磁传感器制造技术

本发明专利技术涉及磁传感器。本发明专利技术的课题是在使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应电路的磁传感器中提高灵敏度与噪声之比。本发明专利技术的解决手段为：磁传感器(10)具备包含通过磁阻抗效应来感应磁场的感应部的感应电路(12A)、和包含通过磁阻抗效应来感应磁场的感应部的感应电路(12B)，感应电路(12A)与感应电路(12B)的至少一部分电流路径在俯视观察时重叠，各自的一个端部彼此电连接。一个端部彼此电连接。一个端部彼此电连接。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器


[0001]本专利技术涉及磁传感器。

技术介绍

[0002]作为公报中记载的现有技术，存在下述磁阻抗元件，其特征在于，在包含由非磁体形成的基板和形成于该基板上的薄膜磁心的磁阻抗元件中，至少2个以上的前述薄膜磁心并列配置，在所述薄膜磁心的长边方向的两端设置有电极，并且前述各个薄膜磁心彼此串联地电连接(参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2000
‑
292506号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应电路的磁传感器中，阻抗的变化由检测部进行检测，并被转换为磁场的强度。但是，由于向感应电路供给交流电流的端子部设置于感应电路的两个端部，因此在端子部与检测部之间形成大的电流环。该电流环产生噪声(Noise)，还接收噪声。由于这样的噪声，使得磁传感器的灵敏度与噪声之比(S/N比)降低。
[0008]本专利技术的目的在于，在使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应电路的磁传感器中，提高灵敏度与噪声之比。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]应用了本专利技术的磁传感器具备包含通过磁阻抗效应来感应磁场的感应部的第1感应电路、和包含通过磁阻抗效应来感应磁场的感应部的第2感应电路，第1感应电路与第2感应电路的至少一部分电流路径在俯视观察时重叠，各自的一个端部彼此电连接。
[0011]对于这样的磁传感器而言，其特征可以在于，第1感应电路与第2感应电路在重叠对置的部分中的电流的方向是相反的。
[0012]而且，其特征可以在于，第1感应电路和第2感应电路具有曲折结构。
[0013]此外，其特征可以在于，第1感应电路与第2感应电路在对置的状态下俯视观察到的平面形状是相同的。
[0014]对于这样的磁传感器而言，其特征可以在于，第1感应电路设置于非磁性的第1基板上，第2感应电路设置于非磁性的第2基板上。
[0015]或者，其特征可以在于，第1感应电路设置于非磁性的基板的表面侧，第2感应电路设置于基板的背面侧。
[0016]对于这样的磁传感器而言，其特征可以在于，第1感应电路与第2感应电路以串联方式连接。
[0017]从其他观点来理解时，应用了本专利技术的磁传感器具备包含通过磁阻抗效应来感应
磁场的感应部的感应电路、和由非磁性的导电体构成的电流电路，感应电路与电流电路的至少一部分电流路径在俯视观察时重叠，各自的一个端部彼此电连接。
[0018]对于这样的磁传感器而言，其特征可以在于，感应电路设置于非磁性的第1基板上，电流电路设置于非磁性的第2基板上。
[0019]或者，其特征可以在于，感应电路设置于非磁性的基板的表面侧，电流电路设置于基板的背面侧。
[0020]应用了本专利技术的磁传感器的特征可以在于，具备集束构件，所述集束构件由软磁体构成，并且使来自外部的磁力线集束于感应电路。
[0021]而且，这样的磁传感器的特征可以在于，具备发散构件，所述发散构件由软磁体构成，并且使透过了感应电路的磁力线向外部发散。
[0022]此外，其特征可以在于，集束构件和发散构件在设置感应电路的基板的外部设置。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本专利技术，在使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应电路的磁传感器中，灵敏度与噪声之比提高。
附图说明
[0025][图1]为对利用磁传感器来测定磁场的磁传感器系统进行说明的图。(a)为使用应用了第1实施方式的磁传感器的磁传感器系统，(b)是为比较而示出的、使用未应用第1实施方式的磁传感器的磁传感器系统。
[0026][图2]为示出图1(b)所示的磁传感器中、磁传感器附近的布线所形成的电流环的面积与由磁传感器及电流环产生的电感之间的关系的图。
[0027][图3]为对感应电路的一个例子进行说明的图。(a)为俯视图，(b)为图3(a)的IIIB
‑
IIIB线的截面图。
[0028][图4]为对在感应电路的感应部的长边方向上施加的外部磁场与感应电路的阻抗之间的关系进行说明的图。
[0029][图5]为对应用了第1实施方式的磁传感器的构成进行说明的图。(a)为磁传感器的立体图，(b)为对感应电路中的电流和磁场进行说明的图。
[0030][图6]为对磁传感器中的2个感应电路的重叠方式进行说明的图。(a)为使2个感应电路在内侧对置的配置，(b)为使2个感应电路在外侧对置的配置，(c)为将2个感应电路堆叠的配置，图6(d)为将2个感应电路设置于一个基板的表面和背面的配置。
[0031][图7]为对使2个感应电路重叠的磁传感器中的灵敏度进行说明的图。(a)为电流环的面积与灵敏度的关系，(b)为2个感应电路间的间隔与灵敏度的关系。
[0032][图8]为对使2个感应电路重叠的磁传感器中的灵敏度进行说明的图。
[0033][图9]为对具备使磁力线集束的集束构件、和使磁力线向外部发散的发散构件的磁传感器进行说明的图。
[0034][图10]为对磁传感器的构成、与灵敏度、噪声(Noise)及灵敏度与噪声之比之间的关系进行说明的图。
[0035][图11]为对应用了第2实施方式的磁传感器的构成进行说明的图。(a)为磁传感器的立体图，(b)为对感应电路及电流电路中的电流和磁场进行说明的图。
[0036][图12]为对应用了第1实施方式的磁传感器和应用了第2实施方式的磁传感器进行比较说明的图。(a)为应用了第2实施方式的磁传感器的截面图，(b)为应用了第1实施方式的磁传感器的截面图。
[0037]附图标记说明
[0038]1、1
’…
磁传感器系统，10、10
’
、10
‑
1、10
‑
2、10
‑
3、40
…
磁传感器，11、11A、11B、11C
…
基板，12、12A、12B
…
感应电路，13
…
连接线，15
…
电流电路，17
…
集束构件，18
…
发散构件，20、30
…
连接端子，111、111a、111b、111c、111d
…
软磁体层，112、112a、112b
…
磁畴抑制层，113
…
导电体层，121
…
感应部，122
…
连接部，123、123A、123B、124、124A、124B、153、154
…
端子部，200
…
交流电流产生部，300
…
检测部，α、α1、α2、α
’
、α
’
1、α
’
2、β、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.磁传感器，其具备：包含通过磁阻抗效应来感应磁场的感应部的第1感应电路；和包含通过磁阻抗效应来感应磁场的感应部的第2感应电路，所述第1感应电路与所述第2感应电路的至少一部分电流路径在俯视观察时重叠，各自的一个端部彼此电连接。2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述第1感应电路与所述第2感应电路在重叠对置的部分中的电流的方向是相反的。3.如权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，所述第1感应电路和所述第2感应电路具有曲折结构。4.如权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，所述第1感应电路与所述第2感应电路在对置的状态下俯视观察到的平面形状是相同的。5.如权利要求1至4中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述第1感应电路设置于非磁性的第1基板上，所述第2感应电路设置于非磁性的第2基板上。6.如权利要求1至4中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述第1感应电路设置于非磁性的基板的表面侧，所述第2感应电路设置于该基板的背面侧。7.如权利要求1至6中任一项所述的磁传感器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：富田浩幸，河边功，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：