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一种功率半导体器件封装结构制造技术
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下载一种功率半导体器件封装结构的技术资料
文档序号:34984960
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本发明提供一种功率半导体器件封装结构,其结构包括:具有第一表面和第二表面的芯片;同时在芯片的第一表面和/或芯片的第二表面上焊接集成有散热微通道的绝缘基板;散热微通道由内至外包括微通道、绝缘层和第一导热层,微通道内注入有冷却液;其中,第一导热...
该专利属于杭州飞仕得科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州飞仕得科技有限公司授权不得商用。
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