本实用新型专利技术公开了一种改善腔体加热效果的装置，针对等离子刻蚀设备通过电热丝加热腔体内受热不均的问题，提供了以下技术方案，包括密封腔体和设置于密封腔体内的载片台，载片台通过支撑架悬挂固定于密封腔体的内部，密封腔体的底部开设透光口，透光口远离载片台的方向设置多个加热灯泡，加热灯泡的周侧设置用于反射光源至等离子蚀刻加工区域的反射镜。通过设置多个加热灯泡，通过灯泡的光传热代替电热丝加热，能够大幅提高传热效率和传热效果，有助于保证密封腔体内的温度分布均匀，提高设备的生产效率；通过设置反射镜，能够使光线全部汇聚到蚀刻加工区域，有助于提高能源利用效率，同时通过反射镜汇聚光线，还能够增强加热光源的升温能力。光源的升温能力。光源的升温能力。
【技术实现步骤摘要】
一种改善腔体加热效果的装置
[0001]本技术涉及等离子蚀刻领域，更具体地说，它涉及一种改善腔体加热效果的装置。
技术介绍
[0002]等离子蚀刻，是干法蚀刻中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。
[0003]进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、射频、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入通过射频激发成等离子体。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。温度是影响蚀刻速率及副产物挥发速率的一大因素。
[0004]目前，授权公告号为CN214099574U的中国专利公开了一种等离子刻蚀装置，它包括刻蚀腔，刻蚀腔内设置有晶圆托盘和与晶圆托盘相对设置的上电极，晶圆托盘用于支撑并夹持待刻蚀的晶圆，上电极用于通入刻蚀气体并解离通入的刻蚀气体形成等离子体；刻蚀腔的腔体壁中设置有加热模块。
[0005]这种等离子刻蚀装置虽然通过对腔体壁进行加热，从而使腔体内保持一定的温度，但腔体内受热不均，容易造成蚀刻效率低、蚀刻不均匀的现象。
技术实现思路
[0006]针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种改善腔体加热效果的装置，具有升温快且能够保证腔体内温度分布均匀的优点。
[0007]为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：
[0008]一种改善腔体加热效果的装置，包括密封腔体和设置于密封腔体内的载片台，载片台通过支撑架悬挂固定于密封腔体的内部，密封腔体的底部开设透光口，透光口远离载片台的方向设置多个加热灯泡，加热灯泡的周侧设置用于反射光源至等离子蚀刻加工区域的反射镜。
[0009]采用上述技术方案，通过设置多个加热灯泡，通过灯泡的光传热代替电热丝加热，能够大幅提高传热效率和传热效果，有助于保证密封腔体内的温度分布均匀，同时还能够减少等离子蚀刻设备的预热时间，提高设备的生产效率；通过设置反射镜，能够使光线全部汇聚到蚀刻加工区域，减少热源的损失，有助于提高能源利用效率，节能减排，同时通过反射镜汇聚光线，还能够增强加热光源的升温能力，提高密封腔体内的温度，进一步提高设备的蚀刻速度和蚀刻效果，有助于提高设备的加工效率及良品率。
[0010]进一步，所述透光口中嵌入设置用于封闭密封腔体的挡板，所述挡板的材料为透光材料。
[0011]挡板采用透光材料，能够防止挡板对于光线的产生阻挡效果，防止因设置挡板对
加热产生影响，同时挡板和密封腔体能够阻挡粒子束，防止粒子束损坏加热灯炮，有助于保证设备的正常运行。
[0012]进一步，加热灯泡的排列方式为环形排列。
[0013]采用上述技术方案，加热灯泡采用环形排列的方式进行排列安装，能够使光源分布更加均匀，使传递到加工区域的光线的分布保持均匀，有助于进一步保证腔体内的温度分布均匀，提高装置的加热效果和传热效率。
[0014]进一步，密封腔体的外壁设置温度检测器。
[0015]采用上述技术方案，便于监控密封腔体内的温度，便于操作人员或中空电脑能够根据腔体内的温度调整加热灯泡的发热功率，防止腔体内温度不达标，有助于增强装置的运行稳定性；由于温度检测器设置于密封腔体的外壁，密封腔体内的粒子束不会对温度检测器产生影响，有助于保证温度检测器的正常运行。
[0016]进一步，密封腔体外设置保温层。
[0017]采用上述技术方案，通过在密封腔体外设置保温层，能够防止密封腔体内热量散失，有助于进一步保证腔体内温度能够保持稳定，减少能源的投入，便于进一步实现节能减排。
[0018]进一步，载片台中安装有电热元件。
[0019]采用上述技术方案，通过在载片台中安装电热组件，能够进行辅助加热，进一步提高加热效率。
[0020]进一步，电热元件的电源线设置于支撑架内并从通过支撑架从密封腔体内引出。
[0021]采用上述技术方案，通过将电热元件的电源线设置在支撑架内，能够有效减少电子束对电源线产生的影响，有助于保证电热元件正常运行。
[0022]综上所述，本技术具有以下有益效果：
[0023]1.本装置能够保证密封腔体内温度分布均匀，提高等离子蚀刻设备的蚀刻效率和蚀刻效果；
[0024]2.本装置升温快，加热效率高；
[0025]3.本装置保温效果好，能够减少热量损耗，实现装置节能减排。
附图说明
[0026]图1为本技术中一种改善腔体加热效果的装置的剖面图；
[0027]图2为本技术中加热灯泡的排布方式的示意图；
[0028]图中：1、密封腔体；2、保温层；3、温度检测器；4、载片台；5、电热元件；6、电源线；7、挡板；8、反射镜；9、加热灯炮；10、支撑架；11、安装腔；12、透光口。
具体实施方式
[0029]下面结合附图及实施例，对本技术进行详细描述。
[0030]本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。
[0031]参见图1，一种改善腔体加热效果的装置，包括密封腔体1和设置于密封腔体1内的
载片台4，载片台4通过支撑架10悬挂固定于密封腔体1的内部，密封腔体1的底部开设透光口12，透光口12远离载片台的方向设置多个加热灯泡9，加热灯泡9的周侧设置用于反射光源至等离子蚀刻加工区域的反射镜8。密封腔体1的外壁设置用于检测密封腔体1温度的温度检测器3。
[0032]具体的，参见图1，密封腔体1为立方体的腔体，作为等离子蚀刻的加工场所，加工前密封腔体1需要抽真空。密封腔体1外包覆有一层保温层2，保温层2采用聚氨酯发泡塑料，具有良好的保温隔热性能。载片台4为圆柱形的金属柱体，采用铝合金材料制作，载片台4设置于密封腔体1的中心位置，载片台4的底部通过镂空的支撑架10固定在密封腔体1的腔体侧壁，支撑架10为铝合金材质的金属架体。载片台4的顶面面积大小大于晶圆的面积大小，晶圆能够稳固度地被放置于载片台4上。载片台4中设置用于辅助加热的电热元件5，电热元件5采用陶瓷加热棒，能够对载片台4进行辅助加热，能够进一步提高装置的加热效果，电热元件5的电源线6设置于支撑架10的内部，并通过支撑架10从密封腔体1内引出。
[0033]参见图1至图2，密封腔体1的底部固定连接用于安装加热灯炮9的安装腔11，加热灯泡9呈环形排列的方式安装于安装腔11上，加热灯泡9共有九个，其中安装腔11的中心位置处设置一个加热灯泡9，其余八个加热灯泡9呈环形分布于位于中心处的加热灯泡9的周围，这八个加热灯泡9等距分布。在这九个加热灯泡9外设置有一个圈型的反射镜8，反射镜8呈斗状，与安装腔11固定连接，反射镜8采用金属反射镜，具有本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善腔体加热效果的装置，包括密封腔体(1)和设置于密封腔体(1)内的载片台(4)，其特征在于：所述载片台(4)通过支撑架(10)悬挂固定于密封腔体(1)的内部，所述密封腔体(1)的底部开设透光口(12)，所述透光口(12)远离载片台的方向设置多个加热灯泡(9)，所述加热灯泡(9)的周侧设置用于反射光源至等离子蚀刻加工区域的反射镜(8)。2.根据权利要求1所述的一种改善腔体加热效果的装置，其特征在于：所述透光口(12)中嵌入设置用于封闭密封腔体(1)的挡板(7)，所述挡板(7)的材料为透光材料。3.根据权利要求1所述的一种改善腔体加热效果...
【专利技术属性】
技术研发人员：方亮，王吉奎，翁林，
申请(专利权)人：无锡宇邦半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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