发光装置、投影仪以及显示器制造方法及图纸

本发明专利技术提供发光装置、投影仪以及显示器，能够遮挡从层叠体的俯视时与第一电极的外缘重叠的部分射出的光。发光装置具有：基板；层叠体，其设置于所述基板，具有发光层；第一电极，其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触，向所述发光层注入电流；以及布线层，其与所述第一电极电连接，对所述发光层中产生的光具有遮光性，在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部，所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。的内侧。的内侧。

【技术实现步骤摘要】
发光装置、投影仪以及显示器


[0001]本专利技术涉及发光装置、投影仪以及显示器。

技术介绍

[0002]半导体激光器作为高亮度的下一代光源而受到期待。特别是，应用了纳米柱的半导体激光器由于纳米柱带来的光子晶体的效果，期待能够以窄放射角实现高输出的发光。
[0003]例如在专利文献1中记载了具备多个纳米柱的半导体光元件阵列，该多个纳米柱由包含n型AlGaN等n型包覆层的微细柱状晶体、活性层、以及包含p型AlGaN等p型包覆层的p型半导体层构成。在多个纳米柱上设置有p侧电极。
[0004]专利文献1：日本特开2013
‑
239718号公报
[0005]在具有多个纳米柱的半导体光元件阵列中，存在俯视时与p侧电极的外缘重叠的纳米柱。这样的纳米柱例如有时因形成p侧电极时的过蚀刻而被削减。

技术实现思路

[0006]本专利技术的发光装置的一个方式具有：基板；层叠体，其设置于所述基板，具有发光层；第一电极，其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触，向所述发光层注入电流；以及布线层，其与所述第一电极电连接，对所述发光层中产生的光具有遮光性，在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部，所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。
[0007]本专利技术的投影仪的一个方式具有所述发光装置的一个方式。
[0008]本专利技术的显示器的一个方式具有所述发光装置的一个方式。
附图说明
[0009]图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
[0010]图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的俯视图。
[0011]图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
[0012]图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0013]图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0014]图6是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0015]图7是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置的剖视图。
[0016]图8是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置的俯视图。
[0017]图9是示意性地示出本实施方式的投影仪的图。
[0018]图10为示意性地表示本实施方式的显示器的俯视图。
[0019]图11为示意性地表示本实施方式的显示器的剖视图。
[0020]标号说明
[0021]10：基板；20：层叠体；22：缓冲层；30：柱状部；30a：第一柱状部；32：第一半导体层；
34：发光层；36：第二半导体层；40：绝缘层；42：第二开口部；44：侧面；50：第一电极；52：侧面；54：外缘；60：第二电极；70：第三电极；80：布线层；82：第一开口部；84：侧面；86：环状部；88：延伸部；90：抗蚀剂层；100：发光装置；100R：红色光源；100G：绿色光源；100B：蓝色光源；200：发光装置；800：投影仪；802R：第一光学元件；802G：第二光学元件；802B：第三光学元件；804R：第一光调制装置；804G：第二光调制装置；804B：第三光调制装置；806：十字分色棱镜；808：投射装置；810：屏幕；900：显示器；910：电路基板；912：显示区域；914：数据线驱动电路；916：扫描线驱动电路；918：控制电路；920：透镜阵列；922：透镜；930：散热器。
具体实施方式
[0022]以下，使用附图对本专利技术的优选实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式并不对权利要求书所记载的本专利技术的内容进行不当限定。此外，以下所说明的全部结构并不一定都是本专利技术的必要结构要件。
[0023]1.发光装置
[0024]1.1.整体结构
[0025]首先，参照附图对本实施方式的发光装置进行说明。图1是示意性地表示本实施方式的发光装置100的剖视图。图2是示意性地表示本实施方式的发光装置100的俯视图。另外，图1是图2的I
‑
I线剖视图。
[0026]如图1和图2所示，发光装置100例如具有基板10、层叠体20、绝缘层40、第一电极50、第二电极60、第三电极70和布线层80。此外，为了方便，在图2中省略了第二电极60的图示。发光装置100例如是半导体激光器。
[0027]基板10例如是Si基板、GaN基板、蓝宝石基板、SiC基板等。
[0028]层叠体20设置于基板10。在图1所示的例子中，层叠体20设置在基板10上。层叠体20例如具有缓冲层22和柱状部30。
[0029]在本说明书中，在层叠体20的层叠方向(以下，也简称为“层叠方向”)上，在以发光层34为基准的情况下，将从发光层34朝向第二半导体层36的方向设为“上”，将从发光层34朝向第一半导体层32的方向设为“下”来进行说明。另外，将与层叠方向正交的方向也称为“面内方向”。另外，“层叠体20的层叠方向”是指柱状部30的第一半导体层32与发光层34的层叠方向。另外，“俯视时”是指从层叠方向观察的情况。
[0030]缓冲层22设置在基板10上。缓冲层22是第一导电型的半导体层。缓冲层22例如是掺杂有Si的n型的GaN层。虽未图示，但在缓冲层22上设置有用于形成柱状部30的掩模层。掩模层例如是氧化硅层、钛层、氧化钛层、氧化铝层等。
[0031]柱状部30设置在缓冲层22上。柱状部30具有从缓冲层22向上方突出的柱状的形状。换言之，柱状部30经由缓冲层22从基板10向上方突出。柱状部30例如也被称为纳米柱、纳米线、纳米棒、纳米支柱。柱状部30的平面形状例如为多边形、圆。
[0032]柱状部30的直径例如为50nm以上且500nm以下。通过将柱状部30的直径设为500nm以下，能够得到高品质的结晶的发光层34，并且能够减少发光层34内在的应变。由此，能够高效地放大在发光层34产生的光。
[0033]另外，“柱状部的直径”在柱状部30的平面形状为圆的情况下是指直径，在柱状部30的平面形状为非圆的形状的情况下是指最小包含圆的直径。例如，在柱状部30的平面形
状为多边形的情况下，柱状部30的直径是在内部包含该多边形的最小的圆的直径，在柱状部30的平面形状为椭圆的情况下，柱状部30的直径是在内部包含该椭圆的最小的圆的直径。
[0034]柱状部30设置有多个。相邻的柱状部30的间隔例如为1nm以上且500nm以下。多个柱状部30在俯视时在规定的方向上以规定的间距排列。多个柱状部30例如配置成三角格子状、正方格子状。多个柱状部30能够显现光子晶体的效果。
[0035]此外，“柱状部的间距”是指沿着规定的方向相邻的柱状部30的中心间的距离。所谓“柱状部的中心”，在柱状部30的平面形状为圆的情况下，为该圆的中心，在柱状部30的平面形状为非圆的形状的情况下，为最小包含圆的中心。例如，在柱状部30的平面形状为多边形的情况下，柱状部30的中心本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其具有：基板；层叠体，其设置于所述基板，具有发光层；第一电极，其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触，向所述发光层注入电流；以及布线层，其与所述第一电极电连接，对所述发光层中产生的光具有遮光性，在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部，所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述层叠体具有多个柱状部，所述多个柱状部各自具有：第一导电型的第一半导体层；与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层；以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的所述发光层。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述多个柱状部中的第一柱状部在俯视时与所述第一电极的所述外缘重叠。4.根据权利要求1至3中的任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林幸一，宫田崇，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：