金属陶瓷管壳封装结构制造技术

技术编号:35166438 阅读:26 留言:0更新日期:2022-10-12 17:29
本实用新型专利技术公开了一种金属陶瓷管壳封装结构,包括金属陶瓷管壳外框和绝缘陶瓷基板,金属陶瓷管壳外框设置于绝缘陶瓷基板的上方,金属陶瓷管壳外框的底部与绝缘陶瓷基板固定连接。采用上述封装结构的功率模块,使高温焊接后金属陶瓷管壳外框的收缩力仅作用在绝缘陶瓷基板上方,改变热膨胀系数不匹配带来的应力分布,可以使用更薄的绝缘陶瓷基板,具有更高的散热效率。高的散热效率。高的散热效率。

【技术实现步骤摘要】
金属陶瓷管壳封装结构


[0001]本技术涉及半导体领域,特别涉及一种金属陶瓷管壳封装结构。

技术介绍

[0002]电力电子技术在当今快速发展的工业领域占有非常重要的地位,电力电子功率模块作为电力电子技术的代表,已广泛应用于电动汽车,光伏发电,风力发电,工业变频等行业。
[0003]随着功率模块的需求不断增加,对功率模块高温、高压、高功率密度等也提出更高的要求,但是目前绝大多数半导体功率模块封装以塑封为主,抗盐雾腐蚀能力差、工作温度范围小,整体质量及可靠性较差,所以金属陶瓷封装正日益成为高可靠领域封装的主流。由于功率模块功率密度大,且中小功率模块为减少重量,一般采用风冷的形式散热,散热效率较水冷低,因此功率模块的散热性能显得至关重要。现有的采用金属陶瓷管壳封装的功率模块,由于金属陶瓷管壳高温焊接后翘曲变形,会导致绝缘陶瓷基板开裂,为了避免绝缘陶瓷基板开裂,绝缘陶瓷基板较厚,降低了功率模块的散热效率。

技术实现思路

[0004]技术目的:本技术的目的是提出一种金属陶瓷管壳封装结构,可以改变由于材料热膨胀系数不匹配带来的应力分布问题,改善高温焊接后的底面反弧度问题,同时解决大面积陶瓷开裂问题,降低绝缘陶瓷基板厚度,提高散热效率。
[0005]技术方案:本技术所述的金属陶瓷管壳封装结构,包括金属陶瓷管壳外框和绝缘陶瓷基板,所述金属陶瓷管壳外框设置于所述绝缘陶瓷基板上,所述金属陶瓷管壳外框的底部与所述绝缘陶瓷基板固定连接。
[0006]进一步的,所述金属陶瓷管壳外框的底部设有向内延伸的连接部,所述金属陶瓷管壳外框通过所述连接部与所述绝缘陶瓷基板连接。
[0007]进一步的,所述绝缘陶瓷基板嵌设在所述金属陶瓷管壳外框底部。
[0008]进一步的,所述绝缘陶瓷基板底部设有金属散热层。
[0009]进一步的,所述金属散热层底部设有调节孔。
[0010]进一步的,所述绝缘陶瓷基板上设有导电金属层,所述导电金属层用于设置芯片及键合线,所述金属陶瓷管壳外框上设有端子,所述导电金属层和所述绝缘陶瓷基板之间通过高温焊连接在一起组成散热通道。
[0011]有益效果:与现有技术相比,本技术具有如下优点:1、使高温焊接后金属陶瓷管壳外框的收缩力仅作用在绝缘陶瓷基板上方,改变热膨胀系数不匹配带来的应力分布,解决了传统金属陶瓷管壳反弧度问题,降低绝缘陶瓷基板底部与散热器之间的导热硅脂厚度,提高散热效率。2、可以通过调节金属散热层厚度及调节孔的大小和数量精确控制底部翘曲度,解决由于热膨胀系数不匹配带来的大面积陶瓷开裂问题,因此可以使用更薄的陶瓷基板进一步提高散热效率。
附图说明
[0012]图1为本技术的第一实施例的封装结构的内部立体示意图;
[0013]图2为本技术的第一实施例的封装结构的侧面剖视图;
[0014]图3为图2中A处的放大示意图;
[0015]图4为本技术的第一实施例的封装结构的仰视图;
[0016]图5为传统封装结构的示意图;
[0017]图6为传统封装结构高温焊接后的翘曲度示意图;
[0018]图7为图6中B处的放大示意图;
[0019]图8为本技术实施例的封装结构高温焊接后的翘曲度示意图;
[0020]图9为本技术的第二实施例的封装结构的侧面剖视图;
[0021]图10为本技术的第三实施例的封装结构的侧面剖视图;
[0022]图11为传统功率模块的散热仿真图;
[0023]图12为本技术实施例的功率模块的散热仿真图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图对本技术的技术方案作进一步说明。
[0025]参照图1,根据本技术实施例的金属陶瓷管壳封装结构,包括金属陶瓷管壳外框100和绝缘陶瓷基板200,金属管壳外框设置于绝缘陶瓷基板200的上方,并且金属陶瓷管壳外框100的底部与绝缘陶瓷基板200固定连接。
[0026]金属陶瓷管壳封装的功率模块主要部件的材料、导热率和热膨胀系数如表1所示。由于绝缘陶瓷基板200的热膨胀系数较小,金属陶瓷管壳外框100的热膨胀系数较大,高温烧结之后,传统的如图5所示的封装结构,绝缘陶瓷基板200设置于金属陶瓷管壳封装外框的底部上方,壳体冷却收缩力作用于陶瓷绝缘基板之下,绝缘陶瓷基板200上层的导电金属层210较薄,上下应力不一致导致底面翘曲变形,形成一个内凹的反弧度,如图6和图7所示,易导致绝缘陶瓷基板200开裂,所以常常采用较厚的绝缘陶瓷基板200防止开裂,增加了芯片220与散热器300之间的导热介质的厚度,使散热效果变差。而根据上述技术方案的金属陶瓷管壳封装结构,通过将金属陶瓷管壳外框100设置在绝缘陶瓷基板200的上方,并且金属陶瓷管壳外框100的底部与绝缘陶瓷基板200仅部分连接,改变了高温焊接后,绝缘陶瓷基板200的应力分布,降低了作用在绝缘陶瓷基板200上的应力,使得可以使用更薄的绝缘陶瓷基板200,提高功率模块的散热效率。
[0027]表1金属陶瓷功率模块散热材料参数表
[0028][0029]在一些实施例中,金属陶瓷管壳外框100的底部边沿可以向内延伸一定长度形成连接部,通过连接部与绝缘陶瓷基板200连接,如图1至3所示。绝缘陶瓷基板200也可以直接嵌设在金属陶瓷管壳外框100内,如图9和图10所示。
[0030]实际的功率模块底部会设置散热器300,传统的金属陶瓷管壳封装结构在金属陶瓷管壳的收缩力作用下会产生如图9所示的翘曲,所以需要在绝缘陶瓷基板200与散热器300的上表面之间设置导热硅脂400填充绝缘陶瓷基板200内凹的部分,以便于封装结构与散热器300良好接触,如图7所示。材料的热阻与厚度正相关,内凹部分导热硅脂400较厚,所以也会增加热阻。为了进一步降低热阻,提高散热效率,绝缘陶瓷基板200的底部设有金属散热层240,提高传热效率的同时,还可以通过调节金属散热层240的厚度,控制封装结构的底部翘曲度,如图8所示,可以使封装结构的底部接近水平或者略微向外凸出,从而降低填平底部的导热硅脂400的用量,进一步降低热阻,提高散热效率。金属散热层240的材料宜选用热导率高且热膨胀系数较大的金属材料,需要设置的金属散热层240的厚度可以通过Silvaco或Synopsys等公司的TCAD软件进行工艺仿真获得。若在金属陶瓷外框的收缩力的作用下,绝缘陶瓷基板200恰好水平或略微外凹翘曲,绝缘陶瓷基板200的底部也可以不设置金属散热层240,如图10所示。
[0031]若在焊接后,封装结构底部的翘曲程度仍然不符合要求,则可以在金属散热层240上开设调节孔241,通过减小金属散热层240的体积从而减小金属散热层240产生的应力,实现对封装结构底部的翘曲程度的进一步微调,调节孔241的大小和数量可以通过工艺仿真或者实验获得。
[0032]采用上述金属陶瓷管壳封装结构的功率模块,绝缘陶瓷基板200上设有导电金属层210,导电本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属陶瓷管壳封装结构,其特征在于,包括金属陶瓷管壳外框和绝缘陶瓷基板,所述金属陶瓷管壳外框设置于所述绝缘陶瓷基板上,所述金属陶瓷管壳外框的底部与所述绝缘陶瓷基板固定连接。2.根据权利要求1所述的金属陶瓷管壳封装结构,其特征在于,所述金属陶瓷管壳外框的底部设有向内延伸的连接部,所述金属陶瓷管壳外框通过所述连接部与所述绝缘陶瓷基板连接。3.根据权利要求1所述的金属陶瓷管壳封装结构,其特征在于,所述绝缘陶瓷基板嵌设在所述金属陶瓷管壳外框底部。4.根据权利要求1所述的金属陶瓷管壳封装结构,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝凤斌
申请(专利权)人:扬州国扬电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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