本发明专利技术公开了一种发光装置以及一种发光二极管芯片，其中，该发光装置包括一基板、至少一发光二极管芯片以及一导电层。发光二极管芯片设置在基板上且包括一发光堆栈结构，其包括一第一掺杂层、一发光层与一第二掺杂层由下而上依序堆栈，发光二极管芯片另包括一钝化层设置在发光堆栈结构的侧壁表面。导电层设置在基板上，且导电层的至少一部分位于钝化层的侧壁表面。当发光装置在运作时，导电层会被提供一电压或至少一信号。电压或至少一信号。电压或至少一信号。
【技术实现步骤摘要】
发光装置与发光二极管芯片
[0001]本专利技术涉及一种发光二极管芯片与包括发光二极管芯片的发光装置，特别是涉及可改善发光效率的发光二极管芯片与发光装置。
技术介绍
[0002]发光二极管已普遍应用在生活中。随着科技发展与信息产品的需求，发光二极管的尺寸不断缩小。然而，在切割小尺寸的发光二极管芯片时，芯片的周围可能会因切割损伤而有不均匀的情况，进而造成漏电问题，影响发光特性。
技术实现思路
[0003]本专利技术所要解决的技术问题是如何改善发光二极管芯片在制作时因切割缺陷而引起的漏电问题，进而改善发光效率。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种发光装置，其包括一基板、至少一发光二极管芯片以及一导电层。发光二极管芯片设置在基板上且包括一发光堆栈结构，其包括一第一掺杂层、一发光层与一第二掺杂层由下而上依序堆栈，发光二极管芯片另包括一钝化层设置在发光堆栈结构的侧壁表面。导电层设置在基板上，且导电层的至少一部分位于钝化层的侧壁表面。当发光装置在运作时，导电层会被提供一电压或至少一信号。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术另提供了一种发光二极管芯片，其包括一发光堆栈结构、一钝化层、一第一电极、一第二电极以及一第三电极。其中，发光堆栈结构包括一第一掺杂层、一发光层与一第二掺杂层，沿着一堆栈方向依序堆栈设置。钝化层设置在发光堆栈结构的侧壁表面。第一电极设置在第一掺杂层相反于发光层的一侧并与第一掺杂层相接触，第二电极设置在第二掺杂层相反于发光层的一侧并与第二掺杂层相接触，而第三电极设置在发光堆栈结构的侧壁表面并至少部分覆盖钝化层，且第三电极的至少一部分在垂直于所述堆栈方向的一方向上至少部分重叠发光层。
[0006]本专利技术的发光二极管芯片具有第三电极，当使用本专利技术发光二极管芯片时，可以通过提供电压或信号给第三电极以改善发光效率。或者，在本专利技术的发光装置中，通过设置在发光堆栈结构外围的导电层，可以在发光装置运作时提供电压或信号，将电荷往内挤压而提高发光效率。
附图说明
[0007]图1为本专利技术发光二极管芯片的一实施例的剖面示意图。
[0008]图2为本专利技术发光装置的第一实施例的局部剖面示意图。
[0009]图3为本专利技术发光装置的另一实施例的等效电路图。
[0010]图4为本专利技术发光装置的第二实施例的局部剖面示意图。
[0011]图5为本专利技术发光装置的第三实施例的局部剖面示意图。
[0012]图6为本专利技术发光装置的第四实施例的局部剖面示意图。
[0013]附图标记说明：100
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发光二极管芯片；150
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载板；152
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粘着层；300
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发光装置；302
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缓冲层；304、306
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绝缘层；AL
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钝化层；CIL
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电路层；CL1
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第一导电层；CL2
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第二导电层；CM
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接合材料；DN
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漏极；ED1
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第一电极；ED2
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第二电极；ED3
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第三电极；FL
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第三导线；GE
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栅极；ID
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栅极绝缘层；IL1
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第一绝缘层；IL2
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第二绝缘层；IL3
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第三绝缘层；IL3v
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接触洞；LE
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导线；LE1、LE2、LE3、LE4、LE5、LE6
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发光元件；LS
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发光堆栈结构；LS1
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第一掺杂层；LS2
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发光层；LS3
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第二掺杂层；LSa
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侧壁；ML
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第二导线；PD
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连接垫；PL
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保护层；SB
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基板；SC
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半导体层；SE
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源极；SL
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第一导线；T1
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驱动元件；T2
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开关元件；Vc
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固定电压；X、Z
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方向。
具体实施方式
[0014]为使本领域技术人员能更进一步了解本专利技术，以下特列举本专利技术的优选实施例，并配合附图详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本专利技术有关之组件与组合关系，以对本专利技术的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的组件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本专利技术的各附图中所示之组件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。
[0015]须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本专利技术的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背专利技术精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
[0016]请参考图1，图1所示为本专利技术发光二极管芯片的一实施例的剖面示意图。在本实施例中，发光二极管芯片100包括一发光堆栈结构LS、一钝化层AL、一第一电极ED1、一第二电极ED2以及一第三电极ED3。其中，发光堆栈结构LS包括一第一掺杂层LS1、一发光层LS2与一第二掺杂层LS3，沿着一堆栈方向依序堆栈设置，该堆栈方向例如图1所示的垂直方向Z，亦即，在图1中，第一掺杂层LS1、一发光层LS2与一第二掺杂层LS3是由下往上依序堆栈设置。举例而言，本实施例的第一掺杂层LS1可包括P+掺杂材料，第二掺杂层LS3包括N+掺杂材料，但不以此为限，在其他实施例中，两者可互相交换。发光层LS2可包括多重量子井(multiple quantum well,MQW)材料，但不以此为限。图1中的第一电极ED1设置在发光堆栈结构LS下侧，亦即设置在第一掺杂层LS1相反于发光层LS2的一侧，且第一电极ED1与第一掺杂层LS1直接接触以互相电连接。第一电极ED1例如可以横向突出于发光堆栈结构LS的外缘，但不以此为限。由于本实施例中的第一掺杂层LS1包括P+掺杂材料，因此第一电极ED1可视为发光二极管芯片100的阳极。相对的，图1中的第二电极ED2设置在发光堆栈结构LS的上侧，亦即设置在第二掺杂层LS3相反于发光层LS2的一侧，且第二电极ED2与第二掺杂层LS3直接接触以互相电连接。由于本实施例中的第二掺杂层LS3包括N+掺杂材料，因此第二电极ED2可视为发光二极管芯片100的阴极。在变化实施例中，第一电极ED1与第二电极ED2可互换而分别作为阴极与阳极。在本实施例中，第一电极ED1与第二电极ED2也可分别视为发光二极管芯片100的下电极与上电极。
[0017]钝化层AL设置在发光堆栈结构LS的侧壁LSa表面，例如可完整覆盖侧壁LSa，在底部横向向外延伸覆盖部分的第一电极ED本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：一基板；至少一发光二极管芯片，设置在所述基板上，其中所述发光二极管芯片包括：一发光堆栈结构，其包括一第一掺杂层、一发光层与一第二掺杂层由下而上依序堆栈；以及一钝化层，设置在所述发光堆栈结构的侧壁表面；以及一导电层，设置在所述基板上，所述导电层的至少一部分位于所述钝化层的侧壁表面；其中，当所述发光装置在运作时，所述导电层会被提供一电压或至少一信号。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述钝化层为原子层沉积层。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述导电层的所述至少一部分在平行所述基板表面的一方向上至少部分重叠所述发光层。4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括：一第一电极，位于所述第一掺杂层相反于所述发光层的一侧，且所述第一电极与所述第一掺杂层相接触；一第二电极，位于所述第二掺杂层相反于所述发光层的一侧，且所述第二电极与所述第二掺杂层相接触；以及一第三电极，设置在所述钝化层与所述导电层之间，且所述第三电极与所述导电层相接触。5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一第一绝缘层设置在所述基板上并且位于所述导电层与所述基板之间。6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，还包括一导线设置在所述基板上，并且所述导线位于所述基板与所述第一绝缘层之间，其中所述导线电连接到所述发光二极管芯片的一下电极。7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，还包括至少一薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘家麟，朱俊宜，叶政谚，陈谚宗，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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