一种用于封装薄膜的化合物、组合物、封装薄膜和半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了一种用于封装薄膜的化合物，采用具有上述通式1的可固化含硅单体作为聚合的单体，由于其中包含的苯环和环氧基团，在将其与可固化含环氧烷基稀释剂进行配合时，所形成的聚合物薄膜具有更高的光透过率、更高的固化速度、更低的等离子体刻蚀速率，从而更好地满足了现有技术中封装薄膜的要求。本发明专利技术还提供了一种用于封装薄膜的组合物、封装薄膜和半导体器件。导体器件。

【技术实现步骤摘要】
一种用于封装薄膜的化合物、组合物、封装薄膜和半导体器件


[0001]本专利技术属于薄膜封装
，尤其涉及一种用于封装薄膜的化合物、组合物、封装薄膜和半导体器件。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light Emitting Diode)，又称为有机电激光显示、有机发光半导体(Organic Electroluminescent Display，OLED)。属于一种电流型的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。OLED在电场的作用下，阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层。当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。有机发光显示设备包含了由空穴注入电极(阳极)、有机发光层以及电子注入电极(阴极)组成的有机发光器件(OLED)。这个有机发光器件通常是提供在玻璃基板上，为了防止受到从外部流入水分或氧导致劣化，用另外一张基板覆盖住。最近，包括有机发光显示设备在内的显示设备在消费者的需求下日渐变薄，有机发光设备方面也为了满足此需求将薄膜封装(Thin Film Encapsulation；TFE)适用在有机发光器件的覆盖上。
[0003]对于OLED器件来说，若寿命正常工作达到1万小时以上，器件的水汽透过率(WVTR)需小于10
‑6g/m2/day，氧气渗透率(OTR)小于10
‑5g/(m2·
d)，这对显示器件的密封结构是个很大的挑战，因此需要研究出合适的OLED封装技术。
[0004]OLED封装目的是将发光器件与环境隔离，以防水分、氧气等不良物质的侵入，并防外力损伤，稳定器件的各项参数，进而提高OLED的使用寿命。OLED封装主要包括盖板封装、填充物封装、激光封装、薄膜封装等几种方式。
[0005]传统的盖板封装是在充满惰性气体的手套箱内用环氧树脂将制备好的基板与盖板粘接起来，形成一个密闭的空间把器件与外界环境隔离，空气中的水、氧等成分只能通过环氧树脂向器件内部渗透，比较有效地防止了OLED各功能层空气中的水、氧接触。封装盖板的材料一般采用玻璃或者金属，但是金属盖板的不透光性使其在器件封装中的应用受到了一定的限制。玻璃盖板封装虽然没有透光性问题，但韧性较差、易碎，因此解决此问题迫在眉睫。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种用于封装薄膜的化合物、组合物、封装薄膜和半导体器件，本专利技术中的化合物制备得到封装薄膜透光性好，使用寿命长。
[0007]本专利技术提供一种用于封装薄膜的化合物，具有式I所示结构：
[0008][0009]其中，X1选自氢，取代或未取代的C1至C10烷基，取代或未取代的C3至C20环烷基，取代或未取代的C1至C10羟烷基，取代的或未取代的C6至C20芳基，取代或未取代的2～20元杂芳基，取代或未取代的C2至C10链烯基，取代或未取代的C1至C10烷氧基，取代或未取代的内酯基，取代或未取代的羧基基团，取代或未取代的缩水甘油醚基团或羟基；
[0010]R1和R2为碳原子数量相同或不同的烷基；
[0011]R3、R4、R5和R6各自独立地选自氢、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C1～C10烯基、C1～C10炔基、C6～C30亚芳基、C3～C20环烷基或4～30元杂芳基；
[0012]A选自O、S、NR、取代或未取代的C1～C10烷基、取代的或未取代的C6～C20芳基，其中，NR中的R为氢、取代或未取代C1～C20烷基、取代或未取代C1～C20烷氧基、C6～C30芳基或4～30元杂芳基；
[0013]Y1是选自式2～式4中的任意一种，
[0014][0015]X2为取代的丙烯酸酯基或未取代的丙烯酸酯基，结构通式为式5，
[0016][0017]其中，*为连接位置，Z选自H、取代或者未取代的碳原子数小于20的烷基、或者碳原子数小于20的烷氧基。
[0018]优选的，所述X1选自氢，取代或未取代的C1至C5烷基，取代或未取代的C3至C15环烷基，取代或未取代的C1至C5羟烷基，取代的或未取代的C6至C12芳基，取代或未取代的2～12元杂芳基，取代或未取代的C2至C5链烯基，取代或未取代的C1至C5烷氧基，取代或未取代的内酯基，取代或未取代的羧基基团，取代或未取代的缩水甘油醚基团或羟基；
[0019]R1和R2各自独立的选自C1～C5的烷基；
[0020]R3、R4、R5和R6各自独立地选自氢、C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、C1～C6烯基、C1～C6炔基、C6～C20亚芳基、C3～C10环烷基或4～20元杂芳基；
[0021]A选自O、S、NR、取代或未取代的C1～C5烷基、取代的或未取代的C6～C10芳基，其中，NR中的R为氢、取代或未取代C1～C10烷基、取代或未取代C1～C10烷氧基、C6～C20芳基或4～20元杂芳基；
[0022]Z选自H、取代或者未取代的碳原子数小于10的烷基、或者碳原子数小于10的烷氧基。
[0023]优选的，所述X1选自甲基或苯乙基；
[0024]R1和R2各自独立的选自乙基或丙基；
[0025]所述R3、R4、R5和R6各自独立地选自甲基或苯基；
[0026]A选自O；
[0027]Z选自甲基。
[0028]优选的，所述化合物选自A01～A09中的任意一种：
[0029][0030]本专利技术提供一种用于封装薄膜的组合物，包括以下质量分数的组分：
[0031]15～80wt％的含硅单体、1～10wt％的光交联引发剂和15～75wt％的光固化单体；
[0032]所述含硅单体为权利要求1所述的用于封装薄膜的化合物。
[0033]优选的，所述光交联引发剂选自2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基
‑
二苯基氧化膦、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基丙酮和2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基二苯基亚膦酸酯中的一种或几种；
[0034]所述光固化单体包括C1到C30一元醇或多元醇的单官能(甲基)丙烯酸酯、C2到C30
一元醇或多元醇的双官能(甲基)丙烯酸酯和C3到C30一元醇或多元醇的多官能(甲基)丙烯酸酯中的一种或几种。
[0035]优选的，所述C1到C30一元醇或多元醇的单官能(甲基)丙烯酸酯包括丙烯酸月桂酯、丙烯酸乙氧基乙氧基乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、乙氧化四氢呋喃丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯磷酸酯和甲基丙烯酸异冰片酯中的一种或几种；
[0036]C2到C30一元醇或多元醇的双官能(甲基)丙烯酸酯包括二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇(200)二丙烯酸酯、聚乙二醇(400)二丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙氧基新戊二醇二丙烯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于封装薄膜的化合物，具有式I所示结构：其中，X1选自氢，取代或未取代的C1至C10烷基，取代或未取代的C3至C20环烷基，取代或未取代的C1至C10羟烷基，取代的或未取代的C6至C20芳基，取代或未取代的2～20元杂芳基，取代或未取代的C2至C10链烯基，取代或未取代的C1至C10烷氧基，取代或未取代的内酯基，取代或未取代的羧基基团，取代或未取代的缩水甘油醚基团或羟基；R1和R2为碳原子数量相同或不同的烷基；R3、R4、R5和R6各自独立地选自氢、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C1～C10烯基、C1～C10炔基、C6～C30亚芳基、C3～C20环烷基或4～30元杂芳基；A选自O、S、NR、取代或未取代的C1～C10烷基、取代的或未取代的C6～C20芳基，其中，NR中的R为氢、取代或未取代C1～C20烷基、取代或未取代C1～C20烷氧基、C6～C30芳基或4～30元杂芳基；Y1是是选自式2～式4中的任意一种，X2为取代的丙烯酸酯基或未取代的丙烯酸酯基，结构通式为式5，其中，*为连接位置，Z选自H、取代或者未取代的碳原子数小于20的烷基、或者碳原子数小于20的烷氧基。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述X1选自氢，取代或未取代的C1至C5烷基，取代或未取代的C3至C15环烷基，取代或未取代的C1至C5羟烷基，取代的或未取代的C6至C12芳基，取代或未取代的2～12元杂芳基，取代或未取代的C2至C5链烯基，取代或未取代
的C1至C5烷氧基，取代或未取代的内酯基，取代或未取代的羧基基团，取代或未取代的缩水甘油醚基团或羟基；R1和R2各自独立的选自C1～C5的烷基；R3、R4、R5和R6各自独立地选自氢、C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、C1～C6烯基、C1～C6炔基、C6～C20亚芳基、C3～C10环烷基或4～20元杂芳基；A选自O、S、NR、取代或未取代的C1～C5烷基、取代的或未取代的C6～C10芳基，其中，NR中的R为氢、取代或未取代C1～C10烷基、取代或未取代C1～C10烷氧基、C6～C20芳基或4～20元杂芳基；Z选自H、取代或者未取代的碳原子数小于10的烷基、或者碳原子数小于10的烷氧基。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述X1选自甲基或苯乙基；R1和R2各自独立的选自乙基或丙基；所述R3、R4、R5和R6各自独立地选自甲基或苯基；A选自O；Z选自甲基。4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自A01～A09中的任意一种：5.一种用于封装薄膜的组合物，包括以下质量分数的组分：15～80wt％的含硅单体、1～10wt...

【专利技术属性】
技术研发人员：于哲，张鹤，姜晓晨，石卓，张福星，李梓瑞，马晓宇，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：