一种一体式脱氧膜真空装置制造方法及图纸

技术编号:34997369 阅读:18 留言:0更新日期:2022-09-21 14:45
本实用新型专利技术是一种一体式脱氧膜真空装置,其结构包括设置在撬块架台内且通过管道依次连接的真空泵、循环冷却装置和气液分离装置,真空泵还通过管道连接脱气膜组N2出口,循环冷却装置还通过管道连接外部冷源的冷却水进水端和冷却水回水端,气液分离装置还通过管道连接外部自来水补水管道。本实用新型专利技术的优点:结构设计合理,占地面积小,节约空间便于生产加工,可有效提高溶氧的去除率,一体式集成安装可配套自动控制系统实现全自动运行,处理效果稳定。特别适用于超纯水对于溶氧有需求的场合。合。合。

【技术实现步骤摘要】
一种一体式脱氧膜真空装置


[0001]本技术涉及的是一种一体式脱氧膜真空装置,属于超纯水处理


技术介绍

[0002]超纯水(Ultra pure water)是晶圆生产厂中重要的动力源之一,其水质准确的要求对于芯片线很重要,决定着产品的良率。目前,晶圆尺寸300mm即12寸半导体已成为我国半导体业的主力,这对于UPW水质提出了更高的要求。随着器件关键尺寸的缩小,对沾污的控制要求变得越来越严格。
[0003]沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何降低成品率及电学性能的不希望有的物质。主要集中于制造工序中引入的各种类型的表面沾污。制造过程经常导致有缺陷的芯片,致命缺陷是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。据估计80%的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷引起的。
[0004]芯片的沾污分为五类:颗粒、金属杂质、有机物沾污、自然氧化层、静电释放。其中,自然氧化层是指如果曝露于室温的空气或含溶解氧的去离子水中,硅片的表面将被氧化。硅片表面无自然氧化层对半导体性能和可靠性是非常重要的。自然氧化层会妨碍其他工艺步骤,如硅片上单晶薄膜的生长和超薄栅氧化层的生长,还会造成某些金属杂质向硅中转移并形成电学缺陷,以及影响金属导体的接触区。
[0005]超纯水中去除溶氧的关键工艺是脱气膜系统,该系统主要由脱氧膜、氮气吹扫系统以及配套的真空系统构成。真空系统作为脱气膜的主要构成部分,将对脱氧膜的最终出水溶氧值起到至关重要的作用,同时也将有助于整套超纯水系统的稳定运行,同时真空装置的一体化设计可更加有助于现场空间的管理。因此设计一种结构合理的一体式脱氧膜真空装置具有较为广阔的应用前景。

技术实现思路

[0006]本技术提出的是一种一体式脱氧膜真空装置,其目的旨在填补现有技术存在的上述空白,实现提高溶解氧的去除效率和处理效果稳定性,通过一体式集成安装,可节约占地空间便于生产加工。
[0007]本技术的技术解决方案:一种一体式脱氧膜真空装置,其结构包括设置在撬块架台内且通过管道依次连接的真空泵、循环冷却装置和气液分离装置,真空泵还通过管道连接脱气膜组N2出口,循环冷却装置还通过管道连接外部冷源的冷却水进水端和冷却水回水端,气液分离装置还通过管道连接外部自来水补水管道。
[0008]优选的,所述的真空泵的进气口、工作液进口、排气口和排放口分别通过管道连接脱气膜组N2出口、循环冷却装置的热侧出口、气液分离装置的进气口和排放口。
[0009]优选的,所述的循环冷却装置的冷侧进口和冷侧出口分别通过管道连接外部冷源的冷却水进水端和冷却水回水端;所述的循环冷却装置的热侧进口通过管道连接气液分离装置的出水口。
[0010]优选的,所述的气液分离装置的补水口和第一出水口分别通过管道连接外部自来水补水管道和真空泵的工作液进水口。
[0011]优选的,所述的真空泵的进气口与脱气膜组N2出口之间的管道倾斜设置。
[0012]优选的,所述的真空泵的进气口的支路设有手动关断阀及自动关断阀、主管路设有带真空值报警点的真空表;所述的真空泵的工作液进口设有三个手动关断及逆止装置和带低流量报警的流量控制开关。
[0013]优选的,所述的循环冷却装置的热侧出口设置手动关断阀和旁通阀,热侧进口设置手动关断阀,旁通阀与进水阀分别接自气液分离装置的第一出水口和第二出水口;所述的循环冷却装置的冷侧进口设置压力表、温度表和流量计,冷侧出口设置压力表和温度表,热侧出口设置温度表。
[0014]优选的,所述的气液分离装置设有透明可观察液位、独立液位控制开关和一个低液位报警装置;所述的气液分离装置的补水口、第一出水口和排放口分别设有机械式自动补水阀、旁通阀、手动排水关断阀。
[0015]优选的,所述的循环冷却装置、气液分离装置、脱气膜组N2出口、冷却水进水端、冷却水回水端和自来水补水管道之间管道上还设置有若干便携式法兰对接口用于连接预设新增真空泵及外部对接。
[0016]优选的,所述的真空泵为水环式真空泵,循环式冷却装置为一体式钎焊式板式换热器,气液分离装置为不锈钢汽水分离箱。
[0017]本技术的优点:结构设计合理,占地面积小,节约空间便于生产加工,可有效提高溶氧的去除率,一体式集成安装可配套自动控制系统实现全自动运行,处理效果稳定。特别适用于超纯水对于溶氧有需求的场合。
附图说明
[0018]图1是本技术一体式脱氧膜真空装置的结构示意图。
[0019]图2是本技术一体式脱氧膜真空装置的流程示意图。
[0020]图中的1是真空泵、2是循环冷却装置、3是气液分离装置、4是脱气膜组N2出口、5是冷却水进水端、6是冷却水回水端、7是外部自来水补水管道、8是便携式法兰对接口、9是预设新增真空泵。
具体实施方式
[0021]下面结合实施例和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0022]如图1所示,一种一体式脱氧膜真空装置,其结构包括设置在撬块架台内且通过管道依次连接的真空泵1、循环冷却装置2和气液分离装置3,真空泵1还通过管道连接脱气膜组N2出口4,循环冷却装置2还通过管道连接外部冷源的冷却水进水端5和冷却水回水端6,气液分离装置3还通过管道连接外部自来水补水管道7。
[0023]真空泵1的进气口N1、工作液进口N4、排气口N2和排放口N3分别通过管道连接脱气膜组N2出口4、循环冷却装置2的热侧出口N13、气液分离装置3的进气口N6和排放口N12。
[0024]循环冷却装置2的冷侧进口N15和冷侧出口N16分别通过管道连接外部冷源的冷却水进水端5和冷却水回水端6。
[0025]循环冷却装置2的热侧进口N14通过管道连接气液分离装置3的出水口N11。
[0026]气液分离装置3的补水口N8和第一出水口N10分别通过管道连接外部自来水补水管道7和真空泵1的工作液进水口N13。
[0027]真空泵1的进气口(N2入口)N1与脱气膜组N2出口4之间的管道倾斜设置。
[0028]真空泵1的进气口N1的支路设有手动关断阀HV1A及自动关断阀AV1A、主管路设有带真空值报警点的真空表VIA01。
[0029]真空泵1的工作液进口N4设有三个手动关断HV3~5A及逆止装置CH1A和带低流量报警的流量控制开关FS01A。
[0030]循环冷却装置2的热侧出口N13设置手动关断阀HV6和旁通阀HV8,热侧进口N14设置手动关断阀HV7,旁通阀HV8与进水阀HV7分别接自气液分离装置3的第一出水口N10和第二出水口N11。
[0031]循环冷却装置2的冷侧进口N15设置压力表PI01、温度表TI03和流量计FI01,冷侧出口N16(回水管道)设置压力表PI02和温度表TI04,热侧出口N13设置温度表TI02。
[0032]气液分离装置3设有透明可观察液位LG01、独立液位控制开关和一个低液位报警装置LS01。
[0033]气液分离装置3本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种一体式脱氧膜真空装置,其特征在于,包括设置在撬块架台内且通过管道依次连接的真空泵(1)、循环冷却装置(2)和气液分离装置(3),真空泵(1)还通过管道连接脱气膜组N2出口(4),循环冷却装置(2)还通过管道连接外部冷源的冷却水进水端(5)和冷却水回水端(6),气液分离装置(3)还通过管道连接外部自来水补水管道(7)。2.如权利要求1所述的一种一体式脱氧膜真空装置,其特征在于,所述的真空泵(1)的进气口、工作液进口(N4)、排气口(N2)和排放口分别通过管道连接脱气膜组N2出口(4)、循环冷却装置(2)的热侧出口(N13)、气液分离装置(3)的进气口和排放口。3.如权利要求2所述的一种一体式脱氧膜真空装置,其特征在于,所述的循环冷却装置(2)的冷侧进口(N15)和冷侧出口(N16)分别通过管道连接外部冷源的冷却水进水端(5)和冷却水回水端(6);所述的循环冷却装置(2)的热侧进口(N14)通过管道连接气液分离装置(3)的出水口(N11)。4.如权利要求3所述的一种一体式脱氧膜真空装置,其特征在于,所述的气液分离装置(3)的补水口(N8)和第一出水口(N10)分别通过管道连接外部自来水补水管道(7)和真空泵(1)的工作液进口(N4)。5.如权利要求4所述的一种一体式脱氧膜真空装置,其特征在于,所述的真空泵(1)的进气口与脱气膜组N2出口(4)之间的管道倾斜设置。6.如权利要求5所述的一种一体式脱氧膜真空装置,其特征在于,所述的真空泵(1)的进气口的支路设有手动关断阀及自动关断阀(AV1A)、主管路设有带真空值报警点的真空表(VIA01);...

【专利技术属性】
技术研发人员:马俊曹向前余安宁毛书磊张彦星田成陈鑫
申请(专利权)人:江苏中电创新环境科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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