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本申请公开了一种片上变压器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底表面具有隔离层；在所述隔离层上制备初级线圈组件，所述初级线圈组件包括：电接触的初级线圈和第一引线线圈，以及位于所述初级线圈和所述第一引线线圈之间的第一介质层；在所...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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