发光二极管器件及其制备方法、显示基板和显示装置制造方法及图纸

一种发光二极管器件及其制备方法、显示基板和显示装置，其中，发光二极管器件包括：N个发光元件，N为大于或者等于2的正整数，发光元件包括：第一子半导体层、子多量子阱层、第二子半导体层、第一电极和第二电极；N个发光元件的第二电极为同一电极，发光二极管器件还包括：连接电极，连接电极分别与N个发光元件的第一子半导体层和N个发光元件的第二电极电连接。子半导体层和N个发光元件的第二电极电连接。子半导体层和N个发光元件的第二电极电连接。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管器件及其制备方法、显示基板和显示装置


[0001]本公开涉及但不限于显示
，具体涉及一种发光二极管器件及其制备方法、显示基板和显示装置。

技术介绍

[0002]微发光二极管，简称微LED可以包括微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)和次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，Mini LED)，具有尺寸小、亮度高等优点，可以广泛应用于显示装置的背光模组中，利用微LED的显示产品的画面对比度可以达到有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，简称OLED)显示产品的水平，提升画面的显示效果，为用户提供更优质的视觉体验。此外，微LED显示逐渐成为显示面板的一个热点，主要应用在AR/VR、TV及户外显示等领域。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]第一方面，本公开提供了发光二极管器件，包括：N个发光元件，N为大于或者等于2的正整数，所述发光元件包括：第一子半导体层、子多量子阱层、第二子半导体层、第一电极和第二电极；
[0005]N个发光元件的第二电极为同一电极，所述发光二极管器件还包括：连接电极，所述连接电极分别与N个发光元件的第一子半导体层和N个发光元件的第二电极电连接。
[0006]在一些可能的实现方式中，包括：相互间隔设置的N个区域，所述发光二极管器件包括：依次叠设的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、绝缘层、第一导电层和第二导电层；
[0007]所述第一半导体层包括：N个发光元件的第一子半导体层，第i个发光元件的第一子半导体层位于第i个区域内，1≤i≤N；
[0008]所述多量子阱层包括：N个发光元件的子多量子阱层，第i个发光元件的子多量子阱层位于第i个区域内；
[0009]所述第二半导体层包括：N个发光元件的第二子半导体层，第i个发光元件的第二子半导体层位于第i个区域内；
[0010]所述第一导电层包括：连接电极；
[0011]所述第二导电层包括：N个发光元件的第一电极和第二电极，第i个发光元件的第一电极位于第i个区域内，所述N个发光元件的第二电极位于所述N个区域之间。
[0012]在一些可能的实现方式中，所述绝缘层设置有分别暴露出N个发光元件的第一子半导体层的N个过孔，所述连接电极通过暴露出第i个发光元件的第一子半导体层的过孔与第i个发光元件的第一子半导体层电连接。
[0013]在一些可能的实现方式中，还包括：衬底，所述衬底设置在所述第一半导体层远离
多量子阱层的一侧；
[0014]所述连接电极在衬底上的正投影分别与N个发光元件的第一子半导体层在衬底上的正投影交叠，且与所述N个发光元件的第二电极在衬底上的正投影交叠；
[0015]对于同一发光元件，所述第一子半导体层在衬底上的正投影覆盖所述子多量子阱层在衬底上的正投影，所述子多量子阱层在衬底上的正投影覆盖所述第二子半导体层在衬底上的正投影。
[0016]在一些可能的实现方式中，所述连接电极包括：相互间隔设置的N个子连接电极和电极连接部，所述电极连接部分别与N个子连接电极和所述N个发光元件的第二电极电连接；
[0017]第i个子连接电极在衬底上的正投影与第i个发光元件的第一子半导体层在衬底上的正投影交叠；
[0018]所述电极连接部在衬底上的正投影与所述N个发光元件的第二电极在衬底上的正投影交叠。
[0019]在一些可能的实现方式中，当N＝3时，三个发光元件包括：红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，三个区域呈品字型排布；
[0020]所述电极连接部的形状包括：倒“T”字型。
[0021]在一些可能的实现方式中，当N＝4时，四个发光元件包括：两个红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，四个区域呈阵列排布；
[0022]所述电极连接部的形状包括：“工”字形。
[0023]在一些可能的实现方式中，所述发光二极管器件还包括：缓冲层、反射层和封装层；
[0024]所述缓冲层位于所述第一半导体层远离所述多量子阱层的一侧；
[0025]所述反射层位于所述第二半导体层远离所述多量子阱层的一侧；
[0026]所述封装层位于所述反射层远离所述多量子层的一侧。
[0027]在一些可能的实现方式中，所述反射层和所述封装层设置有分别暴露出N个发光元件的第二子半导体层的N个过孔和暴露出连接电极的过孔；
[0028]第i个发光元件的第一电极通过暴露出第i个发光元件的第二子半导体层的过孔与第i个发光元件的第二子半导体层连接，所述N个发光元件的第二电极通过暴露出连接电极的过孔与连接电极连接。
[0029]第二方面，本公开还提供了一种显示基板，包括上述发光二极管器件。
[0030]在一些可能的实现方式中，还包括：像素电路，所述像素电路与所述发光二极管器件电连接，设置为分时驱动所述发光二极管器件中的N个发光元件发光；所述像素电路包括：电流控制子电路和选择子电路；
[0031]所述电流控制子电路，分别与扫描信号端、数据信号端、复位信号端、初始信号端、发光信号端、第一电源端和第一节点电连接，设置为在扫描信号端、数据信号端、复位信号端、初始信号端、发光信号端和第一电源端的控制下，向第一节点提供驱动电流；
[0032]所述选择子电路，分别与N个选择信号端、第一节点和N个发光元件的第一电极电连接，设置在N个选择信号端的控制下，分时向N个发光元件的第一电极提供第一节点的信号；
[0033]N个发光元件的第二电极与第二电源端电连接。
[0034]在一些可能的实现方式中，包括：显示阶段，所述显示阶段包括：多个显示帧，所述显示帧包括：第一显示子帧至第N显示子帧，第i个发光元件在第i显示子帧发光，1≤i≤N；
[0035]第i显示子帧包括：第i复位阶段、第i数据写入阶段和第i发光阶段；
[0036]在第i复位阶段，复位信号端的信号为有效电平信号，扫描信号端、发光信号端的信号为无效电平信号，第i选择信号端的信号为有效电平信号，除第i选择信号端之外的其余选择信号端的信号为无效电平信号或者N个选择信号端的信号均为无效电平信号；
[0037]在第i数据写入阶段，扫描信号端的信号为有效电平信号，复位信号端、发光信号端和N个选择信号端的信号为无效电平信号；
[0038]在第i发光阶段，发光信号端和第i选择信号端的信号为有效电平信号，复位信号端、扫描信号端和除第i选择信号端之外的其余选择信号端的信号为无效电平信号。
[0039]在一些可能的实现方式中，当第一显示子帧至第N显示子帧的数量均为1时，第一显示子帧至第N显示子帧依次发生；
[0040]当第一显示子帧至第N显示子帧的数量均为K时，第j个第一显示子帧至第j个第N显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管器件，其特征在于，包括：N个发光元件，N为大于或者等于2的正整数，所述发光元件包括：第一子半导体层、子多量子阱层、第二子半导体层、第一电极和第二电极；N个发光元件的第二电极为同一电极，所述发光二极管器件还包括：连接电极，所述连接电极分别与N个发光元件的第一子半导体层和N个发光元件的第二电极电连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，包括：相互间隔设置的N个区域，所述发光二极管器件包括：依次叠设的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、绝缘层、第一导电层和第二导电层；所述第一半导体层包括：N个发光元件的第一子半导体层，第i个发光元件的第一子半导体层位于第i个区域内，1≤i≤N；所述多量子阱层包括：N个发光元件的子多量子阱层，第i个发光元件的子多量子阱层位于第i个区域内；所述第二半导体层包括：N个发光元件的第二子半导体层，第i个发光元件的第二子半导体层位于第i个区域内；所述第一导电层包括：连接电极；所述第二导电层包括：N个发光元件的第一电极和第二电极，第i个发光元件的第一电极位于第i个区域内，所述N个发光元件的第二电极位于所述N个区域之间。3.根据权利要求2所述的发光二极管器件，其特征在于，所述绝缘层设置有分别暴露出N个发光元件的第一子半导体层的N个过孔，所述连接电极通过暴露出第i个发光元件的第一子半导体层的过孔与第i个发光元件的第一子半导体层电连接。4.根据权利要求2或3所述的发光二极管器件，其特征在于，还包括：衬底，所述衬底设置在所述第一半导体层远离多量子阱层的一侧；所述连接电极在衬底上的正投影分别与N个发光元件的第一子半导体层在衬底上的正投影交叠，且与所述N个发光元件的第二电极在衬底上的正投影交叠；对于同一发光元件，所述第一子半导体层在衬底上的正投影覆盖所述子多量子阱层在衬底上的正投影，所述子多量子阱层在衬底上的正投影覆盖所述第二子半导体层在衬底上的正投影。5.根据权利要求4所述的发光二极管器件，其特征在于，所述连接电极包括：相互间隔设置的N个子连接电极和电极连接部，所述电极连接部分别与N个子连接电极和所述N个发光元件的第二电极电连接；第i个子连接电极在衬底上的正投影与第i个发光元件的第一子半导体层在衬底上的正投影交叠；所述电极连接部在衬底上的正投影与所述N个发光元件的第二电极在衬底上的正投影交叠。6.根据权利要求5所述发光二极管器件，其特征在于，当N＝3时，三个发光元件包括：红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，三个区域呈品字型排布；所述电极连接部的形状包括：倒“T”字型。7.根据权利要求5所述的发光二极管器件，其特征在于，当N＝4时，四个发光元件包括：两个红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，四个区域呈阵列排布；
所述电极连接部的形状包括：“工”字形。8.根据权利要求2或3所述的发光二极管器件，其特征在于，所述发光二极管器件还包括：缓冲层、反射层和封装层；所述缓冲层位于所述第一半导体层远离所述多量子阱层的一侧；所述反射层位于所述第二半导体层远离所述多量子阱层的一侧；所述封装层位于所述反射层远离所述多量子层的一侧。9.根据权利要求8所述的发光二极管器件，其特征在于，所述反射层和所述封装层设置有分别暴露出N个发光元件的第二子半导体层的N个过孔和暴露出连接电极的过孔；第i个发光元件的第一电极通过暴露出第i个发光元件的第二子半导体层的过孔与第i个发光元件的第二子半导体层连接，所述N个发光元件的第二电极通过暴露出连接电极的过孔与连接电极连接。10.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的发光二极管器件。11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，还包括：像素电路，所述像素电路与所述发光二极管器件电连接，设置为分时驱动所述发光二极管器件中的N个发光元件发光；所述像素电路包括：电流控制子电路和选择子电路；所述电流控制子电路，分别与扫描信号端、数据信号端、复位信号端、初始信号端、发光信号端、第一电源端和第一节点电连接，设置为在扫描信号端、数据信号端、复位信号端、初始信号端、发光信号端和第一电源端的控制下，向第一节点提供驱动电流；所述选择子电路，分别与N个选择信号端、第一节点和N个发光元件的第一电极电连接，设置在N个选择信号端的控制下，分时向N个发光元件的第一电极提供第一节点的信号；N个发光元件的第二电极与第二电源端电连接。12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，包括：显示阶段，所述显示阶段包括：多个显示帧，所述显示帧包括：第一显示子帧至第N显示子帧，第i个发光元件在第i显示子帧发光，1≤i≤N；第i显示子帧包括：第i复位阶段、第i数据写入阶段和第i发光阶段；在第i复位阶段，复位信号端的信号为有效电平信号，扫描信号端和发光信号端的信号为无效电平信号，第i选择信号端的信号为有效电平信号，除第i选择信号端之外的其余选择信号端的信号为无效电平信号或者N个选择信号端的信号均为无效电平信号；在第i数据写入阶段，扫描信号端的信号为有效电平信号，复位信号端、发光信号端和N个选择信号端的信号为无效电平信号；在第i发光阶段，发光信号端和第i选择信号端的信号为有效电平信号，复位信号端、扫描信号端和除第i选择信号端之外的其余选择信号端的信号为无效电平信号。13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，当第一显示子帧至第N显示子帧的数量均为1时，第一显示子帧至第N显示子帧依次发生；当第一显示子帧至第N显示子帧的数量均为K时，第j个第一显示子帧至第j个第N显示子帧依次发生，且第j+1个第一显示子帧发生在第j个第N显示子帧之后，K为大于或者等于2的正整数，1≤j≤N
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1。14.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高志坤，周婷婷，孙双，王玮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：