片上变压器及其制作方法技术

本申请公开了一种片上变压器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底表面具有隔离层；在所述隔离层上制备初级线圈组件，所述初级线圈组件包括：电接触的初级线圈和第一引线线圈，以及位于所述初级线圈和所述第一引线线圈之间的第一介质层；在所述初级线圈组件上制备次级线圈组件，所述次级线圈组件包括：电接触的次级线圈和第二引线线圈，以及位于所述次级线圈和所述第二引线线圈之间的第三介质层。本方案可以通过沉积工艺在同一衬底上形成依次交替层叠的线圈和介质层，通过四层线圈和三层介质层即可构成同一片上变压器，不仅可以提升频率和效率，还可以大幅度减小面积，结构简单，体积小。体积小。体积小。

【技术实现步骤摘要】
片上变压器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及DCDC转换器
，尤其是涉及一种片上变压器及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品的发展，便携式移动设备的需求在不断增长，各个厂家的竞争也日趋白热化，促使电子系统的体积和重量的下降。在这些电子装置中，电源部分由于磁性元件如电感、变压器的存在，成为影响电子设备体积和重量的主要因素。现有技术中，变压器的体积较大，且结构复杂，不利于使用。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种片上变压器及其制作方法，不仅结构简单，体积小，还可以提升频率和效率。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]一种片上变压器的制作方法，所述制作方法包括：
[0006]提供一衬底，所述衬底表面具有隔离层；
[0007]在所述隔离层上制备初级线圈组件，所述初级线圈组件包括：电接触的初级线圈和第一引线线圈，以及位于所述初级线圈和所述第一引线线圈之间的第一介质层；所述初级线圈位于所述衬底与所述第一引线线圈之间；其中，所述初本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片上变压器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底表面具有隔离层；在所述隔离层上制备初级线圈组件，所述初级线圈组件包括：电接触的初级线圈和第一引线线圈，以及位于所述初级线圈和所述第一引线线圈之间的第一介质层；所述初级线圈位于所述衬底与所述第一引线线圈之间；其中，所述初级线圈的外端部连接有第一引线端；所述第一引线线圈的内端部连接有第二引线端；在所述初级线圈组件上制备次级线圈组件，所述次级线圈组件与所述初级线圈组件之间具有第二介质层；所述次级线圈组件包括：电接触的次级线圈和第二引线线圈，以及位于所述次级线圈和所述第二引线线圈之间的第三介质层；所述次级线圈位于所述第二引线线圈与所述第一引线线圈之间；其中，所述次级线圈的外端部连接有第三引线端；所述第二引线线圈的内端部连接有第四引线端。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔离层为GaN层，所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层以及所述隔离层均为SiN层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述SiN层的厚度为20nm
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150nm。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的形成方法包括：形成未图形化的所述第一介质层，覆盖所述隔离层以及所述初级线圈；图形化所述第一介质层，在所述第一介质层上形成第一镂空图形，露出部分所述初级线圈；其中，所述第一引线线圈通过所述第一镂空图形与所述初级线圈电接触；所述第一以介质层覆盖所述第二引线端穿过所述初级线圈的路径，以隔离所述第二引线端与所述初级线圈。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三介质层的形成方法包括：形成未图形化的所述第三介质层，覆盖所述第二介质层以及所述次级线圈；图形化所述第三介质层，在所述第三介质层形成第二镂空图形，露出部分所述次级线圈；其中，所述第二引线线圈通过所述第二镂空图形与所述次级线圈电接触；所述第三介质层覆盖所述第四引线端...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗卫军，张荣华，李晨浩，梁家豪，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：