本发明专利技术提供一种指纹识别装置的制造方法，在薄膜晶体管(TFT)基板的基本制程上形成相对应的组件结构后，选择可剥离胶贴靠在指纹辨识装置的侦测活动区，再选择封装材，在上下对接的薄膜晶体管基板的基板层外缘接着，同时将两可剥离胶对位贴合，形成指纹识别装置的堆栈结构。再将该堆栈结构进行薄化制程后，置入碱液中，将该封装材解离，以及将可剥离胶撕除，即可将上下接合的薄膜晶体管(TFT)基板完整分离，无需进行切割制程分离。无需进行切割制程分离。无需进行切割制程分离。
【技术实现步骤摘要】
指纹识别装置的制造方法
[0001]本专利技术属于优化制程
，特别是涉及一种指纹识别装置的制造方法。
技术介绍
[0002]一般而言，薄膜晶体管(TFT)基板在进行指纹识别双板玻璃减薄时，为维持整体单元间距,需使用耐酸的密封胶接着，在指纹识别装置四周边缘进行涂布，使其呈现封闭状。
[0003]同时，为维持整体单元间距以及保护面内的指纹识别装置表面不被刮伤，需使用保护膜贴附面内的指纹识别装置活动侦测区。
[0004]也就是，上下相对的两板薄膜晶体管(TFT)基板采用耐酸的密封胶接着，中间的指纹识别装置表面贴附保护膜作为支撑层以及保护层。
[0005]当两薄膜晶体管(TFT)基板的玻璃层进行薄化制程结束后，需将双板进行切割分离而取得较小尺寸的复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
[0006]但是，由于密封胶为属于低模量属性，为了将相迭的两薄膜晶体管(TFT)基板进行分离，需使用刀轮切裂(Scribe Break，SBK)或雷射切割方式分离，而将密封胶部分切掉会造成在整体分离后的薄膜晶体管(TFT)基板的玻璃层尺寸变小。
[0007]又，当进行刀轮切裂(SBK)切割方式时，玻璃层边缘涂密封胶的节点处，切割容易破片且外观质量差；当进行雷射切割方式时，雷射切割时会产生热效应以及切割时会产生粉尘。因此，以习知技术进行指纹识别制程时，尚有需要进行优化或改良的空间与技术。
技术实现思路
[0008]本专利技术之一目的在于解决当进行切割时，会产生热效应以及产生粉尘的问题。<br/>[0009]本专利技术之另一目的在于维持薄膜晶体管(TFT)基板的外观尺寸完整，边缘无切割造成破片或破碎的风险，以及薄膜晶体管(TFT)强度不会衰变。除可改善习知缺陷外，提升成品的良率，同时，可达到简化制作流程。
[0010]为达到上述目的，本专利技术提供一种指纹识别装置的堆栈结构，以利进行一种指纹识别装置的制造方法，该堆栈结构包括有一第一薄膜晶体管基板、一第一可剥离胶、一第二薄膜晶体管基板、一第二可剥离胶以及一封装材。
[0011]该第一薄膜晶体管基板包括有一第一基板以及一第一感测组件，该第一感测组件之一侧贴靠于该第一基板，该第一感测组件之另一侧具有一第一侦测活动区。
[0012]该第一可剥离胶贴靠于该第一侦测活动区，且该第一可剥离胶具有一第一厚度。
[0013]该第二薄膜晶体管基板包括有一第二基板以及一第二感测组件，该第二感测组件之一侧贴靠于该第二基板，该第二感测组件之另一侧具有一第二侦测活动区。
[0014]该第二可剥离胶贴靠于该第二侦测活动区，且该第二可剥离胶具有一第二厚度。
[0015]该封装材位于该第一基板上，且该封装材沿该第一基板之外缘围绕涂布，该封装材具有一宽度以及一第三厚度。
[0016]其中，该第一可剥离胶之一侧与该第二可剥离胶之一侧相互贴靠，使得该封装材
位于该第二基板上，且该封装材沿该第二基板之外缘围绕。
[0017]进一步地，该第一可剥离胶为加热后固化成型之胶体，该第一可剥离胶为聚氯乙烯类(PVC)材质，且该第一可剥离胶需耐碱液且不侵蚀该第一薄膜晶体管基板，用于保护该第一侦测活动区。
[0018]进一步地，该第二可剥离胶为加热后固化成型之胶体，该第二可剥离胶为聚氯乙烯类(PVC)材质，且该第二可剥离胶需耐碱液且不侵蚀该第二薄膜晶体管基板，用于保护该第二侦测活动区。
[0019]进一步地，该封装材为碱解离型的封装材，其材质为亚克力树脂类或丙烯酸酯类，该封装材为紫外光固化胶、可耐氢氟酸以及硫酸侵蚀。
[0020]进一步地，该第一厚度以及该第二厚度皆为40至50微米(um)之间。
[0021]进一步地，该宽度为3至4毫米(mm)之间，以及该第三厚度为180至200微米(um)之间。
[0022]另外，本专利技术提供一种指纹识别装置的制造方法，包括有以下步骤：
[0023]a.提供一第一薄膜晶体管基板、一第一可剥离胶、一封装材、一第二薄膜晶体管基板以及一第二可剥离胶，该第一薄膜晶体管基板包括有一第一基板以及一第一感测组件，该第一感测组件之一侧贴靠于该第一基板，该第一感测组件之另一侧具有一第一侦测活动区，该第二薄膜晶体管基板包括有一第二基板以及一第二感测组件，该第二感测组件之一侧贴靠于该第二基板，该第二感测组件之另一侧具有一第二侦测活动区。
[0024]b.将该第一可剥离胶涂布于该第一侦测活动区，使得该第一可剥离胶之一侧贴靠于该第一侦测活动区，同时，将该第二可剥离胶涂布于该第二侦测活动区，使得该第二可剥离胶之一侧贴靠于该第二侦测活动区。
[0025]c.将该封装材涂布于该第一基板上，且该封装材沿该第一基板之外缘围绕。
[0026]d.将该第二薄膜晶体管基板设置于该第一薄膜晶体管基板上，使得该第一可剥离胶与该第二可剥离胶相互贴靠，同时该封装材之另一端位于该第二基板上，该封装材沿该第二基板之外缘围绕，形成指纹识别装置的一堆栈结构。
[0027]e.对该堆栈结构进行进行减薄工艺，将该第一基板进行蚀刻作业后达到一第四厚度，以及将该第二基板进行蚀刻作业后达到一第五厚度。
[0028]f.将进行减薄工艺后的该堆栈结构置入一碱液中，于80℃的该碱液中，对该封装材进行超声波振荡作业并且剥除后，将薄化后带有第一可剥离胶的第一薄膜晶体管基板以及薄化后带有第二可剥离胶的第二薄膜晶体管基板以手动或辅助治具进行分离，使得第一可剥离胶以及第二可剥离胶分别从第一薄膜晶体管基板以及第二薄膜晶体管基板移除。
[0029]g.将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板取出。
[0030]h.将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
[0031]i.将进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
[0032]进一步地，该第一可剥离胶为加热后固化成型之胶体，且该第一可剥离胶需耐碱液且不侵蚀该第一薄膜晶体管基板,用于保护该第一侦测活动区，以及进行分离时，可手动
或辅助治具将该第一可剥离胶撕除且无残胶。
[0033]进一步地，该第二可剥离胶为加热后固化成型之胶体，且该第二可剥离胶需耐碱液且不侵蚀该第二薄膜晶体管基板,用于保护该第二侦测活动区，以及进行分离时可手动或辅助治具将该第二可剥离胶撕除且无残胶。
[0034]进一步地，当该指纹识别装置在10％氢氧化钾(KOH)的该碱液中，以超声波振荡50至70分钟(min)之间，可将该封装材进行分离。
[0035]上述中，该碱液的温度介于70度至90度之间。
[0036]从本专利技术更进一步提出另一种指纹识别装置的制造方法，包括以下步骤：
[0037]S1.提供一第一薄膜晶体管基板、一可剥离胶、一封装材、一第二薄膜晶体管基板，该第一薄膜晶体管基板包括有一第一基板以及一第一感测组件，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种指纹识别装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一薄膜晶体管基板、第一可剥离胶、封装材、第二薄膜晶体管基板以及第二可剥离胶，所述第一薄膜晶体管基板包括有第一基板以及第一感测组件，所述第一感测组件的一侧贴靠于所述第一基板，所述第一感测组件的另一侧具有第一侦测活动区，所述第二薄膜晶体管基板包括有第二基板以及第二感测组件，该第二感测组件的一侧贴靠于所述第二基板，所述第二感测组件的另一侧具有第二侦测活动区；将所述第一可剥离胶涂布于所述第一侦测活动区，使得所述第一可剥离胶贴靠于所述第一侦测活动区，同时，将所述第二可剥离胶涂布于所述第二侦测活动区，使得所述第二可剥离胶贴靠于所述第二侦测活动区；将所述封装材涂布于所述第一基板上，且所述封装材沿所述第一基板的外缘围绕；将所述第二薄膜晶体管基板设置于所述第一薄膜晶体管基板上，使得所述第一可剥离胶与所述第二可剥离胶相互贴靠，同时所述封装材的另一端位于所述第二基板上，所述封装材沿所述第二基板的外缘围绕，形成指纹识别装置的堆栈结构；对所述堆栈结构进行减薄工艺，将所述第一基板进行蚀刻作业后达到第四厚度，以及将所述第二基板进行蚀刻作业后达到第五厚度；将进行减薄工艺后的所述堆栈结构置入碱液中，于80℃的所述碱液中，对所述封装材进行超声波振荡作业并且剥除后，将薄化后带有第一可剥离胶的第一薄膜晶体管基板以及薄化后带有第二可剥离胶的第二薄膜晶体管基板以手动或辅助治具进行分离，使得第一可剥离胶以及第二可剥离胶分别从第一薄膜晶体管基板以及第二薄膜晶体管基板移除；将进行减薄工艺后的所述第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的所述第二薄膜晶体管基板取出；将进行减薄工艺后的所述第一薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板；将进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。2.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述第一可剥离胶为加热后固化成型的胶体，且所述第一可剥离胶为聚氯乙烯类材质，所述胶体耐碱液且不侵蚀所述第一薄膜晶体管基板，用于保护所述第一侦测活动区。3.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述第二可剥离胶为加热后固化成型的胶体，且所述第二可剥离胶为聚氯乙烯类材质，所述胶体耐碱液且不侵蚀所述第二薄膜晶体管基板，用于保护所述第二侦测活动区。4.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，当所述指纹识别装置的堆栈结构在10％氢氧化钾的所述碱液中，以超声波振荡50至70分钟之间，可将所述封装材进行分离。5.如权利要求4所述指纹识别装置的制造方...
【专利技术属性】
技术研发人员：张丹妮，
申请(专利权)人：业泓科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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