一种LED晶圆、LED芯片、LED及显示设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED晶圆、LED芯片、LED及显示设备，该LED晶圆包括基板、多个外延片以及多个线圈，多个外延片间隔设置在基板上，每个外延片包括n型半导体层、量子井层及p型半导体层，n型半导体层设置在基板上，量子井层设置在n型半导体层上，p型半导体层设置在量子井层上，n型半导体层上设置有阳极，n型半导体层上设置有阴极；多个线圈与多个外延片一一对应设置，每个线圈分别电连接在对应的阳极与阴极之间，线圈用于在磁场中产生由阳极流向阴极的电流。该LED晶圆能够提高LED晶圆上的LED芯片的光电参数的检测效率，以实现对大量LED芯片均能够进行光电参数的检测的目的。芯片均能够进行光电参数的检测的目的。芯片均能够进行光电参数的检测的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种LED晶圆、LED芯片、LED及显示设备


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种LED晶圆、LED芯片、LED及显示设备。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。
[0003]通常情况下，LED晶圆包括多个LED芯片，具体地，LED晶圆切割后可以得到多个LED芯片，LED芯片是LED的核心部分，LED芯片的亮度、正向电压、波长等光电参数决定着LED的亮度、正向电压、波长等光电参数。目前LED晶圆的制作主要包括LED晶圆处理工序、检测工序以及构装工序等，其中检测工序主要是通过针测仪对LED晶圆包括的LED芯片进行光电参数检测，即，将针测仪的探针接触LED芯片的阳极和阴极，并输入电压、电流，使LED芯片发光，获取LED芯片的正向电压、亮度等光电参数，以方便对LED芯片进行筛选、分类。
[0004]但是，通过针测仪的探针接触LED芯片的阳极和阴极，需要将探针与阳极和阴极进行对位，需要较长的时间，而一片LED晶圆可能包括几百万颗LED芯片，检测每个LED芯片的光电参数需要大量的时间，不利于对LED晶圆上的所有LED芯片进行光电参数检测。

技术实现思路

[0005]本申请实施例公开了一种LED晶圆及LED，能够提高LED晶圆上的LED芯片的光电参数的检测效率，以实现对大量LED芯片均能够进行光电参数的检测的目的。
>[0006]为了实现上述目的，本申请实施例公开了一种LED晶圆，包括：
[0007]基板；
[0008]多个外延片，多个所述外延片间隔设置在所述基板上，每个所述外延片包括n型半导体层、量子井层及p型半导体层，所述n型半导体层设置在所述基板上，所述量子井层设置在所述n型半导体层上，所述p型半导体层设置在所述量子井层上，所述n型半导体层上设置有阳极，所述n型半导体层上设置有阴极；
[0009]多个线圈，多个所述线圈与多个所述外延片一一对应设置，每个所述线圈分别电连接在对应的所述阳极与所述阴极之间，所述线圈用于在磁场中产生由所述阳极流向所述阴极的电流。
[0010]在本实施例中，多个外延片间隔设置在基板上，每个外延片包括n型半导体层、量子井层及p型半导体层，且n型半导体层设置在基板上，量子井层设置在n型半导体层上，p型半导体层设置在量子井层上，n型半导体层上设置有阳极，n型半导体层上设置有阴极，以使LED晶圆在分割后可得到多个单独的LED芯片，方便了对单独的LED芯片进行进一步的加工，如焊接连接到阳极和阴极的引脚等工序后后制作得到LED，以将LED芯片应用到其它设备上。
[0011]又，多个线圈与多个外延片一一对应，使得每个外延片上均设置有一个线圈。且每个线圈分别电连接在对应的阳极与阴极之间，以使每个LED芯片上的阳极和阴极均能够通过线圈导通，使得LED芯片在磁场中时，线圈能够产生磁感应电流，从而能够使线圈产生由阳极流向阴极的电流，以使LED芯片能够发光，以实现对LED芯片的导通情况、正向电压以及亮度等光电参数的检测。相比于通过探针仪对LED芯片进行检测，通过线圈在磁场中产生由阳极流向阴极的电流来对LED芯片的光电参数进行检测，只需要通过磁场设备产生磁场，然后将LED芯片置于磁场中即能够进行检测，且可通过磁场设备控制磁场的大小，使得LED芯片的光电参数的检测方便快捷，从而使得LED晶圆上的多个LED芯片可快速进行光电参数的检测，以实现LED芯片量检的目的。
[0012]在第一方面可能的实现方式中，所述线圈包括阳极连接部、阴极连接部以及电连接于所述阳极连接部和所述阴极连接部之间的回旋部，所述阳极连接部与所述阳极电连接，所述阴极连接部与所述阴极电连接，所述回旋部用于在磁场中产生所述电流。
[0013]在第一方面可能的实现方式中，所述回旋部所在的平面与所述基板的板面平行。
[0014]在第一方面可能的实现方式中，所述回旋部具有多个折弯形成的U形金属线，多个所述U形金属线依次连接，以形成具有两个自由端的U形金属线阵列，两个自由端中的一者与所述阴极连接部电连接、另一者与所述阳极连接部电连接。
[0015]在第一方面可能的实现方式中，所述U形金属线包括短边及两个长边，两个所述长边相对设置，所述短边位于两个所述长边之间且所述短边的两端分别与两个所述长边的相对的两端连接，多个所述U形金属线沿所述短边的延伸方向阵列排布，相邻两个所述U形金属线之间的间距与所述短边的长度不相等。
[0016]在第一方面可能的实现方式中，所述LED晶圆还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述n型半导体层及所述p型半导体层上且分别避让开所述阴极及所述阳极，所述线圈位于所述绝缘层远离所述基板的一侧。
[0017]在第一方面可能的实现方式中，所述线圈为铜线线圈；
[0018]和/或，
[0019]所述基板为蓝宝石基板。
[0020]第二方面，本申请实施例公开了一种LED芯片，所述LED芯片根据第一方面所述的任一种LED晶圆切割形成。
[0021]第三方面，本申请实施例公开了一种LED，包括第二方面所述的任一种LED芯片。
[0022]第四方面，本申请实施例公开了一种显示设备，包括第三方面所述的任一种LED。
[0023]与现有技术先比，本申请至少具有以下有益效果：
[0024]在本申请中，多个外延片间隔设置在基板上，每个外延片包括n型半导体层、量子井层及p型半导体层，且n型半导体层设置在基板上，量子井层设置在n型半导体层上，p型半导体层设置在量子井层上，n型半导体层上设置有阳极，n型半导体层上设置有阴极，以使LED晶圆在分割后可得到多个单独的LED芯片，方便了对单独的LED芯片进行进一步的加工，如焊接连接到阳极和阴极的引脚等工序后后制作得到LED，以将LED芯片应用到其它设备上。
[0025]又，多个线圈与多个外延片一一对应，使得每个外延片上均设置有一个线圈。且每个线圈分别电连接在对应的阳极与阴极之间，以使每个LED芯片上的阳极和阴极均能够通
过线圈导通，使得LED芯片在磁场中时，线圈能够产生磁感应电流，从而能够使线圈产生由阳极流向阴极的电流，以使LED芯片能够发光，以实现对LED芯片的导通情况、正向电压以及亮度等光电参数的检测。相比于通过探针仪对LED芯片进行检测，通过线圈在磁场中产生由阳极流向阴极的电流来对LED芯片的光电参数进行检测，只需要通过磁场设备产生磁场，然后将LED芯片置于磁场中即能够进行检测，且可通过磁场设备控制磁场的大小，使得LED芯片的光电参数的检测方便快捷，从而使得LED晶圆上的多个LED芯片可快速进行光电参数的检测，以实现LED芯片量检的目的。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED晶圆，其特征在于，包括：基板；多个外延片，多个所述外延片间隔设置在所述基板上，每个所述外延片包括n型半导体层、量子井层及p型半导体层，所述n型半导体层设置在所述基板上，所述量子井层设置在所述n型半导体层上，所述p型半导体层设置在所述量子井层上，所述n型半导体层上设置有阳极，所述n型半导体层上设置有阴极；多个线圈，多个所述线圈与多个所述外延片一一对应设置，每个所述线圈分别电连接在对应的所述阳极与所述阴极之间，所述线圈用于在磁场中产生由所述阳极流向所述阴极的电流。2.根据权利要求1所述的LED晶圆，其特征在于，所述线圈包括阳极连接部、阴极连接部以及电连接于所述阳极连接部和所述阴极连接部之间的回旋部，所述阳极连接部与所述阳极电连接，所述阴极连接部与所述阴极电连接，所述回旋部用于在磁场中产生所述电流。3.根据权利要求2所述的LED晶圆，其特征在于，所述回旋部所在的平面与所述基板的板面平行。4.根据权利要求3所述的LED晶圆，其特征在于，所述回旋部具有多个折弯形成的U形金属线，多个所述U形金属线依次连接，以形成具有两个自由端的U形金属线阵列，两个自由端中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊吉，
申请(专利权)人：闻泰通讯股份有限公司，
类型：新型
国别省市：