半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本发明专利技术实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，用于提高半导体结构的性能。该半导体结构的制备方法包括：在基底上形成位线结构，位线结构包括依次层叠设置的导电层、过渡层和覆盖层，过渡层的宽度小于导电层的宽度；并且在导电层的顶面以及过渡层的侧面形成气隙。气隙既能减少覆盖层对导电层的影响以防止导电层的电阻增大，又能降低位线结构与其周边结构之间的寄生电容，从而提高了半导体结构的性能。从而提高了半导体结构的性能。从而提高了半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]随着存储设备技术的逐渐发展，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)以其较高的密度以及较快的读写速度逐渐应用在各种电子设备中。动态随机存储器包括位线结构、电容结构和晶体管结构，位线结构、电容结构分别与晶体管结构连接，通过晶体管结构控制读取电容结构内存储的数据。
[0003]然而，目前动态随机存储器的性能仍然有待提高。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，以提高半导体结构的性能。
[0005]本专利技术实施例提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
[0006]提供基底；
[0007]在所述基底上形成间隔分布的若干位线结构，所述位线结构包括依次叠设的导电层、过渡层和覆盖层，所述过渡层的宽度小于所述导电层的宽度；
[0008]在所述导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成间隔分布的若干位线结构，所述位线结构包括依次叠设的导电层、过渡层和覆盖层，所述过渡层的宽度小于所述导电层的宽度；在所述导电层的顶面以及所述过渡层的侧面形成气隙。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述覆盖层的宽度大于所述导电层的宽度；所述气隙凸出于所述导电层的侧面。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述位线结构之间的所述基底上形成包括第一导电部分和第二导电部分的导电插塞，所述第二导电部分形成在所述第一导电部分的上方；其中，所述第二导电部分的底部具有面向所述位线结构的斜面。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二导电部分的底部还包括底面、第一直面和第二直面，所述底面与所述第一导电部分的顶面直接接触，所述底面的两端分别与所述第一直面和所述第二直面连接；其中，所述第一直面还与所述斜面连接。5.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述过渡层的顶角与所述斜面的垂直距离小于所述导电层的顶角与所述斜面的垂直距离。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述斜面的底部高于所述导电层的顶部且低于所述过渡层的顶部。7.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；间隔分布于所述基底上的若干位线结构，所述位线结构包括依次叠设的导电层、过渡层和覆盖层，所述过渡层的宽度小于所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：平尔萱，白杰，黄娟娟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：