对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法技术方案

提供了对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法。所述对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法包括：获得粒子信息和晶体信息；基于粒子信息和晶体信息，估计入射粒子的能量损失；基于能量损失，估计空位的体积；基于晶体信息和空位的体积，估计空位反应；以及基于空位反应生成输出数据，输出数据包括所述损伤的量化数据。包括所述损伤的量化数据。包括所述损伤的量化数据。

【技术实现步骤摘要】
对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法
[0001]本申请基于并要求于2021年3月26日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0039838号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思涉及模拟，更具体地，涉及用于对由入射粒子引起的损伤进行建模的系统和/或方法。

技术介绍

[0003]入射到通过半导体工艺制造的集成电路上的粒子可能在集成电路中引起各种问题。例如，当集成电路的元件的电状态被入射到集成电路上的入射粒子(incident particle)改变时，在集成电路的操作中可能发生错误(例如，软错误)，集成电路的性能可能劣化，和/或集成电路可能最终被损伤。宇宙射线可导致入射到集成电路上的粒子。在高海拔处(例如，在对流层中飞行的飞机中)具有较高能量的粒子可入射到集成电路上。因此，为了设计具有用于防止或降低由其上的入射粒子引起的损伤的可能性和/或影响的结构的集成电路，可期望准确地估计由于具有高能量的粒子而可能在集成电路中发生的损伤。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法，所述方法包括：获得粒子信息和晶体信息；基于粒子信息和晶体信息，估计入射粒子的能量损失；基于能量损失，估计空位的体积；基于晶体信息和空位的体积，估计空位反应；以及基于空位反应生成输出数据，输出数据包括所述损伤的量化数据。2.根据权利要求1所述的方法，其中，估计空位的体积的步骤包括：估计由能量损失引起的空位的第一体积；估计由空位的扩散引起的第二体积；以及基于第一体积与第二体积的和，计算空位的体积。3.根据权利要求2所述的方法，其中，估计第一体积的步骤包括：基于能量损失的多项式，计算第一体积。4.根据权利要求3所述的方法，其中，多项式包括能量损失的三阶多项式。5.根据权利要求2所述的方法，其中，估计第二体积的步骤包括：基于空位的扩散率和空位的寿命，计算第二体积。6.根据权利要求5所述的方法，其中，计算第二体积的步骤包括：基于以下等式计算第二体积：其中，Vol
diffusion
是第二体积，A是常数，D
V
是空位的扩散率，τ
lifetime
是空位的寿命。7.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的方法，其中，估计空位反应的步骤包括：从晶体信息获得初始掺杂剂浓度；基于晶体信息，计算第一平衡常数；以及基于初始掺杂剂浓度、空位的体积和第一平衡常数，估计掺杂剂浓度。8.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的方法，其中，估计空位反应的步骤包括：从晶体信息获得初始掺杂剂浓度；基于初始掺杂剂浓度和空位的体积，计算掺杂剂和空位的组合浓度的变化率；以及基于初始掺杂剂浓度以及掺杂剂和空位的组合浓度，估计掺杂剂浓度。9.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的方法，其中，估计空位反应的步骤包括：从晶体信息获得初始杂质浓度；基于晶体信息，计算第二平衡常数；基于初始杂质浓度、空位的体积和第二平衡常数，估计杂质和空位的组合浓度；以及基于“掺杂剂和空位的组合浓度”与“杂质和空位的组合浓度”的和，计算阱浓度。10.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的方法，其中，估计空位反应的步骤包括：从晶体信息提取初始杂质浓度；
基于初始杂质浓度和空位的体积，计算杂质和空位的组合浓度的变化率；以及基于“掺杂剂和空位的组合浓度”与“杂质和空位的组合浓度”的和，计算阱浓度。11.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：基于设计数据产生至少一个掩模，设计数据基于权利要求1所述的输出数据而被验证；以及使用所述至少一个掩模制造集成电路。12....

【专利技术属性】
技术研发人员：李相运，全柱炫，金性珍，金承贤，卢元基，朴彻佑，卞诚载，安泰玧，郑孝恩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：