晶圆加工方法、设备及存储介质技术

本发明专利技术公开了一种晶圆加工方法，所述晶圆加工方法包括：将待加工晶圆的待加工区域划分为至少两个加工子区域；确定各个加工子区域分别对应的加工顺序以及加工方向；控制晶圆切割装置根据加工顺序依次对各个所述加工子区域执行切割操作；在完成所述待加工晶圆的切割操作后，控制晶圆裂片装置按照根据加工顺序沿着切割纹路依次对各个加工子区域执行裂片操作。本发明专利技术还公开了一种晶圆加工设备及存储介质。通过对待加工晶圆进行分区，以划分为至少两个加工子区域，进而确定各个加工子区域对应的加工顺序和加工方向，以所述加工顺序和所述加工方向完成对晶圆的加工，解决了沿着单一加工方向对晶圆加工导致晶圆边缘卷翘，影响晶圆加工效果问题。效果问题。效果问题。

【技术实现步骤摘要】
晶圆加工方法、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及晶圆加工方法、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]当前wafer(晶圆)大多为圆形wafer。当wafer进行激光切割时，在激光能量的热效应以及热影响下，wafer容易曲翘，且在wafer边缘区域尤为明显。Wafer曲翘后又容易导致离焦进而降低切割质量；另外，当wafer进行劈裂断裂时，由于wafer曲翘不易定位且影响定位精度、切割质量的降低都会降低裂片质量。当裂片质量降低时，需要提升裂片力度来补偿，此时裂片过程中更容易使wafer变形。局部的断裂与错位也会加剧裂片问题的产生，进而发生恶性循环导致整体裂片质量底下。此外单一方向的裂片也容易造成wafer底膜的挤压，使wafer产生一定形变，进而降低裂片效果，基于降低了切割质量和裂片效果，导致晶圆加工效果低下。
[0003]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种晶圆加工方法、设备及存储介质，旨在解决单一方向对晶圆进行加工导致晶圆边缘卷翘问题严重，影响晶圆加工效果的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种晶圆加工方法，应用于晶圆加工设备，所述晶圆加工设备包括晶圆切割装置和晶圆裂片装置，所述晶圆加工方法的步骤包括：
[0006]将待加工晶圆的待加工区域划分为至少两个加工子区域；
[0007]确定各个所述加工子区域分别对应的加工顺序以及加工方向；
[0008]控制所述晶圆切割装置根据所述加工顺序依次对各个所述加工子区域执行切割操作，以在所述待加工晶圆表面形成切割纹路，其中，对加工子区域进行切割操作的方式为以对应的加工方向对所述加工子区域执行切割操作；
[0009]在完成所述待加工晶圆的切割操作后，控制晶圆裂片装置根据所述加工顺序沿着所述切割纹路依次对各个所述加工子区域执行裂片操作，以完成对所述待加工晶圆的裂片，其中，对加工子区域执行裂片操作的方式为以对应的加工方向依次对所述加工子区域的切割纹路执行裂片操作。
[0010]可选地，所述确定各个所述加工子区域分别对应的加工顺序以及加工方向的步骤包括：
[0011]根据各个加工子区域两两之间的间距确定各个所述加工子区域的加工顺序；
[0012]确定所述待加工晶圆的中心位置，并根据各个所述加工子区域从边缘延伸到所述中心位置的方向确定为各个所述加工子区域的加工方向。
[0013]可选地，所述根据各个加工子区域两两之间的间距确定各个所述加工子区域的加工顺序的步骤包括：
[0014]确定第一待加工子区域；
[0015]获取所述第一待加工子区域与其它加工子区域的间距，将与所述第一待加工子区域的间距最大的所述其它加工子区域确定为第二待加工子区域；
[0016]获取所述第二待加工子区域与除所述第一待加工子区域和所述第二待加工子区域之外其它加工子区域的间距，将与所述第二待加工子区域的间距最大的所述除所述第一待加工子区域和所述第二待加工子区域之外其它加工子区域确定为第三待加工子区域；
[0017]依次根据已确定的待加工子区域和未确定的其它加工子区域的间距确定各个待加工子区域，以获取第N待加工子区域，根据第一待加工子区域、第二待加工子区域、第三待加工子区域至第N待加工子区域确定所述加工顺序。
[0018]可选地，所述晶圆切割装置包括激光发射器，所述控制所述晶圆切割装置根据所述加工顺序依次对各个所述加工子区域执行切割操作，以在所述待加工晶圆表面形成切割纹路的步骤包括：
[0019]获取所述待加工晶圆的各个加工子区域分别对应的预设切割纹路；
[0020]控制所述激光发射器以所述第一待加工子区域对应的加工方向沿着所述预设切割纹路对所述第一待加工子区域执行切割操作；
[0021]在完成所述第一待加工子区域的切割操作后，控制所述激光发射器以所述第二待加工子区域对应的加工方向沿着所述预设切割纹路对所述第二待加工区域执行切割操作；
[0022]依次对第三待加工区域至第N待加工区域执行切割操作，以完成对所述待加工晶圆的切割操作以及在所述待加工晶圆表面形成切割纹路。
[0023]可选地，所述晶圆裂片装置包括劈刀，所述在完成所述待加工晶圆的切割操作后，控制晶圆裂片装置根据所述加工顺序沿着所述切割纹路依次对各个所述加工子区域执行裂片操作，以完成对所述待加工晶圆的裂片的步骤包括：
[0024]控制所述劈刀以所述第一待加工子区域对应的加工方向依次对所述第一待加工子区域的切割纹路执行裂片操作；
[0025]在完成所述第一待加工区域对应的所有切割纹路的裂片操作后，控制所述劈刀以所述第二待加工子区域对应的加工方向依次对所述第二待加工子区域的切割纹路执行裂片操作；
[0026]依次对第三待加工区域至第N待加工区域执行裂片操作，以完成对所述待加工晶圆的裂片操作。
[0027]可选地，所述将待加工晶圆的待加工区域划分为至少两个加工子区域的步骤之前，还包括：
[0028]将至少两个待加工晶圆以预设粘附方式粘附于固定在钢环上的底膜上，以完成所述待加工晶圆的贴片操作；
[0029]将贴片后的所述待加工晶圆放置于加工工位。
[0030]可选地，所述预设粘附方式为对称矩阵贴附方式，所述晶圆加工方法还包括：
[0031]确定各个所述待加工晶圆分别对应的加工子区域，并确定各个所述待加工晶圆分别对应的加工顺序以及加工方向，其中，设置于同一行和/或设置于同一列对应的待加工晶圆对应的加工顺序以及加工方向相同；
[0032]控制所述晶圆切割装置根据所述加工顺序以及所述加工方向依次对设置于同一
行或同一列的待加工晶圆同时执行切割操作，以完成所有待加工晶圆的切割操作；
[0033]在检测到所有待加工晶圆完成切割操作后，控制所述晶圆切割装置根据所述加工顺序以及所述加工方向依次对设置于同一行或同一列的待加工晶圆同时执行裂片操作，以完成所有待加工晶圆的裂片操作。
[0034]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种晶圆加工设备，所述晶圆加工设备包括晶圆切割装置和晶圆裂片装置，所述晶圆加工设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的晶圆加工程序，所述晶圆加工程序被所述处理器执行时实现如上所述的晶圆加工方法的步骤。
[0035]可选地，所述晶圆切割装置包括激光发射器，所述晶圆裂片装置包括劈刀。
[0036]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种存储介质，所述存储介质上存储有晶圆加工程序，所述晶圆加工程序被处理器执行时实现如上所述的晶圆加工方法的步骤。
[0037]本专利技术实施例提出的一种晶圆加工方法、设备及存储介质，在对晶圆执行切割操作以及裂片操作前，将待加工晶圆至少划分为两个加工子区域，为各个所述加工子区域匹配对应的加工顺序以及加工方向，进而控制晶圆切割装置依照所述加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，应用于晶圆加工设备，所述晶圆加工设备包括晶圆切割装置和晶圆裂片装置，所述晶圆加工方法的步骤包括：将待加工晶圆的待加工区域划分为至少两个加工子区域；确定各个所述加工子区域分别对应的加工顺序以及加工方向；控制所述晶圆切割装置根据所述加工顺序依次对各个所述加工子区域执行切割操作，以在所述待加工晶圆表面形成切割纹路，其中，对加工子区域进行切割操作的方式为以对应的加工方向对所述加工子区域执行切割操作；在完成所述待加工晶圆的切割操作后，控制晶圆裂片装置根据所述加工顺序沿着所述切割纹路依次对各个所述加工子区域执行裂片操作，以完成对所述待加工晶圆的裂片，其中，对加工子区域执行裂片操作的方式为以对应的加工方向依次对所述加工子区域的切割纹路执行裂片操作。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定各个所述加工子区域分别对应的加工顺序以及加工方向的步骤包括：根据各个加工子区域两两之间的间距确定各个所述加工子区域的加工顺序；确定所述待加工晶圆的中心位置，并根据各个所述加工子区域从边缘延伸到所述中心位置的方向确定为各个所述加工子区域的加工方向。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据各个加工子区域两两之间的间距确定各个所述加工子区域的加工顺序的步骤包括：确定第一待加工子区域；获取所述第一待加工子区域与其它加工子区域的间距，将与所述第一待加工子区域的间距最大的所述其它加工子区域确定为第二待加工子区域；获取所述第二待加工子区域与除所述第一待加工子区域和所述第二待加工子区域之外其它加工子区域的间距，将与所述第二待加工子区域的间距最大的所述除所述第一待加工子区域和所述第二待加工子区域之外的其它加工子区域确定为第三待加工子区域；依次根据已确定的待加工子区域和未确定的其它加工子区域的间距确定各个待加工子区域，以获取第N待加工子区域，根据第一待加工子区域、第二待加工子区域、第三待加工子区域至第N待加工子区域确定所述加工顺序。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶圆切割装置包括激光发射器，所述控制所述晶圆切割装置根据所述加工顺序依次对各个所述加工子区域执行切割操作，以在所述待加工晶圆表面形成切割纹路的步骤包括：获取所述待加工晶圆的各个加工子区域分别对应的预设切割纹路；控制所述激光发射器以所述第一待加工子区域对应的加工方向沿着所述预设切割纹路对所述第一待加工子区域执行切割操作；在完成所述第一待加工子区域的切割操作后，控制所述激光发射器以所述第二待加工子区域对应的加工方向沿着所述预设切割纹路对所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：高昆，谢海龙，黄韶湖，
申请(专利权)人：深圳市青虹激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：