墨水组合物、封装结构和半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了一种墨水组合物、封装结构和半导体器件。该墨水组合物包括：可光固化含硅单体组分、活性稀释剂组分和光引发剂组分，可光固化含硅单体组分包括具有如下结构式I所示化合物中的任意一种或者多种：应用本发明专利技术的技术方案，将氟取代的含硅单体与含活性稀释剂组分进行配合使用，可以形成自由基固化体系，该自由基固化体系可以有效地降低介电常数，提高固化速度，并且由于本申请的墨水组合物中该氟取代的含硅单体沸点较高，不易挥发，避免了在使用过程中堵塞墨孔，可更好地满足现有技术中对喷墨打印的要求。另外，本申请的氟取代的含硅单体制备简单，且原料廉价易得，生产成本较低，便于推广应用。便于推广应用。

【技术实现步骤摘要】
墨水组合物、封装结构和半导体器件


[0001]本专利技术涉及有机封装材料
，具体而言，涉及一种墨水组合物、封装结构和半导体器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(Organic Light
‑
Emitting Diodes，OLED)因具有主动发光、驱动电压低、发光亮度高、发光效率高、发光视角宽、响应速度快、超薄超轻、低成本、低功耗、工作温度范围广、构造简单和可用于挠曲性面板等优异特性，而成为新一代显示技术的主流和未来显示的发展方向，其在各类智能终端领域的应用潜力巨大。
[0003]目前OLED器件的产业化发展及应用受到稳定性不足、可靠性欠缺和使用寿命短等问题的制约，主要是因为OLED器件中的材料和结构对水汽和氧气较为敏感，一旦接触水氧，器件的发光效率、工作性能、稳定性和使用寿命都会迅速下降。薄膜封装通过在OLED器件基板上堆叠沉积致密薄膜的方式将其封装，能够有效阻隔水汽和氧气的侵入，确保了OLED器件的可靠性和使用寿命。
[0004]OLED器件封装的复杂性增加对它们所使用的材料的要求越来越苛刻。具体地讲，对于应用于封装的聚合物材料的要求越来越严格。例如，应用于光学器件中作为粘合剂、保护层、隔层等的有机聚合物膜材是朝着重量轻、厚度薄和小型化的需求发展。同时，由于成品结构变得更加复杂，对这些层的物理需求相应地有增加。现有的薄膜封装厚度为1微米的隔层不仅需要平坦化功能并且不能含间隙和孔洞，以便提供适当的间隔功能。由于层与层之间减薄，各层之间的厚度及其成型工艺更精确，这需要精确且一致的喷墨打印方式沉积有机层。另外，薄隔层在多层光学和电子器件中履行的另外一个功能是电绝缘，以便将一层或一系列层与其他附近的层电隔离。
[0005]5G通讯时代的到来和各类电子终端应用的更新迭代，对于半导体显示器件的封装材料的功能特性和封装效果也提出了更加严苛和全面的要求，具有优异的介电性能如低介电常数和低介电损耗的有机薄膜封装材料正逐渐成为发展趋势。
[0006]3M公司申请号为CN201880082492.X的专利描述了利用单体包含具有12个或更多个碳原子的支链(甲基)丙烯酸烷基酯单体在固化时，形成在1兆赫兹下具有小于或等于3.0的介电常数的非晶态光学清晰层，但全烷链的丙烯酸酯化合物固化成膜时呈现的硬度往往不够。
[0007]SDI公司在申请号为TW202130677A的专利中描述了利用环戊二聚体改性的(甲基)丙烯酸单体和含苯基硅烷的(甲基)丙烯酸功能单体加上其他辅料复配INK组合物得到了较低介电常数的材料，但含苯基硅烷往往粘度较大且颜色不容易做到无色透明。
[0008]LG公司在申请号为US20220002569的专利中描述了利用二环和三环结构的(甲基)丙烯酸单体加上其他辅料复配INK组合物得到了较低介电常数的材料，但其专利除了报道介电常数数据之外，未报道其他数据。
[0009]申请号为CN20200109954.X的专利中描述了利用(甲基)丙烯酯单体衍生物添加低
介电的PIB胶低聚物的形式，得到在1兆赫兹下具有小于或等于3.0的介电常数的聚合物层。由于其粘度较大，无法使用喷墨打印工艺方式形成有机层。
[0010]此外，公开号为CN113004808A的中国专利申请也披露了一种可得到低介电材料的墨水组合物，采用低沸点含氟单体作为墨水的主要功能单体的形式，但由于其沸点较低，在墨水进行高温喷墨时易堵塞墨孔。

技术实现思路

[0011]本专利技术的主要目的在于提供一种墨水组合物、封装结构和半导体器件，以解决现有技术中封装材料介电常数偏高和印刷过程中易堵塞喷头的问题。
[0012]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种墨水组合物，该墨水组合物包括：可光固化含硅单体组分、活性稀释剂组分和光引发剂组分，可光固化含硅单体组分包括具有如下结构式I所示化合物中的任意一种或者多种：
[0013][0014]式中，n是0～50的任意一个整数；R1和R2相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的C1～C
50
的亚烷基、取代或未取代的C3～C
50
的亚环烷基、取代或未取代的C1～C
50
的亚烷基醚基、取代或未取代的C6～C
50
的亚芳基、取代或未取代的C7～C
50
的芳基亚烷基、
‑
N
‑
(R3)
‑
R4‑
和
‑
O
‑
R5‑
中的任意一种；X1、X2、X3、X4、X5、X6相同或不同，且各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C
50
的烷基、取代或未取代的C1～C
50
的烷基醚基、取代或未取代的C1～C
50
的环烷基、取代或未取代的C1～C
50
的烷基硫化物基团、取代或未取代的C6～C
50
的芳基、取代或未取代的C3～C
50
的杂芳基、取代或未取代的C7～C
50
的芳烷基、
‑
NR6R7中的任意一种，R4、R5、R6、R7为C1～C
50
的烷基；A1和A2相同或不同，且各自独立地选自：氢、取代或未取代的C1～C
50
的烷基、取代或未取代的C1～C
60
的烷基醚基、取代或未取代的C1～C
50
的烷基硫化物基团、取代或未取代的C6～C
50
的芳基、取代或未取代的C7～C
50
的芳烷基、
‑
NR8R9、取代或未取代的丙烯酸酯基、取代或未取代的C3～C
60
环氧基烷基、取代或未取代的C2～C
60
环氧基、取代或未取代的C2～C
60
的烯基醚基中的任意一种，R8、R9为C1～C
50
的烷基；并且可光固化含硅单体组分中，A1和A2中至少有一个由结构式II中的任意一种表示：
[0015][0016]其中，*表示结合位置，R3各自独立地选自
‑
F、
‑
CF3中的一种。
[0017]进一步地，n是1～10的任意一个整数，优选R1和R2各自独立地选自：取代或未取代的C1～C
10
的亚烷基和
‑
O
‑
R5‑
中的任意一种，且R5是取代或未取代的C1～C
10
的亚烷基中的一种；
[0018]优选的，X1、X2、X3、X4、X5、X6各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C
10
的烷基、取代或未取代的C6～C
10
的芳基和取代或未取代的C7～C
11
的芳烷基中的任意一种；
[0019]更优选的，可光固化含硅单体组分为多种具有结构式I所示化合物的组合。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种墨水组合物，其特征在于，包括：可光固化含硅单体组分、活性稀释剂组分和光引发剂组分，所述可光固化含硅单体组分包括具有如下结构式I所示化合物中的任意一种或者多种：式中，n是0～50的任意一个整数；R1和R2相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的C1～C
50
的亚烷基、取代或未取代的C3～C
50
的亚环烷基、取代或未取代的C1～C
50
的亚烷基醚基、取代或未取代的C6～C
50
的亚芳基、取代或未取代的C7～C
50
的芳基亚烷基、
‑
N
‑
(R3)
‑
R4‑
和
‑
O
‑
R5‑
中的任意一种；X1、X2、X3、X4、X5、X6相同或不同，且各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C
50
的烷基、取代或未取代的C1～C
50
的烷基醚基、取代或未取代的C1～C
50
的环烷基、取代或未取代的C1～C
50
的烷基硫化物基团、取代或未取代的C6～C
50
的芳基、取代或未取代的C3～C
50
的杂芳基、取代或未取代的C7～C
50
的芳烷基、
‑
NR6R7中的任意一种，R4、R5、R6、R7为C1～C
50
的烷基；A1和A2相同或不同，且各自独立地选自：氢、取代或未取代的C1～C
50
的烷基、取代或未取代的C1～C
60
的烷基醚基、取代或未取代的C1～C
50
的烷基硫化物基团、取代或未取代的C6～C
50
的芳基、取代或未取代的C7～C
50
的芳烷基、
‑
NR8R9、取代或未取代的丙烯酸酯基、取代或未取代的C3～C
60
环氧基烷基、取代或未取代的C2～C
60
环氧基、取代或未取代的C2～C
60
的烯基醚基中的任意一种，R8、R9为C1～C
50
的烷基；并且可光固化含硅单体组分中，A1和A2中至少有一个由结构式II中的任意一种表示：其中，*表示结合位置，R3各自独立地选自
‑
F、
‑
CF3中的一种。2.根据权利要求1所述的墨水组合物，其特征在于，所述n是1～10的任意一个整数，优选所述R1和R2各自独立地选自：取代或未取代的C1～C
10
的亚烷基和
‑
O
‑
R5‑
中的任意一种，且所述R5是取代或未取代的C1～C
10
的亚烷基中的一种；优选的，所述X1、X2、X3、X4、X5、X6各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C
10
的烷基、取代或未取代的C6～C
10
的芳基和取代或未取代的C7～C
11
的芳烷基中的任意一种；更优选的，所述可光固化含硅单体组分为多种具有所述结构式I所示化合物的组合。3.根据权利要求2所述的墨水组合物，其特征在于，所述可光固化含硅单体组分选自如下所示的化合物结构：
4.根据权利要求1所述的墨水组合物，其特征在于，所述活性稀释剂组分包括具有结构式V所示结构中的任意一种或多种，式中，Y选自单键、取代或未取代的C1到C
50
的亚烷基、取代或未取代的C3到C
50
的亚环烷基、取代或未取代的C1到C
50
的亚烷基醚基、取代或未取代的C6到C
50
的亚芳基、取代或未取代的C7到C
50
的芳基亚烷基、
‑
O
‑
R
10
‑
、
‑
N(R
...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪海兵，杨楚峰，沈馨，王士昊，邓伟，
申请(专利权)人：杭州福斯特应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：