一种功率半导体器件封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种功率半导体器件封装结构，其结构包括：具有第一表面和第二表面的芯片；同时在芯片的第一表面和/或芯片的第二表面上焊接集成有散热微通道的绝缘基板；散热微通道由内至外包括微通道、绝缘层和第一导热层，微通道内注入有冷却液；其中，第一导热层的表面积大于芯片的第一表面和第二表面的表面积。在绝缘基板中集成散热微通道，不仅增强了散热性能、降低了封装结构的结壳热阻、有效减小了封装结构内部的杂散电感以及封装体积；进一步的，设置于微通道和第一导热层之间的所述绝缘层，能够保证冷却液和绝缘基板带电部分的绝缘功能，降低了功率半导体器件的使用成本。降低了功率半导体器件的使用成本。降低了功率半导体器件的使用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种功率半导体器件封装结构。

技术介绍

[0002]功率半导体器件也称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换电路的核心器件。功率半导体器件几乎用于所有的电子产品、电子设备制造业。随着电子电力技术的进一步发展，功率半导体器件电流越来越大，功率密度越来越高，这必然会导致功率半导体器件在工作中产生大量的热量。
[0003]为了避免功率半导体器件因为高温烧损，必须对其进行散热，而半导体芯片作为能实现某种功能的功率半导体器件，对其高效散热显得格外重要。目前芯片的普遍散热方式是在基板的一面焊接散热器，以实现对焊接在基板上的芯片散热；但由于散热器与芯片之间隔着基板，距离较远，因此散热效果较差；即使在基板的双面都焊接散热器对芯片进行散热，也不能很好的解决散热器对芯片散热效果差的问题。
[0004]因此，如何对芯片进行更好的散热，以实现功率半导体器件封装结构的高效散热成为本领域技术人员的研究重点。

技术实现思路

>[0005]有鉴于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片具有第一表面和第二表面；所述芯片的第一表面和/或所述芯片的第二表面上焊接集成有散热微通道的绝缘基板；所述散热微通道由内至外包括微通道、绝缘层和第一导热层，所述微通道内注入有冷却液；其中，所述第一导热层的表面积大于所述芯片的第一表面和第二表面的表面积。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述绝缘基板与所述芯片的表面焊接的一面采用绝缘材料；所述绝缘基板未与所述芯片的表面焊接的一面采用预设厚度的导热材料；所述微通道为在所述导热材料上按照预设尺寸水平切割出的通孔，所述通孔的贯通方向与所述芯片平行；所述绝缘层由所述微通道的外围添加有绝缘材料的第一槽构成，该第一槽按照预设宽度切割所述微通道外围的导热材料得到；所述第一导热层由所述绝缘层外围剩余的导热材料构成；其中，所述预设宽度、所述预设尺寸均小于所述预设厚度。3.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：第二导热层；所述绝缘基板与所述芯片的表面焊接的一面采用绝缘材料；所述绝缘基板未与所述芯片的表面焊接的一面采用预设厚度的导热材料；所述微通道为在所述导热材料上按照预设尺寸水平切割出的通孔，所述通孔的贯通方向与所述芯片平行；所述第二导热层由所述微通道的外围沉积有导热材料的第二槽构成，该第二槽按照第二预设宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：张弛，
申请(专利权)人：杭州飞仕得科技有限公司，
类型：发明
国别省市：