一种适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置制造方法及图纸

技术编号:34974914 阅读:42 留言:0更新日期:2022-09-21 14:15
本实用新型专利技术涉及的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置,其包括:清洁盒,其形成有清洁腔、及晶圆入口,其中入口可打开或/和闭合设置;吸盘,其能够绕着竖直方向转动设置,晶圆自电镀面朝上并水平吸附在吸盘上;清洗干燥单元,其包供液部件、及供气部件,其中供液部件和供气部件分别活动设置在吸盘的上方;排废单元,其包括与清洁腔相连通的排废部件,其中排废部件在吸盘的下方形成负压,清洁时,废气和废液自上而下排出清洁腔。本实用新型专利技术通过设置清洁腔,能够减少外界物质对晶圆表面的影响,有效避免晶圆表面的金属镀膜氧化,保证导电性能;同时通过设置排废单元,实现快速排出清洁腔内的废液废气,避免晶圆表面残留杂质,有效提高清洁效果。提高清洁效果。提高清洁效果。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置


[0001]本技术属于晶圆加工设备领域,具体涉及一种适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置。

技术介绍

[0002]众所周知,晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,是由硅晶棒在经过研磨、抛光、及切片后,形成的硅晶圆。
[0003]目前,晶圆在进行表面电镀处理后,晶圆的表面会形成一层金属镀膜,因此为了防止金属镀膜被氧化,晶圆在经过多步骤电化学镀层后需要进行晶圆表面残留物的清洁和晶圆表面的高速干燥,以保证在此过程中晶圆表面的洁净度。
[0004]然而,在实际生产过程中,现有的晶圆的清洁装置存在以下缺陷:
[0005]1、清洗后的废液难以有效排出,导致晶圆表面容易残留杂质,清洁效果不佳;
[0006]2、晶圆上的金属镀膜容易受外界影响氧化,影响晶圆的导电性能。

技术实现思路

[0007]本技术所要解决的技术问题是提供一种改进的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置。
[0008]为解决以上技术问题,本技术采取如下技术方案:
[0009]一种适用于电镀晶圆的高速清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置,其特征在于:其包括:清洁盒,其形成有清洁腔、及与所述清洁腔相连通的晶圆入口,其中所述入口可打开或/和闭合设置;吸盘,其能够绕着竖直方向转动设置,晶圆自电镀面朝上并水平吸附在所述吸盘上;清洗干燥单元,其包括伸入所述清洁腔并用于喷淋清洗液的供液部件、及伸入所述清洁腔并用于输送干燥气体的供气部件,其中所述供液部件和所述供气部件分别活动设置在所述吸盘的上方;排废单元,其包括与所述清洁腔相连通的排废部件,其中所述排废部件在所述吸盘的下方形成负压,清洁时,废气和废液自上而下排出所述清洁腔。2.根据权利要求1所述的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置,其特征在于:所述排废单元还包括连接在所述清洁盒底部的排废盒,其中所述排废盒形成有与所述清洁腔相连通的排废腔,所述排废部件与所述排废腔相连通。3.根据权利要求2所述的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置,其特征在于:所述排废盒的底部自上而下倾斜延伸,且所述排废盒底部的下侧形成有排废口,所述排废部件为与所述排废口相连接的鼓风机。4.根据权利要求2或3所述的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置,其特征在于:所述排废腔为绕着所述吸盘中心线方向延伸的环形腔,所述清洁盒的底部形成有连通所述清洁腔与所述排废腔的多个通孔,且当所述晶圆吸附在所述吸盘上时,多个所述通孔绕着所述晶圆的外周间隔分布。5.根据权利要求1所述的适用于电镀...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙文杰孙雪峰肖凌峰
申请(专利权)人:晟盈半导体设备江苏有限公司
类型:新型
国别省市:

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