一种柔性Micro-LED及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种柔性Micro

【技术实现步骤摘要】
一种柔性Micro
‑
LED及其制备方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及LED显示领域，尤其涉及一种柔性Micro
‑
LED及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED(light
‑
emitting diode)为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于Micro
‑
LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD(Liquid Crystal Display)、OLED(organic light
‑
emitting diode)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]现有的柔性Micro
‑
LED在生产过程中通过玻璃底板提供支撑，导致Micro
‑
LED柔性和延展性较差。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种柔性Micro
‑
LED及其制备方法、显示装置。
[0005]本专利技术提供如下技术方案：一种柔性Micro
‑
LED的制备方法，包括如下步骤：
[0006]S1，获取外延片和柔性基板；
[0007]S2，在外延片远离衬底的一侧蚀刻形成多个相间隔的PN结；
[0008]S3，在每一个PN结远离衬底的一侧喷涂第一导电层；
[0009]S4，在柔性基板上设置多个相间隔的第一导电部和多个相间隔的第二导电部，将每一个PN结与一个第一导电部对位键合，并将衬底剥离；
[0010]S5，在柔性基板的一侧沉积钝化层，以覆盖每一个PN结；
[0011]S6，在钝化层上蚀刻导向孔，以漏出每一个第二导电部和每一个N半导体层，再在钝化层上喷涂第二导电层，并填充于导向孔，以实现PN结导通；
[0012]S7，在第二导电层远离基板的一侧层叠有第一CPI膜，在第一CPI膜远离基板的一侧涂覆有所述第五光刻胶，第五光刻胶上蚀刻有多个相间隔的光刻槽，一部分的光刻槽中填充有一个量子点；
[0013]S8，获取基底，在基底上层叠第二CPI膜，并在第二CPI膜远离基底的一侧贴附多个相间隔的滤色片；
[0014]S9，将第二CPI膜贴附于第五光刻胶上，以使每一个滤色片与一个量子点对位键合以使每一个滤色片与一个光刻槽对位键合，最后剥离基底，以形成柔性Micro
‑
LED。
[0015]在本专利技术的一些实施例中，在步骤S1中，所述外延片包括所述衬底、N半导体层、量子阱和P半导体层。
[0016]进一步地，步骤S2还包括S201，在外延片远离所述衬底的一侧层叠保护层；
[0017]S202，在所述保护层远离所述衬底的一侧喷涂或旋涂有第二光刻胶层，在第二光刻胶层上蚀刻或显影，以形成多个相间隔的光刻胶段；
[0018]S203，在所述保护层上蚀刻，以使保护层在第二光刻胶层所在平面的正投影与光刻胶段完全重合；
[0019]S204，去除余下的第二光刻胶层；
[0020]S205，在N半导体层、量子阱和P半导体层上蚀刻，以形成多个相间隔的所述PN结，每一个PN结在保护层所在平面的正投影与步骤S203中蚀刻后的保护层重合；
[0021]S206，去除所述保护层。
[0022]进一步地，步骤S3还包括S301，在任意相邻的两个PN结之间的间隙填充第三光刻胶，在第三光刻胶上通过第三光刻，以形成多个相间隔的光刻胶柱；
[0023]S302，在PN结远离衬底的一侧喷涂所述第一导电层；
[0024]S303，去除光刻胶柱，以在每一个PN结远离衬底的一侧层叠一个第一导电段。
[0025]进一步地，在步骤S4中，所述PN结的数量与所述第一导电部的数量相等，且每一个所述PN结在所述第一导电部所在平面的正投影与一个所述第一导电部重合。
[0026]进一步地，步骤S6还包括S601，在钝化层远离柔性基板的一侧沉积第四光刻胶层；
[0027]S602，在第四光刻胶层上蚀刻形成多个通孔，以使每一个第一导电部和每一个第二导电部在第四光刻胶层所在平面的正投影覆盖于一个通孔；
[0028]S603，穿过通孔在钝化层上蚀刻形成多个相间隔的所述导向孔；
[0029]S604，去除第四光刻胶层，在钝化层远离柔性基板的一侧设置所述第二导电层，且第二导电层填充于每一个所述导向孔，以将第二导电部和每一个N半导体层连通。
[0030]进一步地，在步骤S7中，每一个所述PN结在所述第五光刻胶所在平面的正投影至少部分覆盖于一个所述光刻槽。
[0031]进一步地，在步骤S7中，所述量子点为红色量子点和绿色量子点中的任意一种；
[0032]任意两个相邻的所述量子点的颜色不同。
[0033]进一步地，所述滤色片为红色滤色片、绿色滤色片和蓝色滤色片中的任意一种，且任意两个相邻的滤色片之间的颜色不同。
[0034]进一步地，在步骤S8中，所述滤色片为红色滤色片、绿色滤色片和蓝色滤色片中的任意一种，且任意两个相邻的滤色片之间的颜色不同。
[0035]进一步地，在步骤S9中，红色滤色片与红色量子点键合，绿色滤色片与绿色量子点键合，蓝色滤色片与空的光刻槽键合。
[0036]进一步地，所述量子点在基板所在平面的正投影为圆形或正多边形。
[0037]进一步地，所述量子点在基板所在平面的正投影为正六边形。
[0038]本专利技术的一些实施例还提供一种柔性Micro
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LED，使用所述的柔性Micro
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LED的制备方法。
[0039]本专利技术的一些实施例还提供一种显示装置，包括所述的柔性Micro
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LED。
[0040]本专利技术的实施例具有如下优点：通过将基底剥离，并由第二CPI膜取代基底，减小了Micro
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LED的厚度，提升了Micro
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LED的柔韧性，通过柔性的CPI膜、银纳米线导电层、柔性光刻胶等柔性材料的选取和加工与柔性基板键合以形成柔性Micro
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LED。
[0041]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显和易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，做详细说明如下。
附图说明
[0042]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0043]图1示出了本专利技术的一些实施例提供的一种柔性Micro
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种柔性Micro
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LED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，获取外延片和柔性基板；S2，在外延片远离衬底的一侧蚀刻形成多个相间隔的PN结；S3，在每一个PN结远离衬底的一侧喷涂第一导电层；S4，在柔性基板上设置多个相间隔的第一导电部和多个相间隔的第二导电部，将每一个PN结与一个第一导电部对位键合，并将衬底剥离；S5，在柔性基板的一侧沉积钝化层，以覆盖每一个PN结；S6，在钝化层上蚀刻导向孔，以漏出每一个第二导电部和每一个N半导体层，再在钝化层上喷涂第二导电层，并填充于导向孔，以实现PN结导通；S7，在第二导电层远离基板的一侧层叠有第一CPI膜，在第一CPI膜远离基板的一侧涂覆有第五光刻胶，第五光刻胶上蚀刻有多个相间隔的光刻槽，一部分的光刻槽中填充有量子点；S8，获取基底，在基底上层叠第二CPI膜，并在第二CPI膜远离基底的一侧贴附多个相间隔的滤色片；S9，将第二CPI膜贴附于第五光刻胶上，以使每一个滤色片与一个光刻槽对位键合，最后剥离基底，以形成柔性Micro
‑
LED。2.根据权利要求1所述的柔性Micro
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LED的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述外延片包括所述衬底、N半导体层、量子阱和P半导体层。3.根据权利要求2所述的柔性Micro
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LED的制备方法，其特征在于，步骤S2还包括S201，在外延片远离所述衬底的一侧层叠有保护层；S202，在所述保护层远离所述衬底的一侧喷涂或旋涂有第二光刻胶层，在第二光刻胶层上蚀刻或显影，以形成多个相间隔的光刻胶段；S203，在所述保护层上蚀刻，以使保护层在第二光刻胶层所在平面的正投影与光刻胶段完全重合；S204，去除余下的第二光刻胶层；S205，在N半导体层、量子阱和P半导体层上蚀刻，以形成多个相间隔的所述PN结，每一个PN结在保护层所在平面的正投影与步骤S203中蚀刻后的保护层重合；S206，去除所述保护层。4.根据权利要求1所述的柔性Micro
‑
LED的制备方法，其特征在于，步骤S3还包括S301，在任意相邻的两个PN结之间的间隙填充第三光刻胶，在第三光刻胶上通过第三光刻，以形成多个相间隔的光刻胶柱；S302，在PN结远离衬底的一侧喷涂所述第一导电层；S303，去除光刻胶柱，以在每一个PN结远离衬底的一侧层叠一个第一导电段。5.根据权利要求1所述的柔性Micr...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱成峰，陈家华，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：