本实用新型专利技术涉及的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置，其包括：清洁盒，其形成有清洁腔、及晶圆入口，其中入口可打开或/和闭合设置；吸盘，其能够绕着竖直方向转动设置，晶圆自电镀面朝上并水平吸附在吸盘上；清洗干燥单元，其包供液部件、及供气部件，其中供液部件和供气部件分别活动设置在吸盘的上方；排废单元，其包括与清洁腔相连通的排废部件，其中排废部件在吸盘的下方形成负压，清洁时，废气和废液自上而下排出清洁腔。本实用新型专利技术通过设置清洁腔，能够减少外界物质对晶圆表面的影响，有效避免晶圆表面的金属镀膜氧化，保证导电性能；同时通过设置排废单元，实现快速排出清洁腔内的废液废气，避免晶圆表面残留杂质，有效提高清洁效果。提高清洁效果。提高清洁效果。
【技术实现步骤摘要】
一种适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置
[0001]本技术属于晶圆加工设备领域，具体涉及一种适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置。
技术介绍
[0002]众所周知，晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，是由硅晶棒在经过研磨、抛光、及切片后，形成的硅晶圆。
[0003]目前，晶圆在进行表面电镀处理后，晶圆的表面会形成一层金属镀膜，因此为了防止金属镀膜被氧化，晶圆在经过多步骤电化学镀层后需要进行晶圆表面残留物的清洁和晶圆表面的高速干燥，以保证在此过程中晶圆表面的洁净度。
[0004]然而，在实际生产过程中，现有的晶圆的清洁装置存在以下缺陷：
[0005]1、清洗后的废液难以有效排出，导致晶圆表面容易残留杂质，清洁效果不佳；
[0006]2、晶圆上的金属镀膜容易受外界影响氧化，影响晶圆的导电性能。
技术实现思路
[0007]本技术所要解决的技术问题是提供一种改进的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置。
[0008]为解决以上技术问题，本技术采取如下技术方案：
[0009]一种适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置，其包括：
[0010]清洁盒，其形成有清洁腔、及与清洁腔相连通的晶圆入口，其中入口可打开或/和闭合设置；
[0011]吸盘，其能够绕着竖直方向转动设置，晶圆自电镀面朝上并水平吸附在吸盘上；
[0012]清洗干燥单元，其包括伸入清洁腔并用于喷淋清洗液的供液部件、及伸入清洁腔并用于输送干燥气体的供气部件，其中供液部件和供气部件分别活动设置在吸盘的上方；
[0013]排废单元，其包括与清洁腔相连通的排废部件，其中排废部件在吸盘的下方形成负压，清洁时，废气和废液自上而下排出清洁腔。
[0014]优选地，排废单元还包括连接在清洁盒底部的排废盒，其中排废盒形成有与清洁腔相连通的排废腔，排废部件与排废腔相连通。这样设置，增加废气和废液在排废腔内的停留时间，将大颗杂质收集在排废腔内，方便集中清理。
[0015]具体的，排废盒的底部自上而下倾斜延伸，且排废盒底部的下侧形成有排废口，排废部件为与排废口相连接的鼓风机。
[0016]优选地，排废腔为绕着吸盘中心线方向延伸的环形腔，清洁盒的底部形成有连通清洁腔与排废腔的多个通孔，且当晶圆吸附在吸盘上时，多个通孔绕着晶圆的外周间隔分布。吸盘带动晶圆高速旋转时，废液能够受离心力影响甩出，因此通过多个通孔的设置，更方便废液的排出。
[0017]具体的，清洁盒包括底板、自底板边缘向上延伸的侧板、及盖设在侧板顶部的盖
板，其中侧板上形成有入口，晶圆水平穿过入口并进入或取出清洁腔。这样设置，晶圆在放入或取出时能够保持平稳。
[0018]进一步的，清洁盒还包括活动设置在入口处的闭合模块、及用于驱动闭合模块闭合或打开入口的驱动件。
[0019]优选地，底板的中心线与吸盘的中心线相重合设置，其中底板自中部向周向倾斜向下延伸。这样设置，废液能够自动向周向流动，避免积聚在晶圆下方。
[0020]优选地，供液部件具有伸入清洁腔的第一喷嘴，当晶圆吸附在吸盘上时，第一喷嘴沿着晶圆的径向水平延伸，其中第一喷嘴的喷射方向与晶圆之间的夹角可调节设置。这样设置，方便根据不同晶圆的清洁需求，灵活调整喷淋角度。
[0021]优选地，供气部件具有伸入清洁腔的第二喷嘴，其中第二喷嘴沿着水平方向喷出干燥气体，且第二喷嘴绕着竖直方向转动设置。这样设置，干燥气体能够在清洁腔内形成螺旋气流，对于晶圆表面的干燥效果好。
[0022]此外，清洗干燥装置还包括机架，其中机架上形成有上下间隔分布的两个清洁工位，且每个清洁工位上分别设有一组清洁盒、吸盘、清洗干燥单元、及排废单元。这样设置，可实现双片晶圆同步进行清洗干燥，效率高。
[0023]由于以上技术方案的实施，本技术与现有技术相比具有如下优点：
[0024]本技术通过设置清洁腔，能够减少外界物质对晶圆表面的影响，有效避免晶圆表面的金属镀膜氧化，保证导电性能；同时通过设置排废单元，实现快速排出清洁腔内的废液废气，避免晶圆表面残留杂质，有效提高清洁效果。
附图说明
[0025]下面结合附图和具体的实施例，对本技术做进一步详细的说明：
[0026]图1为本技术的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置的结构示意图；
[0027]图2为图1中一组清洁组的结构示意图(未显示清洁盒的盖板)；
[0028]图3为图2中A向观察到的局部结构示意图；
[0029]图4为图3的俯视示意图；
[0030]图5为图4中B
‑
B向剖视示意图；
[0031]附图中：1、机架；w、清洁工位；
[0032]2、清洁盒；q1、清洁腔；20、底板；k2、通孔；21、侧板；k1、入口；22、盖板；23、闭合模块；24、驱动件；
[0033]3、吸盘；
[0034]4、清洗干燥单元；40、供液部件；a1、第一喷嘴；41、供气部件；a2、第二喷嘴；
[0035]5、排废单元；50、排废盒；q2、排废腔；k3、缺口；k4、排废口；51、排废部件。
具体实施方式
[0036]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0037]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0038]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0039]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0040]在本申请中，除非另有明本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置，其特征在于：其包括：清洁盒，其形成有清洁腔、及与所述清洁腔相连通的晶圆入口，其中所述入口可打开或/和闭合设置；吸盘，其能够绕着竖直方向转动设置，晶圆自电镀面朝上并水平吸附在所述吸盘上；清洗干燥单元，其包括伸入所述清洁腔并用于喷淋清洗液的供液部件、及伸入所述清洁腔并用于输送干燥气体的供气部件，其中所述供液部件和所述供气部件分别活动设置在所述吸盘的上方；排废单元，其包括与所述清洁腔相连通的排废部件，其中所述排废部件在所述吸盘的下方形成负压，清洁时，废气和废液自上而下排出所述清洁腔。2.根据权利要求1所述的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置，其特征在于：所述排废单元还包括连接在所述清洁盒底部的排废盒，其中所述排废盒形成有与所述清洁腔相连通的排废腔，所述排废部件与所述排废腔相连通。3.根据权利要求2所述的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置，其特征在于：所述排废盒的底部自上而下倾斜延伸，且所述排废盒底部的下侧形成有排废口，所述排废部件为与所述排废口相连接的鼓风机。4.根据权利要求2或3所述的适用于电镀晶圆的高速清洗干燥装置，其特征在于：所述排废腔为绕着所述吸盘中心线方向延伸的环形腔，所述清洁盒的底部形成有连通所述清洁腔与所述排废腔的多个通孔，且当所述晶圆吸附在所述吸盘上时，多个所述通孔绕着所述晶圆的外周间隔分布。5.根据权利要求1所述的适用于电镀...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙文杰，孙雪峰，肖凌峰，
申请(专利权)人：晟盈半导体设备江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：
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