3为本申请实施例的双能TDI探测器的示意图，如图1所示，本实施例的双能TDI探测器包括电路板、半导体探测芯片阵列、至少两排闪烁体阵列、至少两排滤波片；其中，所述至少两排闪烁体阵列为类型相同的闪烁体阵列；所述半导体探测芯片阵列耦合在所述电路板上；所述至少两排闪烁体阵列位于所述半导体探测芯片阵列上方；所述至少两排滤波片位于所述至少两排闪烁体阵列的上方；所述至少两排滤波片，设置为遮挡全部闪烁体阵列的一部分。
[0030]需要说明的是，物理位置上，半导体探测芯片阵列在闪烁体的下方。
[0031]一种示例性的实施例中，滤波片通过机械装配或者胶粘贴的方式组装在闪烁体阵列上方。通过滤波片的不同排列，被滤波片遮挡的闪烁体部分作为高能闪烁体使用，未被滤波片遮挡的部分作为低能闪烁体使用。
[0032]一种示例性的实施例中，电路板是具有逻辑功能的电路板。
[0033]一种示例性的实施例中，多排阵列是为了实现TDI功能，排数可根据需求进行变化，比如2排、8排，或者128排等。
[0034]一种示例性的实施例中，所述至少两排滤波片中的每一排滤波片上间隔设置有镂空区域。镂空区域的大小和形状可以根据实际需要设定。
[0035]一种示例性的实施例中，相邻排的滤波片上的镂空区域不相邻(如图4所示)。
[0036]一种示例性的实施例中，相邻排的滤波片上的镂空区域相邻(如图6所示)。
[0037]一种示例性的实施例中，所述至少两排滤波片中的每一排滤波片上未设置镂空区域。
[0038]一种示例性的实施例中，全部滤波片呈连续排列。例如一排滤波片接着另一排滤波片(如图7或8所示)。
[0039]一种示例性的实施例中，滤波片各排呈隔排排列。例如，在闪烁体层上每隔一排设置有一排滤波片(如图9或10所示)。
[0040]一种示例性的实施例中，所述半导体探测芯片阵列为光电二极管半导体探测芯片阵列，或为CMOS探测阵列。
[0041]一种示例性的实施例中，所述至少两排闪烁体阵列为Ceramic GOS闪烁体阵列。在其他一些实施例中，闪烁体材料可根据实际需求选择，如CSI，CWO，GOS film，GGAG等。
[0042]一种示例性的实施例中，所述至少两排闪烁体阵列为类型相同的闪烁体阵列。
[0043]一种示例性的实施例中，所述至少两排滤波片中的每一排滤波片为铜材质的滤波片。
[0044]在其他一些实施例中，滤波片也可以采用其他金属或有射线吸收能力的物质。
[0045]本申请至少一个实施例通过闪烁体阵列耦合在电路板上，滤波片以交错排列的模式组装在闪烁体阵列之上，被滤波片遮挡区域为高能像素区域，未被遮挡区域为低能像素区域。因为只有一种闪烁体，作为线阵扫描探测器，在每一行上，高能区域和低能区域在空间上都存在不连续，通过特定的算法，可以通过行内的高能区域像素推算出低能区域像素值，也通过行内低能像素区域推算出高能区域像素值，保证每行像素图像连续。如果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双能TDI探测器，其特征在于，包括电路板、半导体探测芯片阵列、至少两排闪烁体阵列、至少两排滤波片；其中，所述至少两排闪烁体阵列为类型相同的闪烁体阵列；所述半导体探测芯片阵列耦合在所述电路板上；所述至少两排闪烁体阵列位于所述半导体探测芯片阵列上方；所述至少两排滤波片位于所述至少两排闪烁体阵列的上方；所述至少两排滤波片，设置为遮挡全部闪烁体阵列的一部分。2.如权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述至少两排滤波片中的每一排滤波片上间隔设置有镂空区域。3.如权利要求2所述的探测器，其特征在于，相邻排的滤波片上的镂空区域不相邻。4.如权利要求2所述的探测器，其特征在于，相...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢振岭，米科，
申请(专利权)人：地太科特电子制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：