荧光体板和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的荧光体板(100)是具有板状的复合体的荧光体板，该板状的复合体包含母材和母材中含有的荧光体，母材包含尖晶石，荧光体包含具有Si元素的荧光体，在使用Cu－Kα射线的荧光体板的X射线衍射图案中，以如下方式构成：在将衍射角2θ为36.0

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光体板和发光装置


[0001]本专利技术涉及荧光体板和发光装置。

技术介绍

[0002]至今为止一直使用在密封树脂中分散无机荧光体而得的部件作为波长转换部件，但是如果以树脂为母材，则存在由于使用LED的光源发出热、光而使得树脂劣化的问题，因此也进行了以母材为无机物的波长转换部件的研究。在专利文献1中记载了在作为母材的玻璃中分散无机荧光体而成的波长转换部件(专利文献1的权利要求1)。根据该文献，还记载了波长转换部件的形状没有限定，以及制成板状的荧光体板(段落0054)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015－199640号公报

技术实现思路

[0006]然而，本专利技术人进行了研究，结果发现，在上述专利文献1所记载的荧光体板中，在发光强度方面存在改善的余地。
[0007]根据本专利技术人的研究，可知：通过在无机母材中包含相对透明的尖晶石，荧光体板内的光的过度散射得到抑制，因此可以提高荧光体板的发光强度。
[0008]本专利技术人进一步进行了研究，结果发现，在使用具有Si元素的荧光体作为上述无机荧光体时，有在包含尖晶石的荧光体板中发光强度降低的风险。
[0009]基于这样的见解进一步进行了深入研究，结果发现，在荧光体板的X射线衍射图案中，将归属于尖晶石的特定的峰的强度与在规定的2θ的范围内存在的峰的合计强度之比作为指标，从而可以稳定地评价光学特性，而且，通过将这样的峰强度比的上限设为规定值以下，可以改善荧光体板的发光强度，以至完成了本专利技术。
[0010]根据本专利技术，提供一种荧光体板，
[0011]是具备板状的复合体的荧光体板，该板状的复合体包含母材和上述母材中含有的荧光体，
[0012]上述母材包含尖晶石，
[0013]上述荧光体包含具有Si元素的荧光体，
[0014]在使用Cu－Kα射线测定的上述荧光体板的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0
°
～37.4
°
的范围内的与上述尖晶石对应的峰强度设为1时，
[0015]衍射角2θ为32.5
°
～34.5
°
的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。
[0016]另外，根据本专利技术，提供一种发光装置，具备：
[0017]第III族氮化物半导体发光元件、和
[0018]设置于上述第III族氮化物半导体发光元件的一面上的上述的荧光体板。
[0019]根据本专利技术，提供发光强度优异的荧光体板和使用它的发光装置。
附图说明
[0020]图1是表示本实施方式的荧光体板的构成的一个例子的示意图。
[0021]图2(a)是示意性地表示倒装芯片型的发光装置的构成的截面图，(b)是示意性地表示引线接合型的发光元件的构成的截面图。
[0022]图3是用于测定荧光体板的发光效率的装置的概略图。
具体实施方式
[0023]以下，对本专利技术的实施方式使用附图进行说明。应予说明，在全部的附图中，对同样的构成要素标以同样的符号，适当省略说明。另外，图是概略图，与实际的尺寸比率不一致。
[0024]对本实施方式的荧光体板进行概述。
[0025]对本实施方式的荧光体板的概要进行说明。
[0026]本实施方式的荧光体板具备包含含有尖晶石的母材和存在于母材中的具有Si元素的荧光体的板状的复合体(板状部件)。
[0027]包含α型赛隆(Sialon)荧光体作为具有Si元素的荧光体的荧光体板可以作为将照射的蓝色光转换为橙色光而发光的波长转换体发挥作用。
[0028]荧光体板构成为：在按照下述步骤测定的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0
°
～37.4
°
的范围内的与尖晶石对应的峰强度设为1时，衍射角2θ为32.5
°
～34.5
°
的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。
[0029](X射线衍射图案的测定方法)
[0030]对于荧光体板，基于下述测定条件使用X射线衍射装置测定衍射图案。
[0031]测定对象的荧光体板使用厚度约为0.18～0.22mm的荧光体板。
[0032](测定条件)
[0033]X射线源：Cu－Kα射线
[0034]输出设定：40kV
·
40mA
[0035]测定时光学条件：扩散狭缝＝2/3
°
[0036]散射狭缝＝8mm
[0037]受光狭缝＝开放
[0038]衍射峰的位置＝2θ(衍射角)
[0039]测定范围：2θ＝20
°
～70
°
[0040]扫描速度：2度(2θ)/sec，连续扫描
[0041]扫描轴：2θ/θ
[0042]试样制备：将板状的荧光体板置于样品架。
[0043]峰强度是进行背景校正而得到的值。
[0044]根据本专利技术人的见解，可知通过将衍射角2θ为36.0
°
～37.4
°
的范围内的归属于尖晶石的峰的强度(I
α
)与在规定的2θ的范围内存在的峰的强度的合计(I
β
)之比作为指标，可以评价包含具有Si元素的荧光体的荧光体板的光学特性，对与I
β
对应的2θ范围进一步进行了研究，结果发现，通过使用衍射角2θ为32.5
°
～34.5
°
的范围内的峰的合计强度作为I
β1
，可以稳定地评价荧光体板的光学特性。
[0045]进而，可知通过将这样发现的指标I
β1
/I
α
的上限设为特定的值以下，荧光体板的发光强度提高。
[0046]在本专利技术的荧光体板中，将衍射角2θ为36.0
°
～37.4
°
的范围内的最大峰设为来自尖晶石的峰。
[0047]衍射角2θ为32.5
°
～34.5
°
的范围内包含的峰优选包含归属于α型赛隆的峰，另外，也可以包含归属于β型赛隆的峰。
[0048]将衍射角2θ为36.0
°
～37.4
°
的范围内的归属于上述尖晶石的峰强度设为1时的衍射角2θ为32.5
°
～34.5
°
的范围内的峰的合计强度I
β1
的上限为0.5以下，优选为0.3以下。由此，可以提高荧光体板的发光强度。
[0049]另一方面，上述合计强度I
β1
的下限没有特别限定，但是在具有Si元素的荧光体包含α型赛隆荧光体的情况下，例如为0.005以上，优选为0.01以上。由此，可以提高荧光体板的发光强度。
[0050]将衍射角2θ为36.0
°...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种荧光体板，是具备板状的复合体的荧光体板，所述板状的复合体包含母材和所述母材中含有的荧光体，所述母材包含尖晶石，所述荧光体包含具有Si元素的荧光体，在使用Cu－Kα射线测定的所述荧光体板的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0
°
～37.4
°
的范围内的与所述尖晶石对应的峰强度设为1时，衍射角2θ为32.5
°
～34.5
°
的范围内的峰的合计强度满足0.5以下。2.根据权利要求1所述的荧光体板，其中，具有所述Si元素的荧光体包含α型赛隆荧光体。3.根据权利要求2所述的荧光体板，其中，在使用所述Cu－Kα射线测定的所述荧光体板的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0
°
～37.4
°
的范围内的归属于上述尖晶石的峰强度设为1时，衍射角2θ为60.2
°
～62.0
°
的范围内的峰的合计强度满足0.005～0.2。4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体板，其中，在使用所述Cu－Kα射线测定的所述荧光体板的X射线衍射图案中，在将衍射角2θ为36.0
°
～37.4

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田雄起，山浦太阳，伊藤和弘，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：