滤光片制备方法、系统及滤光片技术方案

本申请实施例提供了一种滤光片制备方法、系统及滤光片，其中，滤光片制备方法应用于滤光片制备系统，包括：将待加工基片移动至基片加工平台的预设加工位置；调试滤光片制备系统的激光装置以使所述激光装置出射的激光聚焦至所述待加工基片，并通过滤光片制备系统的定位组件对所述待加工基片的加工区域进行定位；获取所述待加工基片的设计要求，根据所述设计要求设定所述激光装置的性能参数，并设定所述基片加工平台的预设位移路径；根据所述性能参数控制所述激光装置出射激光，并根据所述预设位移路径控制所述基片加工平台带动所述待加工基片位移，以将所述待加工基片制备成目标滤光片。光片。光片。

【技术实现步骤摘要】
滤光片制备方法、系统及滤光片


[0001]本申请涉及光学元件制造领域，特别是涉及一种滤光片制备方法、系统及滤光片。

技术介绍

[0002]中性密度滤光片是在宽光谱范围内对光的功率衰减的光学元件，也称为光衰减片，可以对光功率的衰减进行调制，广大应用于需要光功率衰减的特殊仪器中，中性密度滤光片分为固定式和变化式密度滤光片。
[0003]目前，中性密度滤光片基于物质对光的吸收特性，生产方式主要为镀膜和光刻。其中，镀膜多利用镍铬合金等材料对光的吸收特性进行加工镀膜，制作工艺复杂、成本高，且过程中涉及毒性物质。另一方面，对于变化式滤光片，需要设置对应的遮挡板，每一种变化式滤光片都需要一种对应的遮挡板，导致变化式滤光片加工工艺复杂，且灵活性差。
[0004]因此，如何提供一种低成本、制作工艺简单、制作灵活性高的中性密度滤光片制备工艺成为本领域技术人员研究的问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的主要目的在于提供一种滤光片制备方法、系统及滤光片，旨在提供一种中性密度滤光片的制备方法，以提高中性密度滤光片的制作灵活性并简化加工工艺。
[0006]第一方面，本申请提供了一种滤光片制备方法，应用于滤光片制备系统，包括：
[0007]将待加工基片移动至基片加工平台的预设加工位置；
[0008]调试滤光片制备系统的激光装置以使激光装置出射的激光聚焦至待加工基片，并通过滤光片制备系统的定位组件对待加工基片的加工区域进行定位；
[0009]获取待加工基片的设计要求，根据设计要求设定激光装置的性能参数，并设定基片加工平台的预设位移路径；
[0010]根据性能参数控制激光装置出射激光，并根据预设位移路径控制基片加工平台带动待加工基片位移，以将待加工基片制备成目标滤光片。
[0011]第二方面，本申请提供了一种滤光片制备系统，包括：
[0012]激光装置，用于向待加工基片出射激光；
[0013]定位组件，定位组件与激光装置连接，包括指示激光器与图像采集装置，用于对待加工基片的加工区域进行定位；
[0014]基片加工平台，用于带动待加工基片发生位移；
[0015]控制器，控制器与基片加工平台、激光装置连接，用于：
[0016]当检测到待加工基片放置到基片加工平台预设的加工位置时；根据控制指令调试激光装置以使激光装置出射的激光聚焦至待加工基片，并控制定位组件对待加工基片的加工区域进行定位；
[0017]获取待加工基片的设计要求，根据设计要求设定激光装置的性能参数，并设定基
片加工平台的预设位移路径；
[0018]根据性能参数控制激光装置出射激光，并根据预设位移路径控制基片加工平台带动待加工基片位移，以将待加工基片制备成目标滤光片。
[0019]第三方面，本申请提供了一种滤光片，滤光片采用前述滤光片制备方法制成。
[0020]本申请实施例提供一种滤光片制备方法、系统及滤光片，其中，滤光片制备方法通过将待加工基片移动至基片加工平台的预设加工位置；调试滤光片制备系统的激光装置以使激光装置出射的激光聚焦至待加工基片，并通过滤光片制备系统的定位组件对待加工基片的加工区域进行定位；获取待加工基片的设计要求，根据设计要求设定激光装置的性能参数，并设定基片加工平台的预设位移路径；根据性能参数控制激光装置出射激光，并根据预设位移路径控制基片加工平台带动待加工基片位移，以将待加工基片制备成目标滤光片。本申请通过对设定不同的激光装置的性能参数及设定基片加工平台的预设位移路径，可根据需求在待加工基片上形成透射率不同的区域，以一种更为简易、环保、低成本的方式制备中性滤光片。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本申请实施例提供的滤光片制备系统结构示意图；
[0023]图2为本申请实施例提供的滤光片制备方法流程步骤图；
[0024]图3为本申请实施例提供的滤光片制备方法的指示激光光斑落点示意图；
[0025]图4为本申请实施例提供的滤光片制备方法的脉冲能量对光衰减率的影响示意图；
[0026]图5为本申请实施例提供的滤光片制备方法的脉冲次数对光衰减率的影响示意图；
[0027]图6为本申请实施例提供的滤光片制备方法的刻蚀点间距对光衰减率的影响示意图；
[0028]图7为本申请实施例提供的滤光片制备方法的加工层面层间距示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0030]附图中所示的流程图仅是示例说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解、组合或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
[0031]应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下
文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0032]本申请实施例提供一种滤光片制备方法、系统及滤光片，其中，滤光片制备方法应用于滤光片制备系统，通过将待加工基片移动至基片加工平台的预设加工位置；调试滤光片制备系统的激光装置以使激光装置出射的激光聚焦至待加工基片，并通过滤光片制备系统的定位组件对待加工基片的加工区域进行定位；获取待加工基片的设计要求，根据设计要求设定激光装置的性能参数，并设定基片加工平台的预设位移路径；根据性能参数控制激光装置出射激光，并根据预设位移路径控制基片加工平台带动待加工基片位移，以将待加工基片制备成目标滤光片。本申请通过对设定不同的激光装置的性能参数及设定基片加工平台的预设位移路径，可根据需求在待加工基片上形成透射率不同的区域，以一种更为简易、环保、低成本的方式制备中性滤光片。
[0033]请参阅图1，图1为本申请实施例提供的滤光片制备系统结构示意图。滤光片制备系统1包括激光装置10、定位组件20、基片加工平台30、及控制器40。
[0034]激光装置10包括光源101及透镜组件102，光源101用于出射飞秒激光并经透镜组件102聚焦至待加工基片50。定位组件20与激光装置10的光源101连接，包括指示激光器201与图像采集装置，用于对待加工基片50的加工区域进行定位。基片加工平台30用于带动待加工基片50发生位移。控制器40与基片加工平台30、激光装置10连接，用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤光片制备方法，应用于滤光片制备系统，其特征在于，包括：将待加工基片移动至基片加工平台的预设加工位置；调试滤光片制备系统的激光装置以使所述激光装置出射的激光聚焦至所述待加工基片，并通过滤光片制备系统的定位组件对所述待加工基片的加工区域进行定位；获取所述待加工基片的设计要求，根据所述设计要求设定所述激光装置的性能参数，并设定所述基片加工平台的预设位移路径；根据所述性能参数控制所述激光装置出射激光，并根据所述预设位移路径控制所述基片加工平台带动所述待加工基片位移，以将所述待加工基片制备成目标滤光片。2.根据权利要求1所述的滤光片制备方法，其特征在于，所述定位组件包括激光指示器及图像采集装置，其中，所述激光指示器用于出射指示激光，所述图像采集装置用于获取所述待加工基片的图像信息，所述通过定位组件对所述待加工基片的加工区域进行定位，包括：控制所述激光指示器出射指示激光，并控制所述图像采集装置采集所述待加工基片的图像信息；根据所述图像信息调节所述激光装置的与所述待加工基片的相对位置，以使所述指示激光的激光光斑照射在待加工基片的预设区域。3.根据权利要求2所述的滤光片制备方法，其特征在于，滤光片制备系统还包括与所述激光装置连接的位移组件，所述根据所述图像信息调节所述激光装置的与所述待加工基片的相对位置，包括：根据所述图像信息获取所述激光光斑和所述预设区域之间的相对位置数据；根据所述相对位置数据控制所述位移组件带动所述激光装置相对所述待加工基片位移，直至所述激光光斑处于所述预设区域范围。4.根据权利要求3所述的滤光片制备方法，其特征在于，所述激光光斑落在所述待加工基片预设区域时的光斑直径为0.2
‑
12μm。5.根据权利要求1所述的滤光片制备方法，其特征在于，所述性能参数包括脉冲能量、脉冲次数、脉冲波长、脉冲宽度、脉冲重复频率中的至少一者。6.根据权利要求5所述的滤光片制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：任政企，付强，孙琦，
申请(专利权)人：大格创新科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：