【技术实现步骤摘要】
一种智能全自动的氮化镓场效管封装性能检测装置
[0001]本专利技术涉及封装性能检测
,具体为一种智能全自动的氮化镓场效管封装性能检测装置。
技术介绍
[0002]氮化镓是氮和镓的化合物,号称第三代半导体核心材料,相比于硅,氮化镓拥有更宽的带隙,能够承受更高的电压,拥有更好的导电能力,目前氮化镓场效管已经逐渐应用在了各种电子设备中。
[0003]为了避免外部环境,包括外力、水、杂质或化学物等破坏和腐蚀氮化镓场效管,如今氮化镓场效管在生产时通常会经历封装这一步骤,现有的封装性能检测装置通常都是利用压力衰减法来检测封装的密封性,即通过对产品充气加压,然后根据气压变化判断产品是否泄漏,但随着气体的充入,封装性能检测装置内部的压强会越来越大,根据普适气体定律可知,随着压强的增大,气体温度也会随之升高,由于氮化镓场效管的引脚通常都是金属材质,当封装性能检测装置内部的温度升高后,受到热量的影响氮化镓场效管引脚会发生膨胀变形,进而使得电阻发生变化,若此时需要检测氮化镓场效管工作时的电流和电压,那么最终的检测结果会出现较大的偏差,以至于影响最终的产品判定,同时检测槽内的压强过大时还会导致工件发生变形,造成外观损坏,另外目前的封装性能检测装置无法根据需要模拟工作环境,在工作结束之后,若封装性能检测装置内部的温度较高,而外界温度较低,那么在打开封装性能检测装置,取出氮化镓场效管时,外界的冷空气会与封装性能检测装置内部的热空气结合,最后凝结生成水珠,污染封装性能检测装置的洁净度。
技术实现思路
[0004]本 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种智能全自动的氮化镓场效管封装性能检测装置,其特征在于:所述氮化镓场效管封装性能检测装置包括底座(1)、进气装置(2)、测试装置(3)和抽气装置(4),所述进气装置(2)、测试装置(3)和抽气装置(4)均设置在底座(1)上,所述测试装置(3)的一端与进气装置(2)相连接,所述测试装置(3)的另一端与抽气装置(4)相连接,所述进气装置(2)的内部设置有顺磁性气体和抗磁性气体,所述测试装置(3)包括测试箱(31)、第一检测台(32)和第二检测台(33),所述第二检测台(33)固定安装在测试箱(31)的内部下端,所述第一检测台(32)通过升降杆活动安装在测试箱(31)的内部上端,所述第一检测台(32)与第二检测台(33)相互靠近的一端设置有检测槽,所述工件(5)放置在检测槽内,所述第一检测台(32)的内部中间位置处设置有磁场发生器(321),所述第一检测台(32)靠近第二检测台(33)的一端设置有密封机构(322),所述第二检测台(33)的内部设置有防护机构(331)、模拟机构(332)和固定机构(334),所述防护机构(331)设置在第二检测台(33)的内部靠近密封机构(322)的一端,所述模拟机构(332)设置在第二检测台(33)的内部中间位置处,所述固定机构(334)设置在工件(5)引脚的下方,所述固定机构(334)与外界电源相连接。2.根据权利要求1所述的一种智能全自动的氮化镓场效管封装性能检测装置,其特征在于:所述固定机构(334)包括导电块(3341)、升降槽(3342)和升降架(3344),所述导电块(3341)设置在升降槽(3342)的内部远离第一检测台(32)的一端,所述升降架(3344)设置在升降槽(3342)的内部靠近第一检测台(32)的一端,所述升降架(3344)靠近第一检测台(32)的一端为导电材质且与外界电源相连接,所述导电块(3341)共设置有两组,其中一组所述导电块(3341)固定安装在升降槽(3342)的内部远离第一检测台(32)的一端,另外一组所述导电块(3341)通过连接杆与升降架(3344)相连接,两组所述导电块(3341)之间填充有气态导电介质且通过弹簧相连接,所述磁场发生器(321)通过两组所述导电块(3341)与外界电源相连接。3.根据权利要求2所述的一种智能全自动的氮化镓场效管封装性能检测装置,其特征在于:所述固定机构(334)还包括第二齿条(3343),所述第二齿条(3343)固定安装在升降槽(3342)的内部远离工件(5)的一端,所述第二齿条(3343)贯穿于升降架(3344),所述升降架(3344)的内部靠近第二齿条(3343)的一端设置有齿轮转盘(33441),所述第二齿条(3343)与齿轮转盘(33441)啮合连接,所述升降架(3344)的内部中间位置处设置有转换室(33444),所述升降架(3344)的内部靠近工件(5)引脚的一端设置有负压槽(33445),所述转换室(33444)与负压槽(33445)之间通过第一单向阀相连接,所述转换室(33444)的内部设置有活塞和气阀,所述活塞通过连杆与齿轮转盘(33441)相连接。4.根据权利要求3所述的一种智能全自动的氮化镓场效管封装性能检测装置,其特征在于:所述升降架(3344)远离第二齿条(3343)的一端设置有排气槽(33442),所述第二检测台(33)靠近工件(5)的一端设置有缓冲槽(3345),所述缓冲槽(3345)与排气槽(33442)之间通过连接管(33443)相连通,所述转换室(33444)与排气槽(33442)之间通过第二单向阀相连接。5.根据权利要求1所述的一种智能全自动的氮化镓场效管封装性能检测...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁纪文,邓孟中,杜运波,
申请(专利权)人:扬州港信光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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