本发明专利技术公开了一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体，包括外壳主体，外壳主体的顶端安装有上盖板，外壳主体内部的一端固定有基板，且基板的底端安装有多组焊接针脚，基板的顶端固定有底板，且底板的上表面涂抹有印刷焊膏，底板的上表面粘接有绝缘覆铜板，且绝缘覆铜板的顶端安装有氮化镓功率电路板，氮化镓功率电路板顶端的两侧皆安装有绝缘电阻，外壳主体的两内侧壁上皆可拆卸安装有副散热片。本发明专利技术不仅对元器件进行防漏电处理，且提升功率半导体的散热性能，延长功率半导体的使用寿命，还便于工作人员进行装配，提高功率半导体的装配效率。配效率。配效率。
【技术实现步骤摘要】
一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体
[0001]本专利技术涉及功率半导体
，具体为一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体。
技术介绍
[0002]功率半导体包括两部分：功率器件和功率IC，其中功率器件是功率半导体分立器件的简称，功率半导体器件具有处理高电压、大电流的能力，主要用于有大功率处理需求的电力设备的电能变换和控制电路方面，比如变频、变压、变流、功率管理，电压处理范围从几十V到几千V，电流能力最高可达几千A，目前Si材料在半导体行业中占据95％以上半导体器件和99％集成电路的体量，仍占主流，随着氮化镓材料的广泛应用，也出现了部分氮化镓功率半导体，氮化镓功率半导体可以实现更快的导通和关断，同时减少栅极的驱动损耗。
[0003]现今市场上的此类氮化镓功率半导体种类繁多，基本可以满足人们的使用需求，但是依然存在一定的不足之处，现有的此类氮化镓功率半导体由于使用过程中电流、电压较高，可能出现漏电的现象，影响其他电器零部件的正常工作，同时受制于自身功率较大的原因，其工作时产热量较大，功率半导体的散热性能难以满足使用需求。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体，以解决上述
技术介绍
中提出功率半导体易漏电以及散热性能不佳的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体，包括外壳主体，所述外壳主体的顶端安装有上盖板，所述外壳主体内部的一端固定有基板，且所述基板的底端安装有多组焊接针脚，所述基板的顶端固定有底板，且所述底板的上表面涂抹有印刷焊膏，所述底板的上表面粘接有绝缘覆铜板，且所述绝缘覆铜板的顶端安装有氮化镓功率电路板，所述氮化镓功率电路板顶端的两侧皆安装有绝缘电阻，所述外壳主体的两内侧壁上皆可拆卸安装有副散热片，所述上盖板的顶部安装有等间距的主散热片，所述上盖板顶部的两侧皆固定有定位板，所述外壳主体的两内侧壁上皆固定有限位柱。
[0006]优选的，所述外壳主体的两内侧壁上皆固定有固定座，且所述固定座一侧的外壁上设置有连接板，且所述连接板的外壁与副散热片的外壁固定连接，所述连接板一侧的外壁上固定有弹性卡块，且所述弹性卡块与固定座相互卡扣。
[0007]优选的，所述上盖板的两侧外壁上皆开设有散热孔，所述上盖板采用铝合金材质制得。
[0008]优选的，所述基板的两侧外壁上皆固定有多组支架座，多组所述支架座沿着基板的水平面等间距分布。
[0009]优选的，所述限位柱的两内侧壁上皆开设有限位槽，且所述限位槽的内部滑动安装有滑块。
[0010]优选的，所述限位柱的内部弹性安装有滑座，滑座的顶端与滑块的底端固定连接，且所述滑座一侧的外壁上固定有定位柱，且所述定位柱的顶端延伸至限位柱的外部。
[0011]优选的，所述滑座一侧的外壁上固定有弹簧主体，且所述弹簧主体的一端与限位柱的内壁固定连接。
[0012]优选的，所述弹性卡块设置有四组，四组所述弹性卡块关于连接板的中心点呈对称结构，所述固定座的内壁上设置有凹槽，凹槽与弹性卡块的端部卡合。
[0013]优选的，所述定位板表面的两侧皆开设有定位孔，定位孔设置有两组，两组所述定位孔关于定位板的中心线呈对称结构，所述定位柱的直径小于定位孔的直径。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体不仅对元器件进行防漏电处理，且提升功率半导体的散热性能，延长功率半导体的使用寿命，还便于工作人员进行装配，提高功率半导体的装配效率；
[0015](1)通过设置有氮化镓功率电路板和绝缘电阻，利用绝缘覆铜板起到内外初步绝缘的作用，当该功率半导体工作时，通过氮化镓功率电路板上的绝缘电阻进行防漏电处理，提高该功率半导体的工作稳定性；
[0016](2)通过设置有副散热片和主散热片等，取出副散热片，使得连接板背面的弹性卡块卡入至固定座中，此时在外壳主体的两内侧壁上安装有副散热片，利用副散热片进行热量传导，其中上盖板顶部安装等间距的主散热片进行辅助散热，确保外壳主体中的工作热量可迅速传导出去，避免功率半导体长时间处于高温状态下；
[0017](3)通过设置有定位柱和定位孔等相互配合的结构，取出上盖板，使得上盖板压入外壳主体中，即限位柱内部的定位柱自动弹入至定位板的定位孔中，从而将上盖板安装在外壳主体的顶端，装配过程中快捷方便，提升功率半导体的装配效率。
附图说明
[0018]图1为本专利技术的主视结构示意图；
[0019]图2为本专利技术的主视剖面结构示意图；
[0020]图3为本专利技术图2中A处放大结构示意图；
[0021]图4为本专利技术的侧视剖面结构示意图；
[0022]图5为本专利技术的上盖板仰视结构示意图；
[0023]图6为本专利技术的限位柱主视剖面结构示意图；
[0024]图中：1、外壳主体；2、上盖板；201、散热孔；3、基板；301、焊接针脚；4、支架座；5、限位柱；501、弹簧主体；502、限位槽；503、滑块；504、滑座；505、定位柱；6、底板；601、印刷焊膏；7、绝缘覆铜板；8、氮化镓功率电路板；9、绝缘电阻；10、主散热片；11、固定座；12、连接板；13、弹性卡块；14、副散热片；15、定位板；1501、定位孔。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]请参阅图1
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4，本专利技术提供的一种实施例：一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导
体，包括外壳主体1，外壳主体1的顶端安装有上盖板2，外壳主体1内部的一端固定有基板3，且基板3的底端安装有多组焊接针脚301，上盖板2的两侧外壁上皆开设有散热孔201，上盖板2采用铝合金材质制得；
[0027]基板3的两侧外壁上皆固定有多组支架座4，多组支架座4沿着基板3的水平面等间距分布；
[0028]基板3的顶端固定有底板6，且底板6的上表面涂抹有印刷焊膏601，底板6的上表面粘接有绝缘覆铜板7，且绝缘覆铜板7的顶端安装有氮化镓功率电路板8，由印刷焊膏601连接底板6以及绝缘覆铜板7、氮化镓功率电路板8，氮化镓功率电路板8顶端的两侧皆安装有绝缘电阻9，外壳主体1的两内侧壁上皆可拆卸安装有副散热片14；
[0029]利用绝缘覆铜板7起到内外初步绝缘的作用，当该功率半导体工作时，通过氮化镓功率电路板8上的绝缘电阻9进行防漏电处理，提高该功率半导体的工作稳定性；
[0030]外壳主体1的两内侧壁上皆固定有固定座11，且固定座11一侧的外壁上设置有连接板12，且连接板12的外壁与副散热片14的外壁固定连接，连接板12一侧的外壁上固定有弹性卡块13，且弹性卡块13与固定座11相互卡扣，弹性卡块13设置有四组，四组弹性卡块13关本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体，其特征在于：包括外壳主体(1)，所述外壳主体(1)的顶端安装有上盖板(2)，所述外壳主体(1)内部的一端固定有基板(3)，且所述基板(3)的底端安装有多组焊接针脚(301)，所述基板(3)的顶端固定有底板(6)，且所述底板(6)的上表面涂抹有印刷焊膏(601)，所述底板(6)的上表面粘接有绝缘覆铜板(7)，且所述绝缘覆铜板(7)的顶端安装有氮化镓功率电路板(8)，所述氮化镓功率电路板(8)顶端的两侧皆安装有绝缘电阻(9)，所述外壳主体(1)的两内侧壁上皆可拆卸安装有副散热片(14)，所述上盖板(2)的顶部安装有等间距的主散热片(10)，所述上盖板(2)顶部的两侧皆固定有定位板(15)，所述外壳主体(1)的两内侧壁上皆固定有限位柱(5)。2.根据权利要求1所述的一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述外壳主体(1)的两内侧壁上皆固定有固定座(11)，且所述固定座(11)一侧的外壁上设置有连接板(12)，且所述连接板(12)的外壁与副散热片(14)的外壁固定连接，所述连接板(12)一侧的外壁上固定有弹性卡块(13)，且所述弹性卡块(13)与固定座(11)相互卡扣。3.根据权利要求1所述的一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述上盖板(2)的两侧外壁上皆开设有散热孔(201)，所述上盖板(2)采用铝合金材质制得。4.根据权利要求1所述的一种具有防漏电功能的氮化镓功率半导体，其特征在于：所述基板(3)...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘劼，
申请(专利权)人：绍兴芯能光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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