晶圆定位缺口切割方法及系统技术方案

本发明专利技术揭示了晶圆定位缺口切割方法及系统，其中晶圆定位缺口切割方法在将晶圆固定在工作台上后，无需确定晶圆与工作台的位置状态，而是通过图像识别直接确定出晶圆的第一圆心坐标，根据第一圆心坐标及半径求出切割得到第一切痕所需的第一切割参数并根据确定的第一切割参数切割得到第一切痕，随后使工作台旋转90

【技术实现步骤摘要】
晶圆定位缺口切割方法及系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是晶圆定位缺口切割方法及系统。

技术介绍

[0002]太鼓晶圆加工时，用于定位的定位缺口（notch槽）形成在太鼓环的外边缘处。但是现有技术在对太鼓晶圆进行加工时，会先对太鼓晶圆上的太鼓环进行环切，然后将环切后的太鼓环从太鼓晶圆上取下，这样就会导致定位缺口被从太鼓晶圆上去除，影响到后续的定位及加工。因此，在进行后续加工之前，需要先在晶圆的边缘处加工得到新的定位缺口。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种晶圆定位缺口切割方法及系统。
[0004]本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：晶圆定位缺口切割方法，包括如下步骤：S1，通过图像识别确定出固定在工作台上的晶圆在设定坐标系中的第一圆心坐标及晶圆半径；S2，根据所述第一圆心坐标及晶圆半径确定第一切割起点的坐标及第一切割终点的坐标，所述第一切割起点位于所述晶圆的边缘处；S3，控制切割机构的切刀由所述第一切割起点开始沿直线切割至所述第一切割终点以得到第一切痕，所述切刀的轴线与所述工作台的轴线垂直；S4，控制所述工作台转动90
°
并确定转动后的所述晶圆在所述设定坐标系中的第二圆心坐标；S5，根据所述第二圆心坐标及晶圆半径确定第二切割起点及第二切割终点，所述第二切割起点位于所述晶圆的边缘处；S6，控制切割机构的切刀由所述第二切割起点开始沿直线切割至所述第二切割终点以得到第二切痕，所述第二切痕与第一切痕相交。r/>[0005]优选的，所述第一切痕和第二切痕的延伸方向相互垂直，且所述第一切痕和第二切痕中的一者的延伸方向与所述切刀的轴线平行。
[0006]优选的，所述设定坐标系是至少以第一直线和第二直线构建的坐标系，所述第一直线平行于切刀的轴线，所述第二直线垂直于切刀的轴线及工作台的轴线。
[0007]优选的，所述第一切割起点的第一Y坐标为或；所述第一切割起点的第一X坐标是将所述第一Y坐标代入根据所述第一圆心坐标及晶圆半径确定的第一圆方程中计算得到的两个X值中的一个；其中，X1为第一圆心坐标中的X坐标，Y1为第一圆心坐标中的Y坐标，r为晶圆半径，a为Y坐标偏移量。
[0008]优选的，当所述第一切割起点的第一Y坐标为时，所述第二切割起点的第二Y坐标为或；当所述第一切割起点的第一Y坐标为时，所述第二切割起点的第二Y坐标为或；所述第二切割起点的第二X坐标是将所述第二Y坐标代入根据所述第二圆心坐标及晶圆半径确定的第二圆方程中计算得到的两个值中更靠近所述第一切割起点的一个；其中X2为第二圆心坐标中的横坐标，Y2为第二圆心坐标中的Y坐标，r为晶圆半径，a为Y坐标偏移量。
[0009]优选的，所述a在0.5mm
‑
2mm之间取值。
[0010]优选的，所述第二切割终点与第一切割终点重合。
[0011]优选的，所述第一切痕及第二切痕的长度为2mm。
[0012]晶圆定位缺口切割方法，包括如下步骤：S10，通过图像识别确定出固定在工作台上的晶圆在设定坐标系中的第一圆心坐标及晶圆半径；S20，确定第一切割方向及第一切割长度，并根据所述第一圆心坐标和晶圆半径确定第一切割起点的坐标，所述第一切割起点位于所述晶圆的边缘处；S30，控制切割机构的切刀由所述第一切割起点开始沿所述第一切割方向切割所述第一切割长度以得到第一切痕，所述切刀的轴线与所述工作台的轴线垂直；S40，控制所述工作台转动90
°
并确定转动后的所述晶圆在所述设定坐标系中的第二圆心坐标；S50，根据所述第二圆心坐标及晶圆半径确定第二切割起点，所述第二切割起点位于所述晶圆的边缘处；获取设定的第二切割方向及第二切割长度；S60，控制切割机构的切刀由所述第二切割起点开始沿第二切割方向切割所述第一切割长度以得到第二切痕，所述第二切痕与第一切痕相交。
[0013]晶圆定位缺口切割系统，包括：第一圆心及半径确定模块，用于通过图像识别确定出固定在工作台上的晶圆在设定坐标系中的第一圆心坐标及晶圆半径；第一计算模块，用于根据所述第一圆心坐标及晶圆半径确定第一切割起点的坐标及第一切割终点的坐标，所述第一切割起点位于所述晶圆的边缘处；第一切割控制模块，用于控制切割机构的切刀由所述第一切割起点开始沿直线切割至所述第一切割终点以得到第一切痕，所述切刀的轴线与所述工作台的轴线垂直；第二圆心确定模块，用于控制所述工作台转动90
°
并确定转动后的所述晶圆在所述设定坐标系中的第二圆心坐标；第二计算模块，用于根据所述第二圆心坐标及晶圆半径确定第二切割起点及第二
切割终点，所述第二切割起点位于所述晶圆的边缘处；第二切割控制模块，用于控制切割机构的切刀由所述第二切割起点开始沿直线切割至所述第二切割终点以得到第二切痕，所述第二切痕与第一切痕相交。
[0014]本专利技术技术方案的优点主要体现在：本专利技术在将晶圆固定在工作台上后，无需确定晶圆与工作台的位置状态，而是通过图像识别来直接确定晶圆的第一圆心坐标，根据第一圆心坐标及晶圆半径求出切割第一切痕所需的第一切割参数并根据确定的第一切割参数切割得到第一切痕，随后使工作台旋转90
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，再次确认晶圆的第二圆心坐标，根据第二圆心坐标求出切割得到第二切痕所需的第二切割参数并根据确定的第二切割参数切割得到第二切痕，从而最终得到定位缺口，这种方法即使在晶圆与工作台不共轴时，也能够在去环后在晶圆的边缘准确、有效地加工得到定位缺口。
[0015]本专利技术使第一切痕与第二切痕的延伸方向垂直，并使两者中的一者与切刀的轴线平行，从而在加工时，使得切刀只需要进行直线移动，而无需转动，从而有效地降低了切刀的驱动结构和控制难度，便于实现，同时，第一切痕与第二切痕垂直能够提高切割成型的成功率，降低切割造成晶圆破损的风险。
[0016]本专利技术通过设定第一切割起点的Y坐标和第二切割起点的Y坐标，从而能够方便地求出第一切割起点的X坐标和第二切割起点的X坐标，使得计算第一切割起点的坐标和第二切割起点的坐标能够更加地快速、有效，降低了计算难度。
[0017]本专利技术的切割长度的控制能够有效地保证切割的成功率，避免崩边的情况出现。
[0018]本专利技术在切割形成第一切痕和第二切痕时，采用指定切割方向、指定切割距离的方式，因此只要获取到对应的第一切割起点的坐标和第二切割起点的坐标，减少了计算量，有利于提高计算效率，减少控制误差，提高切割效率。
附图说明
[0019]图1是本专利技术的过程示意图；图2是本专利技术的方法中对位于工作台上的晶圆进行第一切痕切割的示意图；图3是本专利技术的方法中工作台逆时针转动90
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后进行第二切痕切割的示意图；图4是本专利技术的方法切割得到定位缺口的晶圆的俯视图。
具体实施方式
[0020]本专利技术的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本专利技术技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶圆定位缺口切割方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，通过图像识别确定出固定在工作台上的晶圆在设定坐标系中的第一圆心坐标及晶圆半径；S2，根据所述第一圆心坐标及晶圆半径确定第一切割起点的坐标及第一切割终点的坐标，所述第一切割起点位于所述晶圆的边缘处；S3，控制切割机构的切刀由所述第一切割起点开始沿直线切割至所述第一切割终点以得到第一切痕，所述切刀的轴线与所述工作台的轴线垂直；S4，控制所述工作台转动90
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并确定转动后的所述晶圆在所述设定坐标系中的第二圆心坐标；S5，根据所述第二圆心坐标及晶圆半径确定第二切割起点及第二切割终点，所述第二切割起点位于所述晶圆的边缘处；S6，控制切割机构的切刀由所述第二切割起点开始沿直线切割至所述第二切割终点以得到第二切痕，所述第二切痕与第一切痕相交。2.根据权利要求1所述的晶圆定位缺口切割方法，其特征在于：所述第一切痕和第二切痕的延伸方向相互垂直，且所述第一切痕和第二切痕中的一者的延伸方向与所述切刀的轴线平行。3.根据权利要求1所述的晶圆定位缺口切割方法，其特征在于：所述设定坐标系是至少以第一直线和第二直线构建的坐标系，所述第一直线平行于切刀的轴线，所述第二直线垂直于切刀的轴线及工作台的轴线。4.根据权利要求1所述的晶圆定位缺口切割方法，其特征在于：所述第一切割起点的第一Y坐标为或；所述第一切割起点的第一X坐标是将所述第一Y坐标代入根据所述第一圆心坐标及晶圆半径确定的第一圆方程中计算得到的两个X值中的一个；其中，X1为第一圆心坐标中的X坐标，Y1为第一圆心坐标中的Y坐标，r为晶圆半径，a为Y坐标偏移量。5.根据权利要求4所述的晶圆定位缺口切割方法，其特征在于：当所述第一切割起点的第一Y坐标为时，所述第二切割起点的第二Y坐标为或；当所述第一切割起点的第一Y坐标为时，所述第二切割起点的第二Y坐标为或；所述第二切割起点的第二X坐标是将所述第二Y坐标代入根据所述第二圆心坐标及晶圆半径确定的第二圆方程中计算得到的两个值中更靠近所述第一切割起点的一个；其中X2为第二圆心坐标中的横坐标，Y2为第二圆心坐标中的Y坐标，r为晶圆半径，a为Y坐标偏移量。6.根据权利要求5所述的晶圆定位缺口切割方法，其特征在于：所述a在0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕孝袁，张宁宁，高阳，高金龙，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：