一种晶圆转速的测量装置及晶圆加工设备制造方法及图纸

本申请公开了一种晶圆转速的测量装置及晶圆加工设备，测量装置包括：底座；驱动部，连接于底座，用于带动晶圆绕晶圆的圆心旋转；平板电容，包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极沿晶圆的厚度方向分布在晶圆的两侧，并且第一电极和第二电极在晶圆所在的平面上的投影至少存在部分重合区，晶圆的缺口在晶圆旋转时掠过重合区；测量电路，与平板电容电连接，用于实时检测平板电容的容值，并根据连续两次测量的容值脉冲计算晶圆的第一转速。本申请根据晶圆的缺口旋转至平板电容位置时会产生容值的变化对晶圆转速进行直接测量，即使出现晶圆与驱动部之间打滑，依然能够准确测量晶圆的转速，可以提高晶圆转速测量的准确性。的准确性。的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆转速的测量装置及晶圆加工设备


[0001]本申请涉及半导体制造设备
，具体涉及一种晶圆转速的测量装置及晶圆加工设备。

技术介绍

[0002]晶圆平坦化或者涂胶等工艺中，晶圆都是处于旋转状态，晶圆转速对产品加工质量起着关键性的作用，因此需要测量晶圆转速。
[0003]现有的一种晶圆转速检测装置，主要是设置一个从动轮，晶圆旋转时带动从动轮旋转，通过测量从动轮转速间接测量晶圆转速。
[0004]但是当装置出现晶圆与从动轮之间打滑、卡滞等问题时，会使晶圆转速测量不准确。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种晶圆转速的测量装置及晶圆加工设备，可以改善晶圆转速测量不准确的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种晶圆转速的测量装置，包括：
[0007]底座；
[0008]驱动部，连接于所述底座，用于带动所述晶圆绕所述晶圆的圆心旋转；
[0009]平板电容，包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极沿所述晶圆的厚度方向分布在所述晶圆的两侧，并且所述第一电极和所述第二电极在所述晶圆所在的平面上的投影至少存在部分重合区，所述晶圆的缺口在所述晶圆旋转时掠过所述重合区；
[0010]测量电路，与所述平板电容电连接，用于实时检测所述平板电容的容值，并根据连续两次测量的容值脉冲计算所述晶圆的第一转速。
[0011]可选的，所述测量电路包括：
[0012]电容检测电路，与所述平板电容电连接，用于实时检测所述平板电容的容值；
[0013]计时器，连接至所述电容检测电路，用于测量所述电容检测电路连续两次检测到所述容值脉冲的第一时间间隔；
[0014]处理器，连接至所述计时器，用于根据所述第一时间间隔计算所述晶圆的第一转速。
[0015]可选的，所述平板电容和所述电容检测电路分别设置有两个以上，并且一一对应电连接；
[0016]所述计时器，还用于测量相邻两个所述电容检测电路在晶圆的一个旋转周期内先后检测到容值脉冲的第二时间间隔；
[0017]所述处理器，还用于根据所述第二时间间隔计算所述晶圆的第二转速。
[0018]可选的，所述平板电容沿所述晶圆的周向均匀分布。
[0019]可选的，所述平板电容还包括非导电的连接部，所述连接部的一端连接所述第一电极远离所述晶圆的一端，另一端连接所述第二电极远离所述晶圆的一端。
[0020]可选的，所述连接部设有容置腔，所述测量电路设置于所述容置腔内。
[0021]可选的，所述驱动部包括：
[0022]三个以上转动轮，分别连接至所述底座，其中至少一个转动轮为主动轮，所述转动轮的端面抵接于所述晶圆的端面，当所述主动轮转动时，所述晶圆与所述转动轮发生相对滚动。
[0023]可选的，存在至少三个转动轮围成一三角形以使所述晶圆的圆心位于所述三角形的内部。
[0024]可选的，所述转动轮的端面的横截面为凹形，所述晶圆的端面抵接于所述凹形的底部。
[0025]第二方面，本申请实施例还提供一种晶圆加工设备，包括如上各实施例所述的测量装置。
[0026]本申请的晶圆转速的测量装置包括平板电容，平板电容的第一电极和第二电极沿晶圆的厚度方向分布在晶圆的两侧，并且第一电极和第二电极在晶圆所在的平面上的投影至少存在部分重合区，并且晶圆的缺口在晶圆旋转时可以掠过重合区，当晶圆的缺口位于上述重合区时，第一电极和第二电极形成平板电容的有效正对面积变小，平板电容的容值则会瞬间变小，出现容值脉冲，从而可以根据连续两次测量的容值脉冲计算晶圆的第一转速。本申请对晶圆转速进行直接测量，即使晶圆与驱动部之间打滑，依然能够准确测量晶圆的转速。因此，本申请的测量装置可以提高晶圆转速测量的准确性。
附图说明
[0027]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
[0028]图1是本申请实施例提供的一种晶圆转速的测量装置的结构示意图；
[0029]图2是本申请实施例提供的一种测量电路的结构示意图；
[0030]图3是图1中A部分的放大示意图；
[0031]图4是本申请实施例提供的一种转动轮与晶圆的配合结构示意图。
具体实施方式
[0032]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0033]应当理解，尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本文范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。此外，本申请中指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置必须具有特定的方位、以特定的
方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0034]请参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的一种晶圆转速的测量装置的结构示意图，图2是本申请实施例提供的一种测量电路的结构示意图。包括底座10、驱动部20、平板电容30和测量电路40。驱动部20连接于底座10，用于带动晶圆101绕晶圆101的圆心旋转。
[0035]底座10为测量装置固定不动的构件，起到固定/支撑其他构件的作用，其形状、结构可以根据装置或设备的需求进行设计，底座10可以理解为测量装置的机架。驱动部20与底座10连接，驱动部20可以带动晶圆101绕晶圆101的圆心旋转，驱动部20的结构以及驱动方式本申请不做特别限定。
[0036]平板电容30包括相对设置的第一电极31和第二电极32，第一电极31和第二电极32沿晶圆101的厚度方向分布在晶圆101的两侧，并且第一电极31和第二电极32在晶圆101所在的平面上的投影至少存在部分重合区，并且，晶圆101的缺口102在晶圆101旋转时掠过该重合区。可以理解的是该重合区为第一电极31和第二电极32形成平板电容的有效正对面积。此外，需要说明的是，晶圆101的缺口102宽度大致为1.5～3mm，深度为晶圆的厚度。当晶圆101的缺口102位于上述重合区时，第一电极31和第二电极32形成平板电容的有效正对面积变大。作为一个示例，第一电极31和第二电极32可以都与晶圆平行。第一电极31和第二电极32的面积可以不相同，两者存在部分面积(上述重合区)正对即可。优选的，第一电极31和第二电极32的面积相同。
[0037]测量电路40与平板电容30电连接，用于实时检测平板电容30的容值，并根据连续两次测量的容值脉冲计算晶圆101的第一转速。
[0038]本实施例的晶圆转速测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆转速的测量装置，其特征在于，包括：底座；驱动部，连接于所述底座，用于带动所述晶圆绕所述晶圆的圆心旋转；平板电容，包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极沿所述晶圆的厚度方向分布在所述晶圆的两侧，并且所述第一电极和所述第二电极在所述晶圆所在的平面上的投影至少存在部分重合区，所述晶圆的缺口在所述晶圆旋转时掠过所述重合区；测量电路，与所述平板电容电连接，用于实时检测所述平板电容的容值，并根据连续两次测量的容值脉冲计算所述晶圆的第一转速。2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述测量电路包括：电容检测电路，与所述平板电容电连接，用于实时检测所述平板电容的容值；计时器，连接至所述电容检测电路，用于测量所述电容检测电路连续两次检测到所述容值脉冲的第一时间间隔；处理器，连接至所述计时器，用于根据所述第一时间间隔计算所述晶圆的第一转速。3.根据权利要求2所述的测量装置，其特征在于，所述平板电容和所述电容检测电路分别设置有两个以上，并且一一对应电连接；所述计时器，还用于测量相邻两个所述电容检测电路在晶圆的一个旋转周期内先后检测到容值脉冲的第二时间间隔；所述处理器，还用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵辉，魏志杰，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：