微型发光二极管显示装置制造方法及图纸

一种微型发光二极管显示装置，包括电路基板、磊晶结构以及导电层。磊晶结构电性连接电路基板，且包括共用层以及多个发光平台。这些发光平台配置于共用层上，其中共用层的厚度小于这些发光平台的厚度，且共用层具有被这些发光平台暴露出的第一表面，以及与第一表面相对的第二表面。导电层配置于共用层的第二表面上，并暴露出第二表面的多个子区，其中导电层在共用层的垂直投影重叠第一表面在共用层的垂直投影。垂直投影。垂直投影。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示装置


[0001]本专利技术涉及一种显示装置，尤其涉及一种微型发光二极管显示装置。

技术介绍

[0002]微型发光二极管显示器中的多个像素可以通过在半导体基底层上配置多个半导体发光平台来形成。每一个半导体发光平台对应一个子像素，并以阵列的形式配置于半导体基底层上。半导体基底层除了作为基底层，还可以作为各发光平台的共电极，通过接合金属层电性连接至电路基板。
[0003]然而，相较于导体，半导体基底层的电阻值较高。对于与公共接地点(common ground point)距离较远的发光平台，能够发生复合(recombination)的电子空穴对的对数较低。相对的，对于与公共接地点距离越近的发光平台，能够发生复合的电子空穴对的对数较高。因此，微型发光二极管显示器会有亮度不均匀的状况。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种微型发光二极管显示装置，发光亮度均匀。
[0005]根据本专利技术一实施例，提供一种微型发光二极管显示装置，包括电路基板、磊晶结构以及导电层。磊晶结构电性连接电路基板，且包括共用层以及多个发光平台。这些发光平台配置于共用层上，其中共用层的厚度小于这些发光平台的厚度，且共用层具有被这些发光平台暴露出的第一表面，以及与第一表面相对的第二表面。导电层配置于共用层的第二表面上，并暴露出第二表面的多个子区，其中导电层在共用层的垂直投影重叠第一表面在共用层的垂直投影。
[0006]根据本专利技术另一实施例，提供一种微型发光二极管显示装置，包括电路基板、磊晶结构以及透明导电层。磊晶结构电性连接电路基板，且包括共用层以及多个发光平台。这些发光平台配置于共用层上，其中共用层具有被这些发光平台暴露出的第一表面，以及与第一表面相对的第二表面。透明导电层配置于共用层的第二表面上，其中透明导电层完全覆盖第二表面。
[0007]基于上述，本专利技术实施例提供的微型发光二极管显示装置将导电层设置于磊晶结构的共用层上。由于导电层的电阻值小于共用层的电阻值，通过导电层，能使电路基板的电流能够传递更为均匀。在这样的情况下，对于与公共接地点距离不同的发光平台，相同的电位差能够驱动相同对数的电子空穴对进行复合，可以避免微型发光二极管显示装置发生亮度不均匀的状况。除此之外，随着解析度需求愈来愈高，发光平台也就是子像素的排列更为密集，相较于习知将导电层设置于共用层的第一表面的状况，导电层被设置于第二表面，大幅提高了良率。
[0008]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
[0009]图1A示出了根据本专利技术一实施例的微型发光二极管显示装置的平面示意图；
[0010]图1B示出了沿图1A所示的线I
‑
I
’
的横截面示意图；
[0011]图2A示出了根据本专利技术一实施例的微型发光二极管显示装置的平面示意图；
[0012]图2B示出了沿图2A所示的线II
‑
II
’
的横截面示意图；
[0013]图3至图5示出了根据本专利技术实施例的微型发光二极管显示装置的横截面示意图。
[0014]附图标号说明：
[0015]1、2、3、4、5:微型发光二极管显示装置
[0016]10、10A:共用层
[0017]10H:通孔
[0018]20:发光平台
[0019]20G:发光平台群
[0020]30、30A、30B、30B1、30B2、50、30C、30T:导电层
[0021]40:半导体垫高部
[0022]101:第一表面
[0023]102、102A:第二表面
[0024]102P:立体图案
[0025]102S、102G:子区
[0026]120、130、140、150:接合金属层
[0027]140E:外延段
[0028]201:第一型半导体层
[0029]202:第二型半导体层
[0030]203:发光层
[0031]220:绝缘层
[0032]A1:显示区
[0033]A2:非显示区
[0034]C1:电路基板
[0035]D1:第一方向
[0036]D2:第二方向
[0037]D3:第三方向
[0038]ES、ES1:磊晶结构
[0039]G、G
’
:凹槽
[0040]PX:显示子像素
具体实施方式
[0041]参照图1A及图1B，微型发光二极管显示装置1具备显示区A1以及非显示区A2，且包括电路基板C1、磊晶结构ES以及导电层30。显示区A1指设置有多个显示子像素PX的区域，非显示区A2至少部分围绕显示区A1配置，可为设置有多个驱动元件(未示出)的区域。每个显示子像素PX具备一个发光平台20以提供微型发光二极管显示装置1的图像光。
[0042]磊晶结构ES包括共用层10以及多个发光平台20。如图1B所示，分别对应多个显示子像素PX的多个发光平台20配置于共用层10上，且每个发光平台20包括第一型半导体层201、第二型半导体层202以及发光层203，其中发光层203是多重量子井(Multiple Quantum Well，MQW)。共用层10配置于平行由第一方向D1以及第二方向D2所形成的面的平面上，且具有被多个发光平台20暴露出的第一表面101，以及与第一表面101相对的第二表面102。
[0043]根据本专利技术一实施例，共用层10是N型半导体，且第一型半导体层201是N型半导体，第二型半导体层202是P型半导体，但是本专利技术不限于此。在本专利技术的另一实施例中，共用层10是P型半导体，第一型半导体层201是P型半导体，第二型半导体层202是N型半导体。特别说明的是，共用层10与第一型半导体层201可为一体成型，亦即两者是同一层。例如是通过蚀刻制程，形成多个分离的第一型半导体层201和连续的共用层10，可增加巨量转移至电路基板C1时的良率，并留共用层10作为共电极，降低功耗。
[0044]电路基板C1可以例如是互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor,CMOS)基板、硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon,LCOS)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)基板或是其他具有工作电路的基板，于此并不加以限制。如图1B所示，磊晶结构ES通过接合金属层120、130、140、150电性连接电路基板C1，其中接合金属层140、150为公共接地点。当以电路基板C1对任一接合金属层120施加电压，使接合金属层120与公共接地点之间具备电位差，电位差会导致电流的产生，在连接被施加电压的该个接合金属层120的发光平台20中会发生电子空穴对的复合，因而产生光。发光平台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示装置，其特征在于，包括：电路基板；磊晶结构，电性连接所述电路基板，且包括：共用层；以及多个发光平台，配置于所述共用层上，其中所述共用层的厚度小于所述多个发光平台的厚度，且所述共用层具有被所述多个发光平台暴露出的第一表面，以及与所述第一表面相对的第二表面；以及第一导电层，配置于所述共用层的所述第二表面上，其中所述第一导电层在所述共用层的垂直投影重叠所述第一表面在所述共用层的垂直投影。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一导电层在所述共用层的所述垂直投影形成为第一投影，所述第一表面在所述共用层的所述垂直投影形成为第二投影，且所述第一投影与所述第二投影相重叠的部分的面积大于或等于所述第二投影的面积的0.5倍。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述第二投影完全落在所述第一投影中。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一导电层的厚度小于或等于所述磊晶结构的厚度。5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一导电层暴露出所述第二表面的多个子区，且所述多个子区分别对应所述多个发光平台。6.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，至少部分所述多个子区在所述共用层的垂直投影小于对应的所述多个发光平台在所述共用层的垂直投影。7.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述多个发光平台被分...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦烨，曾于芮，吴志凌，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：